晶体生长装置和晶体生长设备制造方法及图纸

本申请公开了一种晶体生长装置和晶体生长设备。该晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖、若干个籽晶板和若干个导流结构。坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔体。若干个籽晶板设置于坩埚盖朝向腔体的一侧上。若干个导流结构设置在腔体内，每一导流结构包括：第一导流件和第二导流件。第一导流件从坩埚侧壁向腔体的中部延伸且具有第一导流口。第二导流件设置于第一导流件与籽晶板之间，且具有至少一个第二导流口。第一导流口与第二导流口在底壁的投影相互错开。该晶体生长设备包括上述晶体生长装置和加热装置，加热装置设置于坩埚外侧。通过上述方式，本申请能够有效提高晶体生产效率且降低晶体的碳包裹风险。裹风险。裹风险。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长装置和晶体生长设备


[0001]本申请涉及半导体生产设备
，特别是涉及一种晶体生长装置和晶体生长设备。

技术介绍

[0002]现在半导体产业发展迅猛，给现代科学的各个领域带来了全新的技术革命。碳化硅是第三代半导体材料的代表，与硅和砷化镓为代表的传统半导体材料相比，其在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有很大优势。在制造半导体、微电子电力等领域有广泛的应用。近年来，碳化硅衬底市场规模达到上亿美元。获得优良的碳化硅衬底质量成为各大厂商的首要任务。近年来，多种高功率、高性能碳化硅器件已被成功开发，这对碳化硅行业来说又是一次新的爆发。目前物理气相传输法(PVT)是业界公认最成熟的碳化硅制造方法，其生长机理为：在晶体生长过程中，通过加热使得坩埚底部加热到目标温度(2200
‑
2400℃)，而籽晶处的温度在2000
‑
2100℃之间，处在高温区的原料开始分解、蒸发，气态的碳化硅传输流源源不断向籽晶处运输，最终在籽晶上结晶。
[0003]晶体在极高温度和极低的压力下进行生长，故对于热场部件和保温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚体，包括坩埚底壁与坩埚侧壁，所述坩埚底壁与所述坩埚侧壁围合形成有腔体；坩埚盖，设置在所述坩埚侧壁与所述坩埚底壁相对的一侧；若干个籽晶板，设置于所述坩埚盖朝向所述腔体的一侧上，用于放置待生长籽晶；若干个导流结构，设置在所述腔体内，每一所述导流结构，包括：第一导流件和第二导流件；所述第一导流件，被配置为从所述坩埚侧壁向所述腔体的中部延伸，所述第一导流件具有第一导流口；所述第二导流件，设置于所述第一导流件与所述籽晶板之间，且具有至少一个第二导流口；所述第一导流口与所述第二导流口在所述底壁的投影相互错开。2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二导流口内设置有第一过滤件。3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二导流件包括：第一导流板和第二导流板，所述第一导流板从所述坩埚侧壁向所述腔体的中部延伸；所述第二导流板从所述腔体的中部向所述坩埚侧壁延伸；所述第一过滤件连接所述第一导流板与所述第二导流板。4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一导流板与所述第二导流板位于同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：