【技术实现步骤摘要】
一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置
[0001]本专利技术属于碳化硅晶体生长炉
，具体涉及一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置。
技术介绍
[0002]目前，碳化硅晶体制备通常在碳化硅晶体生长炉内生长得到，在晶体生长过程中，炉体内需要抽真空，通入保护气体(惰性气体)，碳化硅粉料在2000℃以上的高温下升华气态分子，保护气与这些气态分子在温度梯度作用下会传输到石墨坩埚顶部的籽晶面上重新结晶生长出碳化硅晶锭，传统的碳化硅晶体生长炉受坩埚顶部面积的限制，往往只能生长单块碳化硅晶锭，无法一次性生长多块碳化硅晶锭，导致碳化硅晶锭生产效率低，另外，炉体内惰性气体的不断通入，会在坩埚顶部形成涡流，易导致籽晶外侧的气流紊乱，使先后升华的气态分子混合，导致生长出来的碳化硅晶锭品质一致性差，为此，我们提出了一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在无法一次性生长多个碳化硅晶锭，生长出来的碳化硅晶锭品质一致性差的缺点，而提出的一种多个碳化硅晶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多个碳化硅晶体生长装置，包括操作台(1)，所述操作台(1)上设有碳化硅晶体生长炉，其特征在于，所述碳化硅晶体生长炉由上炉体(3)和下炉体(2)组成，所述下炉体(2)固定设置在操作台(1)上，所述上炉体(3)以对接的方式设置在下炉体(2)上，所述上炉体(3)的一侧设有第一升降机构，所述上炉体(3)的外侧套设有高频加热线圈(33)，所述高频加热线圈(33)固定设置在第一升降机构上；所述下炉体(2)的底部固定设有下炉盖(21)，所述下炉盖(21)的轴心线上转动连接有供气杆(4)，所述供气杆(4)通过轴套(41)固定在下炉盖(21)上，供气杆(4)的底部设有旋转驱动装置；所述供气杆(4)的内部沿轴向设有贯穿的供气通道(43)，所述轴套(41)的一侧固定设有供气嘴(44)，所述供气嘴(44)与供气通道(43)相连通；所述供气杆(4)上固定设有坩埚放置架(42)，所述石墨坩埚(5)放置在所述坩埚放置架(42)上，所述供气杆(4)的顶部延伸至石墨坩埚(5)内；所述上炉体(3)的顶部设有上炉盖(6)，所述上炉盖(6)的下部固定设有管状结构的晶体生长管(7)，所述晶体生长管(7)的底部沿周向倾斜设有多个晶体生长载面(71)，每个所述晶体生长载面(71)上均设有籽晶槽(72)；所述晶体生长管(7)内对应所述籽晶槽(72)的位置固定设有环状结构的降温管(73)；所述晶体生长管(7)的外侧设有密封管(8)，所述密封管(8)的外径尺寸与所述石墨坩埚(5)的内径尺寸相适配，所述密封管(8)内设有冷却腔(81)；所述上炉盖(6)上固定设有进液管(64)和出液管(65)，所述进液管(64)与出液管(65)之间依次连接降温管(73)和冷却腔(81)；所述密封管(8)与晶体生长管(7)之间形成结晶区(9)，所述密封管(8)的顶部周向上设有多个排气孔(91)，所述排气孔(91)与结晶区(9)连通。2.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述上炉体(3)与下炉体(2)对接的一端分别设有上对接法兰(23)和下对接法兰(34)，所述上对接法兰(23)以嵌入的方式插接在下对接法兰(34)上。3.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一升降机构包括第一丝杆升降驱动装置(31)，所述第一丝杆升降驱动装置(31)固定设置在操作台(1)上，第一丝杆升降驱动装置(31)的输出端上固定设有固定架(32)，所述固定架(32)固定设置在上炉体(3)的外侧，所述高频加热线圈(33)固定设置在固定架(32)上。4.根据权利要求1所述的一种多个碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述旋转驱动装置包括旋转驱动电机(48)，所述旋转驱动电机(48)通过吊架(47)固定在所述下炉盖(21)上，所述旋转驱动电机(48)的输出轴通...
【专利技术属性】
技术研发人员：于永澔，李光，
申请(专利权)人：南京宏泰晶智能装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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