【技术实现步骤摘要】
碳化硅衬底的外延生长装置
，
以及碳化硅外延片
[0001]本申请涉及工业制造领域，特别是涉及一种碳化硅衬底的外延生长装置，以及基于该外延生长装置制备的碳化硅外延片
。
技术介绍
[0002]随着半导体行业的飞速发展，基于第三代半导体材料的碳化硅制备的碳化硅外延片的需求也在不断扩大
。
且对于碳化硅外延片的质量要求也越来越高
。
目前市场上主流的外延机台为水平式气流机台，占比达到
90
％以上
。
水平式气流机台的腔体对于腔体掉落物的控制比较差，产出的外延片掉落物缺陷和三角形缺陷较多，严重影响了产品良率
。
并且随着腔体生长厚度的累积，掉落物的数量以及掉落的频率也会增加，严重制约了水平式气流机台的产量
。
[0003]掉落颗粒物
(Downfall)
是碳化硅衬底外延生长过程中典型的致命缺陷，该缺陷对功率器件的性能及成品率影响很大，极大概率导致器件失效
。
其主要来源为从反应...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅衬底的外延生长装置，其特征在于，所述外延生长装置包括：第一壳体，所述第一壳体具有第一底板；第二壳体，所述第二壳体具有第二底板；所述第一壳体能够安置于所述第二壳体上方，安置完毕后所述第一底板和所述第二底板相对设置，并限定生长腔；其中，所述第一底板内部开设有通道，并连通所述生长腔；装载有碳化硅衬底的转移部件在所述通道内运动，以将所述碳化硅衬底置于所述生长腔内；当所述碳化硅衬底置于所述生长腔内后，所述碳化硅衬底的生长面朝向所述第二底板
。2.
根据权利要求1所述的外延生长装置，其特征在于，所述通道包括导槽，所述转移部件包括固定架；所述固定架适于在所述导槽内移动，以带动所述转移部件整体运动
。3.
根据权利要求2所述的外延生长装置，其特征在于，所述转移部件还包括与所述固定架连接的装载盘，所述通道还包括装载盘容置腔，当所述固定架于所述导槽内移动时，所述装载盘于所述装载盘容置腔中同步移动
。4.
根据权利要求3所述的外延生长装置，其特征在于，所述导槽位于所述第一底板的内部的一端设置有限位部，所述固定架到达所述限位部后向下发生位移以使所述转移部件整体向下发生位移，并被卡止固定
。5.
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕立平，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。