【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic粉料的提纯领域，特别涉及一种sic粉料高效提纯的方法。
技术介绍
1、碳化硅作为宽间隙半导体材料的代表，因其具有优异的性能，一直是研究的焦点，单晶碳化硅具有优良的物理和化学性能，是制造高功率、高温、高频、防辐射装置的理想衬底材料，然而由于难以获得高质量的碳化硅单晶，碳化硅衬底材料的应用受到了限制，所以提高碳化硅晶体的质量是非常重要的，这受多方面因素影响，其中制备工艺对原料的纯度就有严格要求，碳化硅粉末是制备单晶碳化硅的原料，其杂质含量将会严重影响单晶的质量，包括铝、铁等金属元素存在将导致位错缺陷的增殖等，如果直接用工业高纯碳化硅粉末作单晶生长的原料，原料中的杂质会沉积到单晶中形成各种缺陷，有关的缺陷会损害晶格的完整性，从而影响晶格的品质和性质，最终会直接导致后续的单晶生长失败，因此，在单晶生长之前纯化碳化硅粉料源十分重要。
2、以此需要解决工业碳化硅粉料含杂质多的问题、解决现有纯化技术中碳化硅原料流失严重的问题、解决现有碳化硅粉料纯化工艺复杂的问题。
3、因此，提出一种sic粉料高效提纯的方法来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种sic粉料高效提纯的方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种sic粉料高效提纯的方法，所述包括以下操作方法：
4、s1：准备以下提纯用的材料和设备：所述材料包括温度计、线圈、温度测量窗
5、s2：取出坩埚，称量碳化硅粉料，将碳化硅粉料均匀地铺设在坩埚的内腔中；
6、s3：将装好碳化硅粉料的坩埚放入石英管中，放置时坩埚的四周放入石墨硬毡并在坩埚的底部放入底部支撑；
7、s4：温度计通过坩埚上方的中央保留的温度测量窗口来测量温度；
8、s5：将碳化硅粉料加热到1000℃，并在真空状态下持续3小时；
9、s6：s5步骤的的保温结束时，通氩气，使坩埚的内部气压保持在30-50kpa，然后将坩埚内部的温度提高到1500℃，持续5小时；
10、s7：s6步骤结束后，将坩埚内部的温度升至2000-2200℃，持续15-30小时；
11、s8：在最后阶段，热保存阶段之后，温度逐渐降低到室温；
12、s9：取出纯化后的碳化硅粉料，称重，观察外形，对其进行质量损失的检测；
13、s10：取纯化后的碳化硅粉料进行gdms表征，并对纯化后的碳化硅粉料进行铁、铝、铍、钛、钠、钴含量的检测。
14、优选的，所述步骤s1中，底部支撑固定连接在坩埚的底部，所述温度测量窗口固定连接在坩埚的顶部，所述温度测量窗口的尺寸和温度计的尺寸相适配，所述坩埚放置在石英管的内腔中，所述线圈缠绕在石英管的外壁，所述石墨硬毡放置在石英管的内腔中，所述石墨硬毡包裹在坩埚的外壁。
15、优选的，所述步骤s1中，碳化硅粉料的质量为1000g。
16、有益效果
17、与现有技术相比，本专利技术提供了一种sic粉料高效提纯的方法，具备以下有益效果：
18、1、该sic粉料高效提纯的方法，本方法采用自行设计的中频感应加热炉，具有加热效率高的优点，石墨坩埚在惰性气体中，能够有效地防止环境中的其他杂质污染，加热炉运行在封闭式箱体内，减小了纯化过程产生危险的可能性，工业碳化硅粉末中的杂质大量挥发，纯化效果好，去除杂质的同时，减少碳化硅粉料的流失，可直接通过测温窗口测得坩埚的温度，纯化工艺只需要改变加热时间与加热温度，工艺简单，碳化硅粉料纯化后的粉料损失量可通过称量并计算而得，碳化硅粉料纯化过后通过gdms检测直观展示杂质去除效果，同时此方法加热效率高，保温效果好，测温操作便捷，只需改变加热温度与加热时间，工艺简单，纯化效果由gdms展示，纯化效果直观。
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1.一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述包括以下操作方法：
2.根据权利要求1所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步骤S1中，底部支撑(08)固定连接在坩埚(05的底部，所述温度测量窗口(03)固定连接在坩埚(05)的顶部，所述温度测量窗口(03)的尺寸和温度计(01)的尺寸相适配，所述坩埚(05)放置在石英管(04)的内腔中，所述线圈(02)缠绕在石英管(04)的外壁，所述石墨硬毡(06)放置在石英管(04)的内腔中，所述石墨硬毡(06)包裹在坩埚(05)的外壁。
3.根据权利要求1所述的一种SiC粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步骤S1中，碳化硅粉料(07)的质量为1000g。
【技术特征摘要】
1.一种sic粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述包括以下操作方法：
2.根据权利要求1所述的一种sic粉料高效提纯的方法，其特征在于：所述步骤s1中，底部支撑(08)固定连接在坩埚(05的底部，所述温度测量窗口(03)固定连接在坩埚(05)的顶部，所述温度测量窗口(03)的尺寸和温度计(01)的尺寸相适配，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨东风，张义，孙晓晓，
申请(专利权)人：无锡弘元半导体材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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