一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线及其制备方法技术

一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，可解决现有制备方法在一维半导体异质结生长方向存在阻碍的问题，本发明专利技术生长CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线使用可控双温区管式炉，使用大管套小管式生长模式，本发明专利技术利用了改变蒸发源的材料来改变沉积材料的种类的技术，同时利用了精确控制压强、生长温度、气流大小以及隔离时间，生长出了CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线。本技术具有易操控、成本低、产量高等优点。产量高等优点。产量高等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体材料制备
，具体涉及一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线及其制备方法。

技术介绍

[0002]纳米科技是当前世界各国科技研究的主要内容之一，纳米技术是一门交叉性很强的综合学科，研究的内容涉及现代科技的广阔领域，并且纳米技术的研究和应用主要在材料和制备、微电子和计算机技术、医学与健康、航天和航空、环境和能源、生物技术和农产品等方面。用纳米材料制作的器件重量更轻、寿命更长、成本更低、性能更优。纳米材料，以其优越的物理和化学性质，引起了科学界和学术界的广泛关注，尤其在新型纳米器件中，纳米材料展现出重要的研究价值和宽阔的前景。
[0003]一维半导体纳米结构，如线、管、带和棒，是新型微纳光电器件的基本构建单元。尤其是半导体纳米线，不仅具有较为独特的物理结构，同时具备独特的电学性质，因此在过去几十年内吸引力广大研究人员的密切关注。由于其独特的性质，将在光伏器件、纳米激光器、光探测器、发光二极管、光学逻辑运算器件等设计制备中具广阔的应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线，其特征在于：所述CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线中CsPbCl3纳米线与CsPbI3纳米线之间的界面为陡峭界面；所述CsPbCl3纳米线为单晶结构纳米线，光致发光波长为420nm；所述CsPbI3纳米线为单晶结构纳米线，光致发光波长为700nm。2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线，其特征在于：所述CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线长度为10
‑
30微米，异质结处直径300
‑
700纳米。3.一种如权利要求1或2所述的钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步，分别配取PbCl2/CsCl和PbI2/CsI，并将配好的PbCl2/CsCl和PbI2/CsI分别装入不同的玻璃舟内，将装有PbCl2/CsCl的玻璃舟标为1号舟，将装有PbI2/CsI的玻璃舟标为2号舟；第二步，取锡粉，溶于酒精中，配制锡溶液，将配制好的锡溶液滴入Si/SiO2衬底之上，放入鼓风干燥箱中挥发酒精，形成带有锡颗粒的Si/SiO2衬底；第三步，将1号舟推至可控双温区管式炉的左温区加热炉的中心位置，将2号舟推至于进气口与1号舟之间，位于管式炉加热区之外；将滴有锡颗粒的Si/SiO2衬底放置在右温区前端；第四步，将管式炉抽真空，通入载气后，右温区在20min内先升温至580℃，之后左温区在之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭鹏飞，刘达，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：