本实用新型专利技术涉及喷淋技术领域，公开一种MOCVD设备的喷淋装置，包括：气体导入件，设有第一气体外圈进气口、第一气体内圈进气口、第二气体外圈进气口及第二气体内圈进气口；第一喷淋单元，设有与第一气体外圈进气口连通的多个第一气体外圈喷孔组和与第一气体内圈进气口连通的多个第一气体内圈喷孔组；第二喷淋单元，设有与多个第一气体外圈喷孔组连通的多个第一连通孔组、与多个第一气体内圈喷孔组连通的多个第二连通孔组、与第二气体外圈进气口连通的多个第二气体外圈喷孔组以及与第二气体内圈进气口连通的多个第二气体内圈喷孔组。本实用新型专利技术公开的MOCVD设备的喷淋装置，增加了晶体产品的均匀性，提高了晶体产品的质量。提高了晶体产品的质量。提高了晶体产品的质量。
A spray device for MOCVD equipment
【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备的喷淋装置
[0001]本技术涉及喷淋
，尤其涉及一种MOCVD设备的喷淋装置。
技术介绍
[0002]金属有机物化学气相沉积(Metal
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organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)设备是制备半导体薄膜器件的重要设备，其主要用于生长GaN基(AlGaInN系列材料)和GaAs基(AlGaInP/AlGaInAs系列材料)的III
‑
V族半导体薄膜材料和器件。MOCVD)设备制备产品的基本生长过程如下：将第二气体从气源引入反应腔内，再利用腔体内的加热器加热晶片托盘上的衬底，从而在衬底上生成单晶或多晶薄膜。
技术实现思路
[0003]基于以上所述，本技术的目的在于提供一种MOCVD设备的喷淋装置，解决了由于泵抽气而导致晶体产品的外圈的厚度较薄的问题，增加了晶体产品的均匀性，提高了晶体产品的质量。
[0004]为达上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]一种MOCVD设备的喷淋装置，包括：气体导入件，其上设有第一气体外圈进气口、第一气体内圈进气口、第二气体外圈进气口及第二气体内圈进气口，所述第一气体外圈进气口和所述第一气体内圈进气口用于通入第一气体，所述第二气体外圈进气口和所述第二气体内圈进气口用于通入第二气体；第一喷淋单元，其上设有与所述第一气体外圈进气口连通的多个第一气体外圈喷孔组和与所述第一气体内圈进气口连通的多个第一气体内圈喷孔组，多个所述第一气体外圈喷孔组沿所有所述第一气体内圈喷孔组的外周分布；第二喷淋单元，其上设有与多个所述第一气体外圈喷孔组连通的多个第一连通孔组和与多个所述第一气体内圈喷孔组连通的多个第二连通孔组，所述第二喷淋单元上还设有与所述第二气体外圈进气口连通的多个第二气体外圈喷孔组和与所述第二气体内圈进气口连通的多个第二气体内圈喷孔组，多个所述第二气体外圈喷孔组沿所有所述第二气体内圈喷孔组的外周分布。
[0006]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，所述第二气体外圈喷孔组和所述第一连通孔组交替排布在所述第二喷淋单元上，所述第二气体内圈喷孔组和所述第二连通孔组交替排布在所述第二喷淋单元上。
[0007]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，所述第二喷淋单元的侧边设有外圈侧边连通口和内圈侧边连通口，所述外圈侧边连通口连通所述第二气体外圈进气口和多个所述第二气体外圈喷孔组，所述内圈侧边连通口连通所述第二气体内圈进气口和多个所述第二气体内圈喷孔组。
[0008]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，每个所述第一气体外圈喷孔组均包括若干个沿预设方向分布的第一气体外圈进气孔，每个所述第一气体内圈喷孔组均包括若干个沿所述预设方向分布的第一气体内圈进气孔，多个所述第一气体外圈喷孔组围成第一
预设区域，多个所述第一气体内圈喷孔组均设置在所述第一预设区域内。
[0009]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，每个所述第二气体外圈喷孔组均包括若干个沿所述预设方向分布的第二气体外圈进气孔，每个所述第二气体内圈喷孔组均包括若干个沿所述预设方向分布的第二气体内圈进气孔，多个所述第二气体外圈喷孔组围成第二预设区域，多个所述第二气体内圈喷孔组均设置在所述第二预设区域内。
[0010]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，每个所述第一连通孔组均包括若干个沿所述预设方向分布的第一连通孔本体，每个所述第二连通孔组均包括若干个沿所述预设方向分布的第二连通孔本体，多个所述第一连通孔组围成第三预设区域，多个所述第二连通孔组均设置在所述第三预设区域内。
[0011]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，每个所述第一连通孔本体的出口的流通面积小于进口的流通面积，每个所述第二连通孔本体的出口的流通面积小于进口的流通面积。
[0012]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，所述第一气体外圈进气孔、所述第一气体内圈进气孔、所述第二气体外圈进气孔、所述第二气体内圈进气孔、所述第一连通孔本体、所述第二连通孔本体的延伸方向均相同。
