一种双面胶膜抛光工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种双面胶膜抛光工艺，属于碳化硅衬底片加工领域，一种双面胶膜抛光工艺，包括以下步骤：S1、装夹片子：取一个待加工的碳化硅衬底片，片子两面分别记为A面与B面，选择一张合适的双面胶膜，贴住片子A面，过盈配合，完成装夹；S2、测量厚度：将陶瓷盘平放在圆盘状的旋转平台上，片子朝上，正对悬空的光栅传感器，来测出片子的厚度；S3、粗磨开面：然后将陶瓷盘装到单面抛光机上，片子朝下正对单面抛研磨片子，开出基准面，并用滴管持续添加抛光剂；S4、细磨抛光：它可以实现，通过双面胶膜粘住片子和陶瓷盘，不会对片子边沿产生损害，还能节约设置清洗液体蜡的设备的成本。还能节约设置清洗液体蜡的设备的成本。还能节约设置清洗液体蜡的设备的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种双面胶膜抛光工艺


[0001]本专利技术涉及碳化硅衬底片加工领域，更具体地说，涉及一种双面胶膜抛光工艺。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的飞速发展，半导体器件需求也在增加，电流、电压等级越来越高，芯片越薄越小，导通压降低，开关频率高、损耗小等等，硅基半导体由于材料特性所限已经无法满足需求，而以碳化硅等新材料为主的新型半导体材料，以其优越的性能突破硅的瓶颈，给半导体器件性能带来了显著提升；
[0003]现有碳化硅衬底片常用于电力电子等器件上，由基材切割成圆晶片，经抛光，制成衬底片，常见抛光方法有：流体抛光、机器抛光、电解抛光、化学抛光、超声波抛光、磁抛光等，其中机器抛光的难度较小，对环境污染程度低，因而被各大工厂广泛采用；
[0004]目前碳化硅衬底片的抛光工艺大部分都是采用有蜡工艺，都是把片子通过液体蜡固定在陶瓷盘上，然后再放到抛光机上进行机器抛光，这种工艺方式，有以下几个问题：
[0005]1，使用的液体蜡为化学物品，后续的清洗工艺势必要用到更多的化学清洗试剂，对员工的身体及环境有很大影响；
[0006]2，抛光后的片子取放难度较大，以现有的取放方式容易出现碎片或崩边；
[0007]3，设备的投资较大，无论是有蜡贴片设备还是清洗设备，都要增加很多。
[0008]为此我们提出一种双面胶膜抛光工艺。

