一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。

【技术实现步骤摘要】
一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件。

技术介绍

[0002]目前的PVT法石墨体系生长掺V碳化硅晶体，在一定温度下，固态碳化硅不能转变为同组分熔体，而是分解升华为不同气相组分，主要为气态Si、Si2C、SiC2、SiC、Si2、C、C2、C3等等，大部分时间碳硅比非等比例出现。
[0003]增重需控制在一定范围内，单位时间生长速度过快或者生长时间过长，气相组分腐蚀生长石墨件，大概率出现大量“晶体边缘无规则渗入状包裹物”，“无规则大颗粒状包裹物”，“无规则片状包裹物”，“中心包裹夹层”与“中心分散小颗粒包裹物”缺陷等等。
[0004]因此，如何改进PVT法石墨体系生长工艺，成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，大幅降低后期大颗粒包裹出现概率，延长低缺陷密度晶体厚度。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；
[0008]所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。
[0009]优选的，所述第一槽为与所述晶体边缘石墨件同心的环形槽。
[0010]优选的，所述第一槽的槽宽为5
‑
7mm，槽深为13
‑
17mm。
[0011]优选的，所述第一槽的槽宽为6mm，槽深为15mm。
[0012]优选的，还包括：设置于所述晶体边缘石墨件底部的籽晶边缘石墨件；
[0013]所述籽晶边缘石墨件的顶部开设有连通于所述第一槽的第二槽。
[0014]优选的，所述第二槽为与所述籽晶边缘石墨件同心的环形槽。
[0015]优选的，所述第二槽的内径等于所述第一槽的内径。
[0016]优选的，所述第二槽的槽宽为3mm，槽深为10mm。
[0017]从上述的技术方案可以看出，本技术提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅
是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术实施例提供的晶体侧面石墨件的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件的装配结构示意图。
[0021]其中，10为晶体边缘石墨件，11为第一槽；
[0022]20为籽晶；
[0023]30为籽晶边缘石墨件，31为第二槽。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]本技术实施例提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件10，其结构可以参照图1所示；
[0026]该晶体边缘石墨件10的侧壁内设有第一槽11，该第一槽11的槽口位于晶体边缘石墨件10的侧壁的底部。
[0027]从上述的技术方案可以看出，本技术实施例提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，在晶体边缘石墨件10的侧壁内设有第一槽11；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
[0028]进一步的，第一槽11为与晶体边缘石墨件10同心的环形槽，以形成环形的气体隔层，从而提供均匀的保温效果，其结构可以参照图1所示。
[0029]作为优选，第一槽11的槽宽为5
‑
7mm，槽深为13
‑
17mm，以形成足够尺寸的气体隔层，从而提供适当的保温能力。
[0030]具体的，第一槽11的槽宽为6mm，槽深为15mm，其结构可以参照图1所示。第一槽11的外周槽壁与晶体边缘石墨件10的侧壁底部外缘之间形成台阶，以便与籽晶边缘石墨件30的顶部外缘定位装配。
[0031]本技术实施例提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，还包括：设置于晶体边缘石墨件10底部的籽晶边缘石墨件30，其结构可以参照图2所示，籽晶20放置于籽晶边缘石墨件30的顶部；
[0032]该籽晶边缘石墨件30的顶部开设有连通于第一槽11的第二槽31，以配合形成更大尺寸的保温层，降低腐蚀，从而减少渗入状包裹物。
[0033]进一步的，第二槽31为与籽晶边缘石墨件30同心的环形槽，以形成环形的气体隔层，从而提供均匀的保温效果，其结构可以参照图2所示。
[0034]作为优选，第二槽31的内径等于第一槽11的内径，其结构可以参照图2所示，以形成贯穿式的气体隔层，从而提高保温能力。
[0035]具体的，第二槽11的槽宽为3mm，槽深为10mm，以形成足够尺寸的气体隔层，从而提
供适当的保温能力。
[0036]下面结合具体实施例对本方案作进一步介绍：
[0037]如图1所示，PVT法生长晶体边缘石墨件侧壁开槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温。侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
[0038]具体细节：
[0039](1)晶体边缘石墨件侧壁开15mm*6mm深槽,槽内抛光处理，要求内壁光滑；
[0040](2)籽晶边缘石墨件上开10*3mm深槽，与石墨件侧壁槽内连通；
[0041](3)晶体边缘石墨件和籽晶边缘石墨件组装后PVT法进行晶体生长。
[0042]综上所述，本技术实施例提供的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，在PVT法原有石墨体系生长工艺基础上在石墨件上开槽可减少“晶体边缘无规则形状渗入状包裹物”。
[0043]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0044]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，其特征在于，包括：晶体边缘石墨件(10)；所述晶体边缘石墨件(10)的侧壁内设有第一槽(11)，所述第一槽(11)的槽口位于所述晶体边缘石墨件(10)的侧壁的底部。2.根据权利要求1所述的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，其特征在于，所述第一槽(11)为与所述晶体边缘石墨件(10)同心的环形槽。3.根据权利要求1所述的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，其特征在于，所述第一槽(11)的槽宽为5
‑
7mm，槽深为13
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17mm。4.根据权利要求1所述的掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，其特征在于，所述第一槽(11)的槽宽为6mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海威，魏莹，邹宇，张平，刘春俊，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：江苏天科合达半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：