一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。在基座的侧面中部设置一圈凸台，在基片槽的外围对称设置四个导气孔；下保护套上端的大直径圆环与基座的下部配合设置在凸台的下方，下端小圆环的内孔是进气孔，下保护套与基座之间的间隙形成下导气槽；上保护套与基座的上部配合设置在凸台的上方，上保护套与基座之间的间隙形成上导气槽，下导气槽和上导气槽的外径大于导气孔外接圆的直径，进气孔、下导气槽、导气孔和上导气槽组成完整的气路。本发明专利技术使用保护装置，在采用氢化物气相外延（HVPE）法生长氮化铝外延层的过程中充入氮气，使基片边缘和背底区域被氮气保护，防止碳化硅基片腐蚀，降低外延层中的碳、硅杂质含量。杂质含量。杂质含量。

【技术实现步骤摘要】
一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法


[0001]本专利技术涉及氮化铝生长领域，特别涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。

技术介绍

[0002]采用本装置后，可以有效保护碳化硅衬底，降低外延层中的碳、硅杂质含量，实现高紫外透过率氮化铝外延层的稳定生长。
[0003]氮化铝材料由于其特有的带隙宽度和优良的光电特性，在可见紫外波段发光二极管,高频、大功率电子器件，紫外探测器等光电子器件有着广泛的应用前景，因此也成为宽禁带半导体材料中极具吸引力的材料。然而,制约氮化物半导体的发展重要因素之一是衬底材料。目前制备高透过率的氮化铝衬底材料最常用的方法是HVPE法生长获得。在采用氢化物气相外延（HVPE）法生长氮化铝外延层时，需使用与氮化铝晶格匹配度好的碳化硅衬底做为基片，由于生长温度高于1500℃，使用的氯化氢气体和氢气载气都会对碳化硅基片造成腐蚀，并且在高温生长过程中，由于外延层与基片间热膨胀系数的差异，会导致基片边缘翘起，使碳化硅基片边缘和背底暴露在氯化铝和氢气气氛中，导致碳化硅被腐蚀，产生的碳、硅杂质进入氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置，包括基座（2）和设置在基座中心的基片槽（4），其特征在于：还包括下保护套（1）和上保护套（3），所述基座（2）是一个圆柱体，在基座（2）的侧面中部设置一圈凸台（2
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1），在基片槽（4）的外围对称设置四个导气孔（7）；所述下保护套（1）是一个三阶梯圆环，上端的大直径圆环与基座（2）的下部配合设置在凸台（2
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1）的下方，中圆环的台阶与基座（2）的下端面贴紧，下端小圆环的内孔是进气孔（5），下保护套（1）与基座（2）之间的间隙形成下导气槽（6）；所述上保护套（3）是圆环形盖，与基座（2）的上部配合设置在凸台（2
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1）的上方，上保护套（3）圆环的内径与基片槽（4）直径相同，上保护套（3）与基座（2）之间的间隙形成上导气槽（8），所述下导气槽（6）和上导气槽（8）的外径大于导气孔（7）外接圆的直径，所述进气孔（5）、下导气槽（6）、导气孔（7）和上导气槽（8）组成完整的气路。2.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王再恩，王双，孙科伟，董增印，李贺，程文涛，张嵩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：