一种SiC长晶设备制造技术

本发明专利技术公开了一种SiC长晶设备，包括机架、设置于机架上的抽真空筒、置于所述抽真空筒顶部的密封机构、套设在所述抽真空筒外部的晶体生长感应器、为所述抽真空筒提供真空度的抽真空组件、以及用于检测所述抽真空筒内部温度的测温组件、用于检测所述抽真空筒内部真空度的测真空组件；其中所述晶体生长感应器通过升降轴组件调节升降。本申请中SIC长晶设备，其中通过根据对测温组件对其抽真空筒的内部进行温度检测，便于根据升降调节机构调节晶体生长感应器的位置高度，从而使得SIC长晶良率高，设备稳定性好；并且结构紧凑，占用空间少；另外所需成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC长晶设备


[0001]本专利技术涉及SiC长晶设备
，具体为一种SiC长晶设备。

技术介绍

[0002]目前一种已知的长晶炉设备，主要包含：一炉桶本体，该炉体周围设置环型加热线圈、位于下加热器下方的测温组件。
[0003]根据申请号 CN202110061860.6公开了一种晶体制备装置，包括：长晶炉，长晶炉包括绝热炉壁、坩埚主体和中频加热线圈，绝热炉壁围成一生长腔室，坩埚主体设置于生长腔室内，中频加热线圈绕置于坩埚主体外围，坩埚主体用于盛装待结晶的SiC原料；绝热炉壁上部设置有用于密封生长腔室的绝热滑动盖体，绝热滑动盖体的轴线方向穿过一SiC籽晶夹具，一端位于生长腔室内，另一端位于生长腔室外，并部分伸入至一散热通道中；不仅能够防止碳化硅原料表面的碳化现象，还能防止由感应磁场波动所导致加热温度超过籽晶或生成的碳化硅单晶的升华温度所造成的生成的碳化硅晶体消耗，另外还可以有效避免碳化硅原料中的大颗粒金属杂质以及硅包裹体等对最后生成的碳化硅单晶所造成的缺陷；根据专利 CN202222061868.5公开了一种新型长晶炉温度测试装置，包括炉体、加热内筒和盖板，所述加热内筒镶嵌在炉体内部，所述盖板可拆卸连接在加热内筒的顶部开口端位置；所述炉体侧壁开设有装配孔，且装配孔延伸至加热内筒的内表面，所述加热内筒内壁复合有保温毡防护板；所述装配孔的开口位置固定连接装配块，所述装配块表面的插孔位置插接有铂系热电偶传感器检测头。此种温度测量方法不受Sic蒸发气体堵塞排气孔的影响，可以完整工艺过程监控坩埚温度。根据大量数据的总结，可以推出坩埚实际温度与热场表面的关系，因此能够测量得到坩埚实际温度，可以在工艺过程中全程监控坩埚温度，对控制长晶工艺提供有效依据。
[0004]以上装置通过加热器、氩气流动装置、保温与降温装置产生复杂的交互作用使硅融化、硅成长和硅退火来完成多晶硅的铸造。然而一般加热器设计在炉体上方与侧向，其缺点与问题在于炉体热场内的对流在晶碇(ingot)底部较差，容易在底部沉积碳化硅(SiC)，需底切晶碇底部较多的部分，容易影响产出晶碇的长度，若将加热器设计在头部、底部与侧向，其缺点在于侧向加热器功率较小，对晶碇(ingot)中间对流影响有限，然而要提高侧向加热器效率，必增大侧向的加热面积，将大幅影响晶碇产出的尺寸大小，为了响应长晶炉内热场最佳化与解决上述问题，设计一种可变化的加热器与加热元件的长晶炉，有其发展的必要性与优势。因此，本专利技术提供一种新的方案来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种SiC长晶设备，解决当前设备的SIC长晶速率慢和良品率低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供了一种SiC长晶设备，包括机架、设置于机架上的抽真空筒、置于所述
抽真空筒顶部的密封机构、套设在所述抽真空筒外部的晶体生长感应器、为所述抽真空筒提供真空度的抽真空组件、以及用于检测所述抽真空筒内部温度的测温组件、用于检测所述抽真空筒内部真空度的测真空组件；其中所述晶体生长感应器通过升降轴组件调节升降。
[0007]进一步的，所述机架的顶部设置有上安装板，所述抽真空筒的顶部设置在所述上安装板上，并在所述上安装板上设置有正对所述抽真空筒上开口的密封机构；所述抽真空筒的底部通过下底板设置在所述机架上，所述下底板与所述机架的底部预留有竖向间隙。
[0008]再进一步的，所述密封机构包括位于抽真空筒上开口两侧的滑块导轨、限位设置在所述滑块导轨上的安装座、分别固定在所述安装座上的第一双联气缸和第二双联气缸、与所述双联气缸的伸缩端连接的压紧支撑板、设置在所述压紧支撑板底部并与所述抽真空筒上开口适配的上盖板。
[0009]再进一步的，所述测温组件包括设置在所述压紧支撑板上的上测温组件和设置在所述下底板上的下测温组件；其中在所述压紧支撑板上开设有测温口，所述上测温组件通过测温传感器安装支架安装在所述测温口处，并用于从抽真空筒的顶部进行检测其内部温度。
