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本发明公开了一种多个碳化硅晶体生长的制备方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长炉技术领域，包括操作台，操作台上设有碳化硅晶体生长炉，碳化硅晶体生长炉由上炉体和下炉体组成，上炉体的外侧套设有高频加热线圈，下炉体的底部固定设有下炉盖，下炉盖的轴心线...
该专利属于南京宏泰晶智能装备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京宏泰晶智能装备科技有限公司授权不得商用。

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