【技术实现步骤摘要】
本申请涉及工业制造领域，特别是涉及一种在半导体外延生长中对承载半导体衬底的托盘进行位置校准和/或确认的校准装置，以及具有该校准装置的半导体外延生长设备。
技术介绍
1、半导体外延片的制备过程需要高度精确的控制和技术，它通常通过化学气相沉积(cvd)或者分子束外延(mbe)等技术来实现。这些技术可以在高温和低压环境下将薄膜材料沉积在基片上，从而实现外延片的制备。
2、由于外延片制备需要过程高度精确，因此载有生长原材料的载气经过外延衬底表面时，需要外延片表面与气流流向保持高度平行，也就是外延片表面需要保持高度平整，外延片衬底在石墨托盘上各点高度不一致将会导致外延衬底生长后关键工艺参数的均匀性十分差，从而导致产品结果的严重不合格，因此，保证外延片在生长前在托盘上的平整度良好至关重要。
3、当前外延片衬底生长前，需要利用石墨托盘作为载具，将外延片衬底传送至腔体内部石墨旋转基座上。生长时外延基座旋转，带动石墨托盘进行转动，石墨托盘转动同时带动外延衬底进行转动。在衬底生长转动时，需要保证外延衬底表面保持在同一个水平面，以保证生长时薄膜材料可以均匀地分布在外延衬底表面，若外延衬底表面各点不处于同一水平面，则会造成生长后外延片工艺参数异常，造成产品报废。当前，在载有外延衬底的石墨托盘进入腔体准备放置在托盘基座上时，有可能因为传盘过程中出现晃动，导致石墨托盘出现轻微位移，从而导致石墨托盘无法完全落入旋转基座内部，生长时外延片各点不在同一水平面上，最终导致外延片生长参数异常。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题在于，如何降低掉落颗粒物数量，提高碳化硅外延片的生长效率，提升碳化硅外延片的良率和产量。
2、为了解决上述问题，本申请公开一种校准装置，以及具有该校准装置的半导体外延生长设备。所述校准装置能够实现对放置于托盘上的半导体衬底进行外置校准和/或确认，以保证托盘的位置正确，从而保证位于托盘内的外延片衬底在生长过程中始终处于同一水平面内，保证生长参数正常。
3、本申请一方面提供了一种校准装置，所述校准装置可以用于半导体外延生长中，对承载半导体衬底的托盘进行位置校准和/或确认。其中，所述校准装置可以包括：校准组件，所述校准组件包括第一校准部和第二校准部，所述第一校准部和所述第二校准部能够各自独立地受控制进行运动实现相互接触；运动组件，所述运动组件包括与所述第一校准部连接的第一运动部和与所述第二校准部连接的第二运动部，所述第一校准部和所述第二校准部藉由所述第一运动部和第二运动部的带动实现运动；其中，所述第一校准部和所述第二校准部接触后在对应于所述托盘的目标位置形成校准空间，所述校准空间与所述托盘的外形相匹配；其中，所述校准空间在形成过程中以及完成后对所述托盘进行位置校准和/或确认，以使所述托盘最终处于所述目标位置。
4、在一些可行的实施方式中，所述校准组件可以由硅化石墨制备。
5、在一些可行的实施方式中，所述第一运动部和所述第二运动部可以分别通过第一连接部和第二连接部于所述第一校准部和所述第二校准部连接，并带动所述第一校准部和所述第二校准部在相互垂直的两个方向上运动。
6、在一些可行的实施方式中，所述第一连接部和所述第二连接部由金属制成。
7、在一些可行的实施方式中，所述第一运动部和/或所述第二运动部可以包括双向直线运动结构，至少包括十字交叉型导轨滑块组合。
8、在一些可行的实施方式中，所述十字交叉型导轨滑块组合可以包括位于底部的底部导轨、滑块以及位于顶部的顶部导轨，所述滑块在底面和顶面分别与所述底部导轨和所述顶部导轨滑动连接。
9、在一些可行的实施方式中，所述第一运动部和所述第二运动部可以共用所述底部导轨。
10、在一些可行的实施方式中，所述第一连接部与所述第二连接部可以分别与所述第一运动部和所述第二运动部的顶部导轨固定连接，以在所述顶部导轨相对于所述滑块滑动时同步运动。
11、在一些可行的实施方式中，所述校准空间的形成过程中，所述第一校准部和/或所述第二校准部将在运动中对未处于所述目标位置的托盘施加推力以及抵触力，以调整所述托盘至所述目标位置。
12、本申请另一方面提供了一种具有上所述的校准装置的半导体外延生长设备。
13、本申请所公开的校准装置，构造简单，成本低廉，能实现精确运动控制从而对外延生长的托盘进行位置调整和/或确认，避免托盘位置偏移的情况出现，进而影响外延生长质量。
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1.一种校准装置，所述校准装置用于半导体外延生长中，对承载半导体衬底的托盘进行位置校准和/或确认，其特征在于，所述校准装置包括：
2.根据权利要求1所述的校准装置，其特征在于，所述校准组件由硅化石墨制备。
3.根据权利要求1所述的校准装置，其特征在于，所述第一运动部和所述第二运动部分别通过第一连接部和第二连接部于所述第一校准部和所述第二校准部连接，并带动所述第一校准部和所述第二校准部在相互垂直的两个方向上运动。
4.根据权利要求3所述的校准装置，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部由金属制成。
5.根据权利要求3所述的校准装置，其特征在于，所述第一运动部和/或所述第二运动部包括双向直线运动结构，至少包括十字交叉型导轨滑块组合。
6.根据权利要求5所述的校准装置，其特征在于，所述十字交叉型导轨滑块组合包括位于底部的底部导轨、滑块以及位于顶部的顶部导轨，所述滑块在底面和顶面分别与所述底部导轨和所述顶部导轨滑动连接。
7.根据权利要求6所述的校准装置，其特征在于，所述第一运动部和所述第二运动部共用所述底部导轨
8.根据权利要求6所述的校准装置，其特征在于，所述第一连接部与所述第二连接部分别与所述第一运动部和所述第二运动部的顶部导轨固定连接，以在所述顶部导轨相对于所述滑块滑动时同步运动。
9.根据权利要求1所述的校准装置，其特征在于，所述校准空间的形成过程中，所述第一校准部和/或所述第二校准部将在运动中对未处于所述目标位置的托盘施加推力以及抵触力，以调整所述托盘至所述目标位置。
10.具有如权利要求1-9中任一项所述的校准装置的半导体外延生长设备。
...【技术特征摘要】
1.一种校准装置，所述校准装置用于半导体外延生长中，对承载半导体衬底的托盘进行位置校准和/或确认，其特征在于，所述校准装置包括：
2.根据权利要求1所述的校准装置，其特征在于，所述校准组件由硅化石墨制备。
3.根据权利要求1所述的校准装置，其特征在于，所述第一运动部和所述第二运动部分别通过第一连接部和第二连接部于所述第一校准部和所述第二校准部连接，并带动所述第一校准部和所述第二校准部在相互垂直的两个方向上运动。
4.根据权利要求3所述的校准装置，其特征在于，所述第一连接部和所述第二连接部由金属制成。
5.根据权利要求3所述的校准装置，其特征在于，所述第一运动部和/或所述第二运动部包括双向直线运动结构，至少包括十字交叉型导轨滑块组合。
6.根据权利要求5所述的校准装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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