本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种打磨装置，所述打磨装置用于对外延生长装置中的石墨配件进行打磨；所述打磨装置包括电机固定座、打磨电机、打磨头以及打磨平台；所述打磨电机固定于所述电机固定座，打磨头连接于所述打磨电机的输出轴，所述打磨头...

本申请公开一种校准装置，以及具有该校准装置的半导体外延生长设备。所述校准装置包括：校准组件，所述校准组件包括第一校准部和第二校准部，所述第一校准部和所述第二校准部能够各自独立地受控制进行运动实现相互接触；运动组件，所述运动组件包括与所述...

本申请涉及外延生长技术领域，具体公开一种外延生长设备，包括壳体，所述壳体内具有生长腔室，所述生长腔室内设置有转盘，所述转盘的底部连接有旋转机构，所述旋转机构包括第一旋转件、第二旋转件以及驱动件，所述第一旋转件的旋转轴固定连接所述转盘，所...

本发明涉及半导体制备技术领域，特别公开了一种石墨件平整度的检测装置，包括检测平台，用于放置待测石墨件；传动结构，设置于所述检测平台底部，用于带动所述检测平台沿第一方向移动；第一支撑杆和第二支撑杆，沿第二方向分别设置在所述传动结构相对的两...

本申请公开一种碳化硅衬底的位错缺陷的处理方法。所述处理方法可以包括对所述碳化硅衬底进行硅蒸汽刻蚀，以转变所述碳化硅衬底的位错缺陷的类型。该方法能够将影响最终半导体器件性能的位错类型转变为不影响最终半导体器件性能的位错类型，提升产品良率，...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种外延生长方法，包括：将晶圆放置于反应腔，并调节所述反应腔内的压力和温度至预设范围；加入刻蚀气体至所述反应腔，以对所述晶圆的表面进行原位刻蚀；保持所述反应腔内的压力不变，降低所述反应腔内的温度，并加入...

本申请公开一种半导体器件。所述半导体器件包括：底面漏极结构；漂移区，其设置在所述底面漏极结构之上；以及表面结构，其设置在所述漂移区之上；其中，所述漂移区包括水平方向上依次交替设置的第一掺杂柱层和第二掺杂柱层，且所述漂移区在水平方向上被划...

本申请公开一种用于半导体晶片的平整度测试的载具。所述载具包括环状件，以及支撑面板；所述环状件的中空区域的形状适配于待测试晶片的形状；所述支撑面板设置于所述中空区域内并固定连接所述环状件的内侧壁，用于承载所述待测试晶片；其中，所述支撑面板...

本发明涉及一种减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法和氮吸附装置。减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法包括如下步骤：步骤一、提供生长腔室、若干半导体衬底和氮吸附装置；步骤二、半导体衬底在所述生长腔室内进行外延生长，并采用氮气作为掺杂源...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种半导体装置，包括托盘、第一基座和第二基座。托盘用于承载晶圆；第一基座具有相对的第一表面和第二表面，托盘设置于第一表面，第二表面具有突出的第一环状台阶；第二基座具有面向第一基座的第二表面的承载面，承载...

本发明公开了一种降低外延炉开腔后水、氧和颗粒的装置及系统，其中，装置包括：装置壳体，包括与外延炉相连的第一端面和与第一端面相对的第二端面；通气管路，设在装置壳体内，且贯穿第一端面和第二端面，通气管路包括连通的第一通气槽和第一通气孔，第一...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种外延生长控制方法，包括：选取外延片上的若干测量点；获取前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，n为大于2的整数；根据前n次外延生长过程中各所述测量点的气体掺杂浓度，确定各所述测量点对应的各浓...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种静电除尘装置和外延生长系统。静电除尘装置包括套筒、放电体以及吸附体；所述放电体与所述吸附体同轴设置于所述套筒的内部，所述吸附体环绕设置于所述放电体的外围，所述放电体连接电流产生设备，所述吸附体能够吸...

本发明公开了一种外延炉喷淋装置，包括：壳体，包括相连的底板和侧板，底板上设有多个第一出气孔，侧板上设有至少两个进气孔；上盖，盖设在壳体上；至少一个喷淋隔板，设在上盖和底板之间，任意相邻的上盖、喷淋隔板和底板之间形成气体流动腔，进气孔和气...

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种旋转设备，包括旋转基座、隔板、旋转盘、晶圆盘及吹气组件。旋转基座具有一通孔，隔板设置于通孔内并连接旋转基座，隔板与通孔的侧壁分别围成隔板两侧的第一容置腔和第二容置腔；旋转盘设置于第一容置腔内；晶圆盘...

本申请公开一种硅衬底的碳化硅外延层的生长方法以及硅基碳化硅外延片

本申请公开一种碳化硅衬底的外延生长装置

本申请公开一种碳化硅衬底的外延生长设备

本发明涉及一种碳化硅化学气相沉积外延方法和碳化硅外延片

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种测温装置