本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括供气转轴和轴套，供气转轴与炉下盖共轴设置，炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置，供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部，延伸至石墨坩埚内，供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道，供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔，轴套对应第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔，第二通孔上连接有供气嘴，供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔，供气孔斜向延伸与供气通道相连通。本实用新型专利技术可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。提高碳化硅晶锭生长的品质。提高碳化硅晶锭生长的品质。
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置
[0001]本技术属于碳化硅晶体生长炉
，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置。
技术介绍
[0002]碳化硅晶体生长炉在晶体生长过程中，炉体内需要抽真空，通入保护气体(惰性气体)，碳化硅粉料在2000℃以上的高温下升华气态分子，保护气与这些气态分子在温度梯度作用下会传输到石墨坩埚顶部的籽晶面上重新结晶生长出碳化硅晶锭，在这一过程中，会不断往炉体内通入保护气体，保护气传统的通入方法，是在炉体底部一侧开设有惰性气体的入口，采用这种供气结构，由于气流一般采用水平通入，保护气在坩埚内会产生较为严重的径向流动，使坩埚内上升的气流紊乱，易导致籽晶面上重新结晶出来的碳化硅晶锭一致性差，为此，我们提出了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在坩埚内上升的气流较为紊乱，易导致籽晶面上重新结晶出来的碳化硅晶锭一致性差的缺点，而提出的一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置。本技术可将保护气直接输送至坩埚内作为载气，可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]设计一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，包括供气转轴和轴套，所述供气转轴通过轴套固定在炉下盖的底部，所述供气转轴与炉下盖共轴设置，炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置；所述供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部，延伸至石墨坩埚内，所述供气转轴上固定设有用于放置石墨坩埚的托盘；所述供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道，所述供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔，所述第一通孔与所述供气通道相连通，所述轴套对应所述第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔，所述第二通孔上连接有供气嘴；所述供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔，所述供气孔斜向延伸与所述供气通道相连通。
[0006]进一步的，所述驱动装置包括减速电机，所述减速电机固定在安装板上，所述安装板通过连杆固定安装在炉下盖的底部，所述减速电机的输出轴上固定设有主动齿盘，所述供气通道对应主动齿盘的位置固定设有从动齿盘，所述从动齿盘与主动齿盘相啮合。
[0007]进一步的，所述石墨坩埚的底部设有与所述供气转轴尺寸大小相适配的孔。
[0008]进一步的，所述供气转轴的外侧沿轴向设有环形通气槽，所述第一通孔的一端与所述环形通气槽相连通。
[0009]进一步的，所述供气转轴轴截面两侧的供气孔构成V型结构。
[0010]本技术提出的一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，有益效果在于：本
技术采用炉底进气，可将保护气直接输送至坩埚内作为载气，可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。
[0011]具体地：本技术通过在炉底设置供气转轴，供气转轴一方面可带动炉内石墨坩埚旋转，另一方面可为石墨坩埚内部提供一个竖直向上的载气气流，使石墨坩埚内部升华的碳化硅气态分子随气流一起向上运动，可减少石墨坩埚内部产生横向气流，确保了石墨坩埚内部气流的稳定性。
附图说明
[0012]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0013]图1是本技术的结构示意图；
[0014]图2是本技术位于炉体内的示意图；
[0015]图3是图1中关于点A的放大示意图；
[0016]图4是本技术中关于供气转轴与驱动装置的装配示意图；
[0017]图中标记为：1、供气转轴；11、供气通道；12、环形通气槽；13、第一通孔；14、内螺纹孔；15、供气孔；2、轴套；21、第二通孔；3、供气嘴；4、炉下盖；5、石墨坩埚；51、托盘；6、减速电机；7、安装板；8、连杆；9、主动齿盘；10、从动齿盘。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0021]现结合说明书附图，详细说明本技术的结构特点。
[0022]实施例1
[0023]参见图1
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4，一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，包括供气转轴1和轴套2，供气转轴1通过轴套2固定在炉下盖4的底部，在轴套2的作用下，供气转轴1可在炉下盖4的底部旋转，供气转轴1与炉下盖4共轴设置，炉下盖4的下方固定有用于供气转轴1转动的驱动装置，驱动装置包括减速电机6，减速电机6固定在安装板7上，安装板7通过连杆8固定安
装在炉下盖4的底部，减速电机6的输出轴上固定设有主动齿盘9，供气通道11对应主动齿盘9的位置固定设有从动齿盘10，从动齿盘10与主动齿盘9相啮合。供气转轴1由减速电机6的驱动，并可朝向一侧连续转动。
[0024]供气转轴1的顶端贯穿炉下盖4的底部，延伸至石墨坩埚5内，石墨坩埚5的底部设有与供气转轴1尺寸大小相适配的孔。供气转轴1的顶部穿过石墨坩埚5底部的孔，可延伸到石墨坩埚5内部，供气转轴1上固定设有用于放置石墨坩埚5的托盘51，托盘51与供气转轴1固定连接，当供气转轴1被驱动旋转后，托盘51会跟随一起旋转，从而实现石墨坩埚5的旋转。供气转轴1的轴心线上设有两端封闭的供气通道11，供气转轴1位于轴套2内的轴截面上设有多个第一通孔13，第一通孔13与供气通道11相连通，轴套2对应第一通孔13的位置设有贯穿的第二通孔21，第二通孔21上连接有供气嘴3，供气嘴3连接保护气供应装置，该保护气供应装置一般为惰性气体存储瓶。当供气转轴1被驱动旋转后，在旋转过程中，每当第二通孔21与第一通孔13对接时，便可使供气通道11与供气嘴3相连通，从而实现供气嘴3向供气通道11内进行间断本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，包括供气转轴(1)和轴套(2)，其特征在于，所述供气转轴(1)通过轴套(2)固定在炉下盖(4)的底部，所述供气转轴(1)与炉下盖(4)共轴设置，炉下盖(4)的下方固定有用于供气转轴(1)转动的驱动装置；所述供气转轴(1)的顶端贯穿炉下盖(4)的底部，延伸至石墨坩埚(5)内，所述供气转轴(1)上固定设有用于放置石墨坩埚(5)的托盘(51)；所述供气转轴(1)的轴心线上设有两端封闭的供气通道(11)，所述供气转轴(1)位于轴套(2)内的轴截面上设有多个第一通孔(13)，所述第一通孔(13)与所述供气通道(11)相连通，所述轴套(2)对应所述第一通孔(13)的位置设有贯穿的第二通孔(21)，所述第二通孔(21)上连接有供气嘴(3)；所述供气转轴(1)的顶部沿周向设有多个供气孔(15)，所述供气孔(15)斜向延伸与所述供气通道(11)相连通。2.根据权利要求1所述的一种碳...
【专利技术属性】
技术研发人员：于永澔，李光，
申请(专利权)人：南京宏泰晶智能装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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