技术实现思路

[0009]1.要解决的技术问题
[0010]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种双面胶膜抛光工艺，它可以实现，通过双面胶膜粘住片子和陶瓷盘，不会对片子边沿产生损害，还能节约设置清洗液体蜡的设备的成本。
[0011]2.技术方案
[0012]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0013]一种双面胶膜抛光工艺，包括以下步骤：
[0014]S1、装夹片子：取一个待加工的碳化硅衬底片，片子两面分别记为A面与B面，选择一张合适的双面胶膜，贴住片子A面，过盈配合，完成装夹；
[0015]S2、测量厚度：将陶瓷盘平放在圆盘状的旋转平台上，片子朝上，正对悬空的光栅传感器，来测出片子的厚度；
[0016]S3、粗磨开面：然后将陶瓷盘装到单面抛光机上，片子朝下正对单面抛研磨片子，开出基准面，并用滴管持续添加抛光剂；
[0017]S4、细磨抛光：将粗磨开面的片子平放到加热器上，片子被加热，双面胶膜失去黏性，撕下片子，将片子翻面，用双面胶膜粘住片子B面和陶瓷盘，装到单面抛光机上，对片子A面进行细磨，重复上述步骤，再对片子B面进行细磨，以完成片子抛光；
[0018]S5、下料清洗：片子抛光后取下，放到加热器上进行加热，快速下料，再放到水管下冲洗；
[0019]S6、成品检测：最后取清洗完毕的片子，平放在旋转平台上，正对悬空的光栅传感器，用驱动元转动旋转平台，来测出到片子的平均距离L2，成品片子的厚度H7＝H1
‑
L2，与工艺设定参数进行对比，若符合为良品，否则不符合，为次品。
[0020]进一步的，所述步骤S1中片子用气枪贴着表面吹气，进行气流清洗，清除表面的灰尘小颗粒杂质。
[0021]进一步的，所述步骤S1中双面胶膜由特氟龙高温膜作为基布以及涂覆在基布两面的HY106AB胶制成。
[0022]进一步的，所述步骤S1中片子用软质滚筒缓缓挤压，去除与陶瓷盘之间间隙多余的空气，将片子粘牢，软质滚筒外表面环绕粘合橡胶层，且一端转动安装有同轴的摇把。
[0023]进一步的，所述步骤S1中粘牢的片子用剪刀沿陶瓷盘的边缘剪除双面胶膜的多余部分，防止毛边阻碍或遮挡片子。
[0024]进一步的，所述步骤S3中抛光剂由乙二醇、碳化硅颗粒、双氧水和次氯酸按照体积比30:5:2:1的比例配制而成，调节PH值5～9。
[0025]进一步的，所述步骤S3中单面抛光机设定粗磨量H5，摆臂速度5
°
/s，摆动幅度40
°
，磨盘转速20rpm；
[0026]所述步骤S4中单面抛光机设定细磨量H6，摆臂速度3
°
/s，摆动幅度40
°
，磨盘转速30rpm。
[0027]进一步的，所述步骤S3中粗磨磨盘采用油石材质或砂纸材质，低转速时磨削量大，能快速开面；
[0028]所述步骤S4中细磨磨盘采用羊毛轮材质或尼龙轮材质，低转速时磨削量小，使得磨削面较为光滑，有利于提高片子的光洁度。
[0029]进一步的，所述步骤S4中片子被加热到150～200℃，使得双面胶膜和片子失去黏性，双面胶膜不会黏连片子，对片子翻面时造成的拉扯损伤小。
[0030]进一步的，所述步骤S6中水管连接水泵和气泡机，能产生纳米级粒径的气泡，通过带有微纳米气泡的水流平行于片子表面进行冲洗，无需清洗液体蜡。
[0031]3.有益效果
[0032]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
[0033](1)本专利技术通过双面胶膜粘住片子和陶瓷盘，不会对片子边沿产生损害，无需清洗液体蜡，对片子挤压程度小，方便取放片子，由于不使用液体蜡，在清洗时就不会用到去蜡清洗剂等化学清洗剂，明显可以减少环境污染，以及对员工身体的伤害，还能节约设置清洗液体蜡的设备的成本。
[0034](2)本专利技术的双面胶膜由特氟龙高温膜作为基布以及涂覆在基布两面的HY106AB胶制成，其中基布能够在260～300℃的高温环境下长时间工作，而HY106AB胶在超过150℃的环境失去黏性，不会因抛光产生的高温引起变形，粘接牢固性好，质软方便裁剪成型。
[0035](3)本专利技术工作时，粘牢的片子用剪刀沿陶瓷盘的边缘剪除双面胶膜的多余部分，防止毛边阻碍或遮挡片子，还能防止抛光时双面胶膜多余的部分垫起片子的抛光面，方便保持片子抛光的平稳程度。
[0036](4)本专利技术将粗磨开面的片子装到单面抛光机上，通过基准面放平，能够快速找平片子，抛光的精度高，无需反复校准片子的水平位置。
[0037](5)本专利技术通过水管连接水泵和气泡机，气泡机的型号为Micro Star超细气泡发生器，能产生纳米级粒径的气泡，通过带有微纳米气泡的水流平行于片子表面进行冲洗，无需清洗液体蜡，对片子挤压程度小，且方便带走抛光后残留的小颗粒。
附图说明
[0038]图1为本专利技术的工艺流程图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0040]实施例：
[0041]请参阅图1，一种双面胶膜抛光工艺，包括以下步骤：
[0042]S1、装夹片子：取一个待加工的碳化硅衬底片，片子两面分别记为A面与B面，片子用气枪贴着表面吹气，进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面胶膜抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、装夹片子：取一个待加工的碳化硅衬底片，片子两面分别记为A面与B面，选择一张合适的双面胶膜，贴住片子A面，过盈配合，完成装夹；S2、测量厚度：将陶瓷盘平放在圆盘状的旋转平台上，片子朝上，正对悬空的光栅传感器，来测出片子的厚度；S3、粗磨开面：然后将陶瓷盘装到单面抛光机上，片子朝下正对单面抛研磨片子，开出基准面，并用滴管持续添加抛光剂；S4、细磨抛光：将粗磨开面的片子平放到加热器上，片子被加热，双面胶膜失去黏性，撕下片子，将片子翻面，用双面胶膜粘住片子B面和陶瓷盘，装到单面抛光机上，对片子A面进行细磨，重复上述步骤，再对片子B面进行细磨，以完成片子抛光；S5、下料清洗：片子抛光后取下，放到加热器上进行加热，快速下料，再放到水管下冲洗；S6、成品检测：最后取清洗完毕的片子，平放在旋转平台上，正对悬空的光栅传感器，来测出成品片子的厚度，与工艺设定参数进行对比，若符合为良品，否则不符合，为次品。2.根据权利要求1所述的一种双面胶膜抛光工艺，其特征在于：所述步骤S1中片子用气枪贴着表面吹气，进行气流清洗，清除表面的灰尘、小颗粒杂质。3.根据权利要求1所述的一种双面胶膜抛光工艺，其特征在于：所述步骤S1中双面胶膜由特氟龙高温膜作为基布以及涂覆在基布两面的HY106AB胶制成。4.根据权利要求1所述的一种双面胶膜抛光工...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦大勇，杨东风，黄伟山，
申请(专利权)人：无锡弘元半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：