本发明公开了一种SiC粉料高效提纯的方法，本发明涉及SiC粉料的提纯领域，包括以下操作步骤：S1：准备以下提纯用的材料和设备；S2：碳化硅粉料的称重和放置；S3：石墨硬毡的铺设；S4：测温；S5：碳化硅粉料的纯化处理；S7：碳化硅粉料的...

本发明公开了一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体设备及其方法，属于籽晶生长领域

本发明公开了

本发明公开了一种石碳化硅用石墨件研磨装置，涉及研磨技术领域，一种石碳化硅用石墨件研磨装置，包括底座，底座内部设有空腔，空腔上端具有开口，空腔内设置有研磨基础部，研磨基础部上设有多个研磨面，研磨面正面向上时超出空腔上端的开口，研磨基础部旋...

本实用新型公开了一种SIC的快速接电结构，属于SIC半导体领域，一种SIC的快速接电结构，包括SIC半导体，SIC半导体上装配有多个支腿，支腿远离SIC半导体的一端一体成型有水平设置的垫脚，垫脚呈扁平的薄片状，且垫脚上装配有预制的焊块，...

本实用新型公开了一种SIC生产加工的倒角装置，属于砂轮领域，一种SIC生产加工的倒角装置，包括工作台，工作台的输出端装配有快插接头，快插接头上装配有内轴杆，内轴杆的外侧滑动连接有外轴杆，内轴杆和外轴杆之间通过相对调节组件连接，外轴杆的外...

本实用新型公开了一种用于SiC生产加工的粘接台面结构，属于碳化硅晶体生长的辅助领域，包括等径环，等径环的上端插接有籽晶托，等径环的内侧沿圆周阵列分布有多个横杆，横杆远离等径环的一端固定安装有导热棒，导热棒靠近籽晶托的一端设置有浮动机构，...

本实用新型公开了一种可加工不同厚度产品的无蜡吸附垫，属于无蜡抛光技术领域，包括主体、凸台装置、软垫片、圆柱板和离型纸，所述主体内设有多个与所述凸台装置一一对应的沉孔，所述软垫片套在凸台装置上，并插入主体的沉孔内紧密配合，所述主体上设有内...

本实用新型公开了一种SIC生产加工的研磨结构，属于碳化硅加工领域，一种SIC生产加工的研磨结构，包括两个研磨模具，两个研磨模具相对的一侧均装配有研磨内壳，两个研磨内壳拼合出一研磨腔，研磨模具的两侧均固定连接有侧板，侧板上设置有震动部和为...

本发明公开了一种提高碳化硅晶体产率的装置，属于SiC半导体晶体生长领域，一种提高碳化硅晶体产率的装置，包括上侧呈开口设置的坩埚主体和装配在坩埚主体上侧的坩埚盖，坩埚主体内部的底部设置有下原料区，坩埚主体内部的中间位置设置有可拆卸的上原料...

本发明公开了一种双面胶膜抛光工艺，属于碳化硅衬底片加工领域，一种双面胶膜抛光工艺，包括以下步骤：S1、装夹片子：取一个待加工的碳化硅衬底片，片子两面分别记为A面与B面，选择一张合适的双面胶膜，贴住片子A面，过盈配合，完成装夹；S2、测量...

本发明公开了一种碳化硅磨削工艺，属于碳化硅领域，一种碳化硅磨削工艺，包括有以下步骤：S1：参数设置，检测碳化硅基体的形状和尺寸，并根据其形状和尺寸对打磨动作的参数进行设置；S2：一次打磨，根据步骤一设置的参数对碳化硅基体进行粗磨处理；S...

本发明公开了一种改善大尺寸碳化硅衬底TTV的加工方法，属于碳化硅衬底TTV领域，一种改善大尺寸碳化硅衬底TTV的加工方法，包括以下步骤：S1：对下抛光盘清理，并摆放游星轮；S2：在游星轮型腔口内划线等分后，将其取下；S3：在指定区域粘贴...