[0010]再进一步的，其中在所述上安装板与所述下底板之间安装有多个竖向的导向轴，所述导向轴位于所述抽真空筒的外部；在所述抽真空筒上通过直线轴承设置有调整组架支撑件；在所述调整组架支撑件上设置有晶体生长感应器；所述调整组架支撑件通过升降轴组件调节升降，从而带动所述晶体生长感应器沿着所述抽真空筒轴向升降调节；所述升降轴组件包括丝杠支座、设置在丝杠支座上的滚珠丝杆、设置在所述滚珠丝杆上的锁紧螺母、以及用于调节所述滚珠丝杆转动的调节手轮或丝杠电机。
[0011]再进一步的，所述晶体生长感应器包括线圈固定组架、设置在所述线圈固定组架上的感应线圈、连接所述感应线圈的连接铜排以及水管接头；其中所述水管接头用于连通冷却水源。
[0012]再进一步的，在所述抽真空筒的底部或侧壁设置有测真空组件。
[0013]再进一步的，所述机架的侧壁设置有设备封板，其底部设置有多个脚杯和脚轮。
[0014]再进一步的，所述抽真空组件连接所述抽真空筒的抽真空泵和气源三联件。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果：本申请中SIC长晶设备，其中通过根据对测温组件对其抽真空筒的内部进行温度检测，便于根据升降调节机构调节晶体生长感应器的位置高度，从而使得SIC长晶良率高，设备稳定性好；并且结构紧凑，占用空间少；成本较低。
附图说明
[0016]下面结合附图说明对本专利技术作进一步说明。
[0017]图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术的侧视结构示意图。
[0018]附图标记：
1、导向轴，2、上安装板，3、滑块导轨，4、第一双联气缸，5、测温传感器安装支架，6、上测温组件，7、测温口，8、压紧支撑板，9、第二双联气缸，10、上盖板，11、炉顶上顶盖，12、安装座，13、焊接支架，14、调整组架支撑件，15、直线轴承，16、晶体生长感应器，17、感应线圈，18、线圈固定组架，19、连接铜排，20、水管接头，21、测真空组件，22、脚杯，23、脚轮，24、下测温组件，25、测温仪显示器，26、抽真空组件，27、气源三联件，28、电气安装板，29、升降轴组件，30、丝杆螺母，31、滚珠丝杆，32、锁紧螺母，33、调节手轮，34、设备封板，35、下底板，36、抽真空筒，37、石英真空管。
具体实施方式实施例1
[0019]本实施例中公开了一种SiC长晶设备，包括机架、安装于机架上的抽真空筒36、置于所述抽真空筒36顶部的密封机构、套设在所述抽真空筒36外部的晶体生长感应器16、为所述抽真空筒36提供真空度的抽真空组件26、以及用于检测所述抽真空筒36内部温度的测温组件、用于检测所述抽真空筒36内部真空度的测真空组件21；其中所述晶体生长感应器16通过升降轴组件29调节升降。
[0020]如图1所示，其中所述机架的顶部安装有上安装板2，所述抽真空筒36的顶部安装在所述上安装板2上，并在所述上安装板2上安装有正对所述抽真空筒36上开口的密封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC长晶设备，其特征在于：包括机架、设置于机架上的抽真空筒（36）、置于所述抽真空筒（36）顶部的密封机构、套设在所述抽真空筒（36）外部的晶体生长感应器（16）、为所述抽真空筒（36）提供真空度的抽真空组件（26）、以及用于检测所述抽真空筒（36）内部温度的测温组件、用于检测所述抽真空筒（36）内部真空度的测真空组件（21）；其中所述晶体生长感应器（16）通过升降轴组件（29）调节升降。2.根据权利要求1所述的SiC长晶设备，其特征在于：所述机架的顶部设置有上安装板（2），所述抽真空筒（36）的顶部设置在所述上安装板（2）上，并在所述上安装板（2）上设置有正对所述抽真空筒（36）上开口的密封机构；所述抽真空筒（36）的底部通过下底板（35）设置在所述机架上，所述下底板（35）与所述机架的底部预留有竖向间隙。3.根据权利要求2所述的SiC长晶设备，其特征在于：所述密封机构包括位于抽真空筒（36）上开口两侧的滑块导轨（3）、限位设置在所述滑块导轨（3）上的安装座（12）、分别固定在所述安装座（12）上的第一双联气缸（4）和第二双联气缸（9）、与所述双联气缸的伸缩端连接的压紧支撑板（8）、设置在所述压紧支撑板（8）底部并与所述抽真空筒（36）上开口适配的上盖板（10）。4.根据权利要求3所述的SiC长晶设备，其特征在于：所述测温组件包括设置在所述压紧支撑板（8）上的上测温组件（6）和设置在所述下底板（35）上的下测温组件（24）；其中在所述压紧支撑板（8）上开设有测温口（7），所述上测温组件（6）通过测温传感器安装支架（5）安...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永奇，焦允涛，
申请(专利权)人：上海巨灵信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：