[0013]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，所述第一喷淋单元包括第一喷淋盘、第一内圈环形凸起和第一外圈环形凸起，所述第一外圈环形凸起位于所述第一内圈环形凸起的外周，所述第一喷淋盘、所述第一内圈环形凸起及所述气体导入件围成第一腔室，所述第一腔室连通所述第一气体内圈进气口和多个所述第一气体内圈喷孔组，所述第一喷淋盘、所述第一内圈环形凸起、所述第一外圈环形凸起及所述气体导入件围成第二腔室，所述第二腔室与所述第一腔室隔绝，且所述第二腔室连通所述第一气体外圈进气口和多个所述第一气体外圈喷孔组。
[0014]作为一种MOCVD设备的喷淋装置的优选方案，所述第一喷淋单元还包括设置在所述第一喷淋盘靠近所述第二喷淋单元的一侧的第二内圈环形凸起，所述第一喷淋盘、所述第二内圈环形凸起及所述第二喷淋单元围成第三腔室，所述第三腔室连通多个所述第二连通孔组和多个所述第一气体内圈喷孔组，所述第一喷淋盘、所述第二内圈环形凸起、所述气体导入件及所述第二喷淋单元围成第四腔室，所述第四腔室与所述第三腔室隔绝，且所述第四腔室连通多个所述第一连通孔组和多个所述第一气体外圈喷孔组。
[0015]本技术的有益效果为：本技术公开的MOCVD设备的喷淋装置，通过改变进入第一气体外圈进气口的第一气体的流量，使得最终喷淋在位于托盘上表面外圈的载片的第一气体的浓度发生改变，同样地，通过改变进入第二气体外圈进气口的第二气体的流量，使得最终喷淋在位于托盘上表面外圈的载片的第二气体的浓度发生改变，此外还可以通过控制第一气体内圈进气口的第一气体的流量改变喷淋在位于托盘上表面内圈的载片的第一气体的浓度，并通过控制第二气体内圈进气口的第二气体的流量改变喷淋在位于托盘上表面内圈的载片的第二气体的浓度，使得最终生产出的晶体产品的均匀性较高。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新
型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本技术具体实施例提供的MOCVD设备的喷淋装置在一个方向的剖视图；
[0018]图2是本技术具体实施例提供的MOCVD设备的喷淋装置在另一个方向的剖视图；
[0019]图3是本技术具体实施例提供的MOCVD设备的喷淋装置的第一喷淋单元的示意图；
[0020]图4是本技术具体实施例提供的MOCVD设备的喷淋装置的第一喷淋单元沿A
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A的剖视图；
[0021]图5是本技术具体实施例提供的MOCVD设备的喷淋装置的第二喷淋单元的示意图；
[0022]图6是本技术具体实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备的喷淋装置，其特征在于，包括：气体导入件(1)，其上设有第一气体外圈进气口(101)、第一气体内圈进气口(102)、第二气体外圈进气口(103)及第二气体内圈进气口(104)，所述第一气体外圈进气口(101)和所述第一气体内圈进气口(102)用于通入第一气体，所述第二气体外圈进气口(103)和所述第二气体内圈进气口(104)用于通入第二气体；第一喷淋单元(2)，其上设有与所述第一气体外圈进气口(101)连通的多个第一气体外圈喷孔组(201)和与所述第一气体内圈进气口(102)连通的多个第一气体内圈喷孔组(202)，多个所述第一气体外圈喷孔组(201)沿所有所述第一气体内圈喷孔组(202)的外周分布；第二喷淋单元(3)，其上设有与多个所述第一气体外圈喷孔组(201)连通的多个第一连通孔组(301)和与多个所述第一气体内圈喷孔组(202)连通的多个第二连通孔组(302)，所述第二喷淋单元(3)上还设有与所述第二气体外圈进气口(103)连通的多个第二气体外圈喷孔组(303)和与所述第二气体内圈进气口(104)连通的多个第二气体内圈喷孔组(304)，多个所述第二气体外圈喷孔组(303)沿所有所述第二气体内圈喷孔组(304)的外周分布。2.根据权利要求1所述的MOCVD设备的喷淋装置，其特征在于，所述第二气体外圈喷孔组(303)和所述第一连通孔组(301)交替排布在所述第二喷淋单元(3)上，所述第二气体内圈喷孔组(304)和所述第二连通孔组(302)交替排布在所述第二喷淋单元(3)上。3.根据权利要求1所述的MOCVD设备的喷淋装置，其特征在于，所述第二喷淋单元(3)的侧边设有外圈侧边连通口(305)和内圈侧边连通口(306)，所述外圈侧边连通口(305)连通所述第二气体外圈进气口(103)和多个所述第二气体外圈喷孔组(303)，所述内圈侧边连通口(306)连通所述第二气体内圈进气口(104)和多个所述第二气体内圈喷孔组(304)。4.根据权利要求1所述的MOCVD设备的喷淋装置，其特征在于，每个所述第一气体外圈喷孔组(201)均包括若干个沿预设方向分布的第一气体外圈进气孔，每个所述第一气体内圈喷孔组(202)均包括若干个沿所述预设方向分布的第一气体内圈进气孔，多个所述第一气体外圈喷孔组(201)围成第一预设区域，多个所述第一气体内圈喷孔组(202)均设置在所述第一预设区域内。5.根据权利要求4所述的MOCVD设备的喷淋装置，其特征在于，每个所述第二气体外圈喷孔组(303)均包括若干个沿所述预设方向分布的第二气体外圈进气孔，每个所述第二气体内圈喷孔组(304)均包括若干个沿所述预设方向分...
【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞，陈爱华，吕青，施广涛，任鑫宇，
申请(专利权)人：中晟光电设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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