【技术实现步骤摘要】
一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体设备及其方法
[0001]本专利技术涉及籽晶生长
，尤其涉及一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体设备及其方法
。
技术介绍
[0002]SiC
是一种宽禁带半导体材料，其具有禁带宽度大
、
击穿电压高
、
热导率高
、
电子饱和漂移速率高
、
介电常数小等优点
。
因此，在深井钻探
、
太阳能逆变器
、
风能逆变器以及以电力驱动的汽车和混合动力汽车等相关领域中，
SiC
具有广泛的应用前景
。
目前，制备
SiC
晶体的主要方法包括物理气相输运法
、
高温化学气相沉积和液相法
。
其中，商业化
SiC
晶体的生长方法主要采用物理气相输运法
。
该方法的原理是通过调节坩埚和加热器相对位置以及保温材料的厚度等，使
SiC
粉料处的温度高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，包括坩埚盖
(1)
，其特征在于，所述坩埚盖
(1)
的底部设置有坩埚壳
(5)
，所述坩埚壳
(5)
的顶部开设有安装槽并在安装槽内设置有柱形固定台
(2)
，所述坩埚盖
(1)
的底部处设置有籽晶主体
(3)
，所述坩埚盖
(1)
的底部设置有石墨线
(4)
，所述石墨线
(4)
缠绕在籽晶主体
(3)
处，并且两端与柱形固定台
(2)
处连接，所述坩埚壳
(5)
的内壁处设置有碳化硅原料
(8)
，所述碳化硅原料
(8)
的顶部设置有多孔石墨
(7)
，所述多孔石墨
(7)
的顶部设置有导流罩
(6)。2.
根据权利要求1所述的一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，其特征在于，所述籽晶主体
(3)
处开设有用于石墨线
(4)
缠绕的凹槽
(31)
，所述籽晶主体
(3)
的顶部设置防止籽晶主体
(3)
分解的保护层
(32)。3.
根据权利要求2所述的一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，其特征在于，所述柱形固定台
(2)
包括安装在安装槽内的固定台底座
(22)
，所述固定台底座
(22)
的顶部安装有固定台上端
(21)
，所述石墨线
(4)
缠绕在固定台上端
(21)
的表面
。4.
根据权利要求3所述的一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，其特征在于，所述坩埚盖
(1)
处设置有凸台，凸台用于抵住固定台上端
(21)
处，其中凸台直径
200mm
，所述坩埚壳
(5)
的外部设置有加热器
(9)
，用于对籽晶主体
(3)
的生长，所述导流罩
(6)
小口居中对齐内径尺寸为
155mm
，大口尺寸内径为
190mm
，所述多孔石墨
(7)
的直径为
200mm、
孔隙率为
60
％，所述保护层
(32)
可以设置为
SiC
膜
、
碳膜
、
特制的高温胶水碳化膜等
。5.
根据权利要求1所述的一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，其特征在于，还包括：放置座
(104)
，用于将坩埚壳
(5)
和坩埚盖
(1)
的放置，所述放置座
(104)
的底部设置有便于其放置的转动盘
(107)
，所述转动盘
(107)
的顶部安装有支撑杆
(108)
，所述支撑杆
(108)
的底部转动连接有工作台
(100)
，所述工作台
(100)
的顶部安装有支撑柱
(101)
，所述支撑柱
(101)
的顶部安装有电机
(102)
，所述电机
(102)
的端部与转盘
(103)
连接，所述转盘
(103)
与电机
(102)
转动连接，所述转盘
(103)
的底部安装有夹紧件
(105)
，所述夹紧件
(105)
用于对放置在放置座
(104)
处的坩埚盖
(1)
和坩埚壳
(5)
进行挤压，用于坩埚盖
(1)
和坩埚壳
(5)
的紧密贴合，所述放置座
(104)
处设置有用于将坩埚壳
(5)
固定在放置座
(104)
内的锁紧件
(106)。6.
根据权利要求5所述的一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体的设备，其特征在于，所述夹紧件...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢乙强，李哲，杨东风，
申请(专利权)人：无锡弘元半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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