一种碳化硅晶体生长炉下盖总成制造技术

技术编号:39757308 阅读:16 留言:0更新日期:2023-12-22 02:16
本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,涉及碳化硅晶体生长炉技术领域,包括炉体下盖,炉体下盖的底部固定连接有盖板,炉体下盖的一侧设有抽气口,盖板的轴心位置贯穿设有转轴,转轴通过轴套固定连接在盖板上;盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构;转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘,托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长炉下盖总成


[0001]本技术属于碳化硅晶体生长炉
,具体涉及一种碳化硅晶体生长炉下盖总成


技术介绍

[0002]碳化硅晶体生长炉在晶体生长过程中,通过外部的高频线圈加热坩埚,使坩埚内的原料分解成气体挥发到坩埚顶部的籽晶区域结晶生成所需要的碳化硅晶体,传统的生长炉通常将坩埚静置的设置在炉体内,通入惰性保护气体,通过原料的升华,直接生成结晶,由于受热不均,原料区域气化的升华量有所不同,往往会导致生成的结晶品质参差不齐,一致性差,为此,我们提出了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成


技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在坩埚受热不均,易导致生成的结晶品质参差不齐,一致性差的缺点,而提出的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成

该碳化硅晶体生长炉下盖总成可使碳化硅晶体生长原料受热更加均匀,使原料区域气化量保持一致,通过连续不断的旋转升华堆叠,可有效提高结晶的一致性,从而提高碳化硅晶体的结晶品质

[0004]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0005]设计一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,包括炉体下盖,所述炉体下盖的底部固定连接有盖板,炉体下盖的一侧设有抽气口,所述盖板的轴心位置贯穿设有转轴,所述转轴通过轴套固定连接在所述盖板上;所述盖板的下方固定设有用于所述转轴旋转的驱动机构;所述转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘,所述托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管

[0006]进一步的,所述炉体下盖的顶部设有与炉体对接的法兰,所述法兰的外侧设有环状的固定板

[0007]进一步的,所述驱动机构包括减速电机

主动齿盘和从动齿盘,所述主动齿盘固定设置在减速电机的输出轴上,所述从动齿盘固定设置在从动齿盘上,所述从动齿盘与主动齿盘相啮合,所述盖板的下方通过连接杆固定设有安装板,所述减速电机固定设置在安装板上

[0008]进一步的,所述托盘的顶部固定设有石墨垫板,所述石墨垫板的顶部设有用于固定所述石英管的卡槽

[0009]进一步的,所述石墨垫板的周向上设有多个向内凹陷的凹槽

[0010]进一步的,所述石墨坩埚的底部设有与石英管匹配的底垫,所述底垫可插接在石英管上

[0011]进一步的,所述托盘的轴心线上竖直固定设有支撑杆,所述石墨坩埚插接在支撑杆内,石墨坩埚的底部设有与支撑杆外径适配的开孔

[0012]本技术提出的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,有益效果在于:本技术
可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转,旋转后的坩埚一方面可使内部原料在接收外部高频线圈加热时,受热更加均匀,使原料区域气化的量保持一致,另一方面可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域,连续不断的这种旋转升华堆叠,可有效提高结晶的一致性,从而提高碳化硅晶体的结晶品质

附图说明
[0013]附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制

在附图中:
[0014]图1是本技术的立体结果示意图;
[0015]图2是本技术的内部结构示意图;
[0016]图3是本技术的内部立体结构示意图
(
不含炉体下盖和石墨坩埚
)

[0017]图4是本技术与炉体的装配示意图;
[0018]图中标记为:
1、
炉体下盖;
11、
抽气口;
12、
法兰;
13、
固定板;
2、
盖板;
3、
转轴;
4、
轴套;
5、
减速电机;
51、
主动齿盘;
52、
从动齿盘;
53、
安装板;
54、
连接杆;
6、
托盘;
61、
石墨垫板;
62、
卡槽;
63、
凹槽;
64、
支撑杆;
7、
石英管;
8、
石墨坩埚;
81、
底垫

具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚

完整地描述;显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围

[0020]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶
/
底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位

以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制

[0021]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“套设
/
接”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通

对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义

[0022]现结合说明书附图,详细说明本技术的结构特点

[0023]参见图1‑4,一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,包括炉体下盖1,炉体下盖1的底部固定连接有盖板2,盖板2与炉体下盖1连接形成一体结构,炉体下盖1内部形成真空室,炉体下盖1的一侧设有抽气口
11
,抽气口
11
用于将炉体内抽成真空状态,炉体下盖1的顶部设有与炉体对接的法兰
12
,法兰
12
的外侧设有环状的固定板
13
,固定板
13
用于将炉体下盖1固定在操作台上,盖板2的轴心位置贯穿设有转轴3,转轴3通过轴套4固定连接在盖板2上,在轴套4的固定下,转轴3可在炉体下盖1的轴心线上转动,为了能使转轴3朝一个方向连续转动,在盖板2的下方固定设有用于转轴3旋转的驱动机构

该驱动机构包括减速电机
5、
主动齿盘
51
和从动齿盘
52
,主动齿盘
51
固定设置在减速电机5的输出轴上,从动齿盘
52
固定设置在从...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,包括炉体下盖
(1)
,所述炉体下盖
(1)
的底部固定连接有盖板
(2)
,炉体下盖
(1)
的一侧设有抽气口
(11)
,其特征在于,所述盖板
(2)
的轴心位置贯穿设有转轴
(3)
,所述转轴
(3)
通过轴套
(4)
固定连接在所述盖板
(2)
上;所述盖板
(2)
的下方固定设有用于所述转轴
(3)
旋转的驱动机构;所述转轴
(3)
位于炉体下盖
(1)
内的一端上固定设有托盘
(6)
,所述托盘
(6)
上固定设有用于放置石墨坩埚
(8)
的石英管
(7)。2.
根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,其特征在于,所述炉体下盖
(1)
的顶部设有与炉体对接的法兰
(12)
,所述法兰
(12)
的外侧设有环状的固定板
(13)。3.
根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,其特征在于,所述驱动机构包括减速电机
(5)、
主动齿盘
(51)
和从动齿盘
(52)
,所述主动齿盘
(51)
固定设置在减速电机
(5)
的输出轴上,所述从动齿盘
(52)
固定设置在从动齿盘
(5...

【专利技术属性】
技术研发人员:于永澔李光
申请(专利权)人:南京宏泰晶智能装备科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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