一种碳化硅籽晶的粘接模具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅籽晶的粘接模具，包括：模具本体和石墨底托；所述模具本体安装于所述石墨底托；所述模具本体的内径大于籽晶的直径，所述籽晶偏心粘接在所述石墨底托。本方案的模具本体内径略大于籽晶直径，一方面可以确保模具在安装过程中不会损伤籽晶；另一方面可以确定籽晶粘接到底托中心位置，并确定偏粘距离。确定偏粘距离。确定偏粘距离。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅籽晶的粘接模具


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种碳化硅籽晶的粘接模具。

技术介绍

[0002]在碳化硅的众多晶型中，4H
‑
SiC晶型具有较高的电子迁移率、临界击穿电场和更大的间隙宽度，是商用化程度最高的第三代半导体。
[0003]碳化硅生长过程中涉及到温场优化和较多的生长参数，在单一晶型生长过程中难以精准把控，因此会在生长过程中形成缺陷，常见的缺陷如微管、位错、多型、多晶等，通常一种缺陷的形成还会诱发其他缺陷的产生。
[0004]因此，在晶体生长过程中进行有效的控制，减少晶体缺陷的形成，对提高SiC晶体质量至关重要。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种碳化硅籽晶的粘接模具，在籽晶粘接的过程中，缩小籽晶生长小面与石墨环环之间的距离，进而在生长过程中，减少生长小面与保密环之间多晶的堆积和气体流量。该模具可以有效降低SiC晶体生长小面处多晶的生长概率。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种碳化硅籽晶的粘接模具，包括：模具本体和石墨底托；
[0008]所述模具本体安装于所述石墨底托；
[0009]所述模具本体的内径大于籽晶的直径，所述籽晶偏心粘接在所述石墨底托。
[0010]优选的，所述籽晶朝向小面生长边偏移粘接在所述石墨底托。
[0011]优选的，所述籽晶朝向小面生长边偏移5
‑
10mm粘接在所述石墨底托。
[0012]优选的，所述模具本体的内径大于籽晶的直径10
‑
20mm。
[0013]优选的，所述模具本体的内径为257mm，所述籽晶的直径为237mm；
[0014]所述籽晶一侧与所述模具本体的距离为5mm，另一侧与所述模具本体的距离为15mm。
[0015]优选的，所述模具本体的底部设有容纳所述石墨底托的凹槽。
[0016]优选的，所述凹槽的槽底为环形平面，与与所述石墨底托的顶面外缘贴合。
[0017]优选的，所述凹槽的内壁为圆周壁，与所述石墨底托的外周壁贴合。
[0018]优选的，所述凹槽的槽深与所述石墨底托的高度相同。
[0019]优选的，所述凹槽为圆柱形，尺寸与所述石墨底托相同。
[0020]从上述的技术方案可以看出，本技术提供的碳化硅籽晶的粘接模具，其模具本体内径略大于籽晶直径，一方面可以确保模具在安装过程中不会损伤籽晶；另一方面可以确定籽晶粘接到底托中心位置，并确定偏粘距离。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的碳化硅籽晶的粘接模具的俯视结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的碳化硅籽晶的粘接模具的剖面结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的籽晶偏粘于模具的俯视结构示意图。
[0025]其中，10为模具本体，20为石墨底托，30为籽晶。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]本技术实施例提供的碳化硅籽晶的粘接模具，包括：模具本体10和石墨底托20，其结构可以参照图2所示；
[0028]其中，模具本体10安装于石墨底托20；
[0029]模具本体10的内径大于籽晶30的直径，籽晶30偏心粘接在石墨底托20。
[0030]从上述的技术方案可以看出，本技术实施例提供的碳化硅籽晶的粘接模具，其模具本体10内径略大于籽晶30直径，一方面可以确保模具在安装过程中不会损伤籽晶30；另一方面可以确定籽晶30粘接到底托中心位置，并确定偏粘距离。
[0031]进一步的，籽晶30朝向其小面生长边偏移粘接在石墨底托20，其结构可以参照图2和图3所示。通过缩小籽晶30生长小面与石墨环之间的距离，进而在生长过程中，减少生长小面与保密环之间多晶的堆积和气体流量。该方法可以有效降低SiC晶体生长小面处多晶的生长概率。
[0032]作为优选，籽晶30朝向小面生长边偏移5
‑
10mm粘接在石墨底托20。
[0033]具体的，模具本体10的内径大于籽晶30的直径10
‑
20mm，以防止安装损伤和提供偏粘空间。
[0034]在本实施例中，模具本体10的内径为257mm，籽晶30的直径为237mm，其结构可以参照图1、图2和图3所示；
[0035]籽晶30一侧与模具本体10的距离为5mm，另一侧与模具本体10的距离为15mm。
[0036]进一步的，模具本体10的底部设有容纳石墨底托20的凹槽，其结构可以参照图2所示，两者同心装配。
[0037]作为优选，凹槽的槽底为环形平面，与石墨底托20的顶面外缘贴合。
[0038]具体的，凹槽的内壁为圆周壁，与石墨底托20的外周壁贴合。解决了通过如螺纹等结构装配时，操作不变的问题。
[0039]在本实施例中，凹槽的槽深与石墨底托20的高度相同。
[0040]如图2所示，凹槽为圆柱形，尺寸与石墨底托20相同，在安装模具时可以紧密贴合，
不会发生晃动。
[0041]下面结合具体实施例对本方案作进一步介绍：
[0042]本技术实施例提供的碳化硅籽晶的粘接模具，为一种偏粘模具，其底座凹槽与石墨底托尺寸相当，在安装模具时可以紧密贴合，不会发生晃动。偏粘是指籽晶非同心的粘接在底托时向籽晶小面生长边偏移5
‑
10mm。
[0043]偏粘模具未设置螺纹，偏粘操作时方便在石墨底托上安装模具，提高工作效率。
[0044]偏粘模具内径略大于籽晶直，一方面可以确保模具在安装过程中不会损伤籽晶，另一方面可以确定籽晶粘接到底托中心位置，并确定偏粘距离。
[0045]综上所述，本技术实施例公开了一种碳化硅籽晶的粘接模具，在籽晶粘接的过程中，缩小籽晶生长小面与石墨环环之间的距离，进而在生长过程中，减少生长小面与保密环之间多晶的堆积和气体流量。该模具可以有效降低SiC晶体生长小面处多晶的生长概率。
[0046]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0047]对所公开的实施例的上述说明，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅籽晶的粘接模具，其特征在于，包括：模具本体(10)和石墨底托(20)；所述模具本体(10)安装于所述石墨底托(20)；所述模具本体(10)的内径大于籽晶(30)的直径，所述籽晶(30)偏心粘接在所述石墨底托(20)。2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶的粘接模具，其特征在于，所述籽晶(30)朝向小面生长边偏移粘接在所述石墨底托(20)。3.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶的粘接模具，其特征在于，所述籽晶(30)朝向小面生长边偏移5
‑
10mm粘接在所述石墨底托(20)。4.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶的粘接模具，其特征在于，所述模具本体(10)的内径大于籽晶(30)的直径10
‑
20mm。5.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶的粘接模具，其特征在于，所述模具本体(10)的内径...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙珮然，徐浩，魏莹，邹宇，张平，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：江苏天科合达半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：