一种SiC粉料高效提纯的方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC粉料高效提纯的方法，本发明专利技术涉及SiC粉料的提纯领域，包括以下操作步骤：S1：准备以下提纯用的材料和设备；S2：碳化硅粉料的称重和放置；S3：石墨硬毡的铺设；S4：测温；S5：碳化硅粉料的纯化处理；S7：碳化硅粉料的称重和对其进行质量损失的检测；S8：碳化硅粉料进行GDMS表征。本发明专利技术所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，本方法工艺简单，碳化硅粉料纯化后的粉料损失量可通过称量并计算而得，碳化硅粉料纯化过后通过GDMS检测直观展示杂质去除效果，同时此方法加热效率高，保温效果好，测温操作便捷，只需改变加热温度与加热时间，工艺简单，纯化效果由GDMS展示，纯化效果直观。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及sic粉料的提纯领域，特别涉及一种sic粉料高效提纯的方法。

技术介绍

1、碳化硅作为宽间隙半导体材料的代表，因其具有优异的性能，一直是研究的焦点，单晶碳化硅具有优良的物理和化学性能，是制造高功率、高温、高频、防辐射装置的理想衬底材料，然而由于难以获得高质量的碳化硅单晶，碳化硅衬底材料的应用受到了限制，所以提高碳化硅晶体的质量是非常重要的，这受多方面因素影响，其中制备工艺对原料的纯度就有严格要求，碳化硅粉末是制备单晶碳化硅的原料，其杂质含量将会严重影响单晶的质量，包括铝、铁等金属元素存在将导致位错缺陷的增殖等，如果直接用工业高纯碳化硅粉末作单晶生长的原料，原料中的杂质会沉积到单晶中形成各种缺陷，有关的缺陷会损害晶格的完整性，从而影响晶格的品质和性质，最终会直接导致后续的单晶生长失败，因此，在单晶生长之前纯化碳化硅粉料源十分重要。

2、以此需要解决工业碳化硅粉料含杂质多的问题、解决现有纯化技术中碳化硅原料流失严重的问题、解决现有碳化硅粉料纯化工艺复杂的问题。

3、因此，提出一种sic粉料高效提纯的方法来解决上述问题很有必本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述包括以下操作方法：

2.根据权利要求1所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步骤S1中，底部支撑(08)固定连接在坩埚(05的底部，所述温度测量窗口(03)固定连接在坩埚(05)的顶部，所述温度测量窗口(03)的尺寸和温度计(01)的尺寸相适配，所述坩埚(05)放置在石英管(04)的内腔中，所述线圈(02)缠绕在石英管(04)的外壁，所述石墨硬毡(06)放置在石英管(04)的内腔中，所述石墨硬毡(06)包裹在坩埚(05)的外壁。

3.根据权利要求1所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步...

【技术特征摘要】

1.一种sic粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述包括以下操作方法：

2.根据权利要求1所述的一种sic粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步骤s1中，底部支撑(08)固定连接在坩埚(05的底部，所述温度测量窗口(03)固定连接在坩埚(05)的顶部，所述温度测量窗口(03)的尺寸和温度计(01)的尺寸相适配，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东风，张义，孙晓晓，
申请(专利权)人：无锡弘元半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：