一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅生长装置包括生长坩埚、加热装置、籽晶定位盖、定位架、称重装置和承载连接件，将籽晶定位盖通过承载连接件与称重装置连接，并且籽晶定位盖与生长坩埚间隙配合，从而避免了生长坩埚对籽晶定位盖的支撑，并且称重装置能够通过承载连接件吊装籽晶定位盖，使得籽晶定位盖、籽晶和生长的碳化硅晶体能够仅仅作用在称重装置上，通过称重装置实时对籽晶定位盖、籽晶和碳化硅晶体的重量进行测量，而籽晶定位盖和籽晶的重量固定，进而实现了对碳化硅晶体的重量的实时精准测量，并能够借此实现工艺调整，提升碳化硅晶体生长质量。提升碳化硅晶体生长质量。提升碳化硅晶体生长质量。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体


[0001]本专利技术涉及碳化硅晶体生长
，具体而言，涉及一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为新兴的第三代半导体核心材料，具有宽禁带、高临界击穿电场强度、高电子迁移率以及良好的抗辐照性和化学稳定性等优异性，这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料，在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景。
[0003]目前主要用物理气相输运法（PVT）生长碳化硅晶体，然而，经专利技术人研究发现，现有技术中的生长装置，多是采用坩埚盖粘接籽晶后将坩埚盖固定在坩埚上，从而形成封闭的“黑盒”结构，难以获取内部晶体的生长情况，对于长晶的速率和重量难以监控。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体，其能够直接对生长晶体的重量进行测量，对于长晶的速率和重量实现精准监控，并能够借此实现工艺调整，提升碳化硅晶体生长质量。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括：生长坩埚（110），所述生长坩埚（110）具有一开口（111），并用于容纳碳化硅粉料；加热装置（120），所述加热装置（120）设置在所述生长坩埚（110）周围，用于加热所述生长坩埚（110）；籽晶定位盖（130），所述籽晶定位盖（130）设置在所述开口（111）处，并与所述开口（111）的边缘间隙配合，所述籽晶定位盖（130）的底侧粘接有籽晶（131），所述籽晶（131）用于生长碳化硅晶体；定位架（140），所述定位架（140）至少部分延伸至所述生长坩埚（110）上方；称重装置（150），所述称重装置（150）固定设置在所述定位架（140）延伸至所述生长坩埚（110）上方的部分；承载连接件（160），所述承载连接件（160）的一端与所述籽晶定位盖（130）的顶侧连接，另一端与所述称重装置（150）连接；其中，所述称重装置（150）用于通过所述承载连接件（160）吊装所述籽晶定位盖（130），并实时对所述籽晶定位盖（130）、所述籽晶（131）和所述碳化硅晶体的重量进行测量。2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述籽晶定位盖（130）与所述开口（111）的边缘之间的间隙在0.1mm
‑
10mm之间。3.根据权利要求2所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述籽晶定位盖（130）的边缘还设置有折弯挡帘（132），所述折弯挡帘（132）遮挡所述籽晶定位盖（130）与所述开口（111）的边缘之间的间隙。4.根据权利要求3所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述折弯挡帘（132）的边缘与所述生长坩埚（110）密封接合，并能够相对所述生长坩埚（110）滑动。5.根据权利要求3所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述籽晶定位盖（130）的直径大于所述开口（111）的内径，且所述籽晶定位盖（130）设置在所述开口（111）上方，所述籽晶定位盖（130）的边缘与所述开口（111）的边缘对应且间隙配合，所述折弯挡帘（132）罩设在所述生长坩埚（110）的顶端外侧，并与所述生长坩埚（110）的外壁间隙配合。6.根据权利要求3所述的碳化硅生长装置，其特征在于，所述籽晶定位盖（130）的直径小于所述开口（111）的内径，且所述籽晶定位盖（130）设置在所述开口（111）内，所述籽晶定位盖（130）的边缘与...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴音图，胡明理，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：