一种气源输送装置及碳化硅外延生长设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种气源输送装置，包括隔板和导流板，隔板上设置有至少三个通气单元，每个通气单元包括至少一个气孔，每个气孔包括设置在隔板上表面的第一开口、设置在隔板下表面的第二开口和连通第一开口和第二开口的通道，第二开口的面积大于所述第一开口的面积；导流板上设置有多个导流孔，隔板的下表面与导流板对接，隔板上每个气孔的第二开口连通多个导流孔。本实用新型专利技术还公开了一种碳化硅外延生长设备。采用本实用新型专利技术可以实现气流分布的均匀性，从而改善产品的生长均匀性，提高碳化硅外延生长的一致性。外延生长的一致性。外延生长的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种气源输送装置及碳化硅外延生长设备


[0001]本技术涉及半导体制造设备
，特别是涉及一种气源输送装置及碳化硅外延生长设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)工艺是一种利用不同气体在高温条件下相互反应来制备外延薄膜的方法。气体在反应室内的流速影响着外延薄膜的质量。
[0003]目前市场上主流的商用半导体设备大部分都采用了垂直式反应腔设计，通过反应腔上方的喷头将沉积所需要的源气体输运进反应腔，垂直的气流到达石墨基座后，在基座表面形成一层很薄的滞留层，在该滞留层内反应物通过扩散作用越过滞留层扩散至衬底表面，并在衬底表面成核、进行薄膜生长。
[0004]碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。目前，碳化硅外延材料一般采用化学 CVD制备，生长过程中生长气体在外延层直径方向上的耗尽导致了外延层上局部分点的生长速率及掺杂浓度随气源混合均匀性、气源流速和位置的变化量，造成碳化硅外延厚度及掺杂浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气源输送装置，其特征在于，所述气源输送装置包括隔板和导流板，所述隔板上设置有至少三个通气单元，每个所述通气单元包括至少一个气孔，每个所述气孔包括设置在所述隔板上表面的第一开口、设置在所述隔板下表面的第二开口和连通所述第一开口和所述第二开口的通道，所述第二开口的面积大于所述第一开口的面积；所述导流板上设置有多个导流孔，所述隔板的下表面与所述导流板对接，所述隔板上每个所述气孔的所述第二开口连通多个所述导流孔。2.根据权利要求1所述的气源输送装置，其特征在于，当所述第一开口为所述气源输送装置的进气端时，所述导流孔为所述气源输送装置的出气端；当所述第一开口为所述气源输送装置的出气端时，所述导流孔为所述气源输送装置的进气端。3.根据权利要求1所述的气源输送装置，其特征在于，属于同一所述通气单元的各所述气孔在所述隔板上呈环形分布，各所述通气单元对应的环形具有相同的中心。4.根据权利要求3所述的气源输送装置，其特征在于，属于同一所述通气单元的各气孔在所述隔板上呈圆形分布，各所述通气单元对应的圆形具有相同的中心，并且所述中心与所述隔板的中心重合。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：