【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长炉下盖总成
[0001]本技术属于碳化硅晶体生长炉
,具体涉及一种碳化硅晶体生长炉下盖总成
。
技术介绍
[0002]碳化硅晶体生长炉在晶体生长过程中,通过外部的高频线圈加热坩埚,使坩埚内的原料分解成气体挥发到坩埚顶部的籽晶区域结晶生成所需要的碳化硅晶体,传统的生长炉通常将坩埚静置的设置在炉体内,通入惰性保护气体,通过原料的升华,直接生成结晶,由于受热不均,原料区域气化的升华量有所不同,往往会导致生成的结晶品质参差不齐,一致性差,为此,我们提出了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成
。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在坩埚受热不均,易导致生成的结晶品质参差不齐,一致性差的缺点,而提出的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成
。
该碳化硅晶体生长炉下盖总成可使碳化硅晶体生长原料受热更加均匀,使原料区域气化量保持一致,通过连续不断的旋转升华堆叠,可有效提高结晶的一致性,从而提高碳化硅晶体的结晶品质
。
[0004]为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:
[0005]设计一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,包括炉体下盖,所述炉体下盖的底部固定连接有盖板,炉体下盖的一侧设有抽气口,所述盖板的轴心位置贯穿设有转轴,所述转轴通过轴套固定连接在所述盖板上;所述盖板的下方固定设有用于所述转轴旋转的驱动机构;所述转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘,所述托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管
。
[0006]进一步
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,包括炉体下盖
(1)
,所述炉体下盖
(1)
的底部固定连接有盖板
(2)
,炉体下盖
(1)
的一侧设有抽气口
(11)
,其特征在于,所述盖板
(2)
的轴心位置贯穿设有转轴
(3)
,所述转轴
(3)
通过轴套
(4)
固定连接在所述盖板
(2)
上;所述盖板
(2)
的下方固定设有用于所述转轴
(3)
旋转的驱动机构;所述转轴
(3)
位于炉体下盖
(1)
内的一端上固定设有托盘
(6)
,所述托盘
(6)
上固定设有用于放置石墨坩埚
(8)
的石英管
(7)。2.
根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,其特征在于,所述炉体下盖
(1)
的顶部设有与炉体对接的法兰
(12)
,所述法兰
(12)
的外侧设有环状的固定板
(13)。3.
根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成,其特征在于,所述驱动机构包括减速电机
(5)、
主动齿盘
(51)
和从动齿盘
(52)
,所述主动齿盘
(51)
固定设置在减速电机
(5)
的输出轴上,所述从动齿盘
(52)
固定设置在从动齿盘
(5...
【专利技术属性】
技术研发人员:于永澔,李光,
申请(专利权)人:南京宏泰晶智能装备科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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