坩埚生长设备制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚生长设备。坩埚生长设备包括坩埚装置，坩埚装置包括：坩埚体；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚体的开口，且用于设置籽晶；加热装置，设置在坩埚装置的外侧，用于对坩埚装置加热；吊桶，吊桶口径大于坩埚装置的外径；吊桶能够罩设于坩埚装置，以用于在冷却过程中使坩埚装置的上部均匀冷却。如此改善了在降温过程中晶片因降温不均匀导致内应力产生开裂的现象。晶片因降温不均匀导致内应力产生开裂的现象。晶片因降温不均匀导致内应力产生开裂的现象。

【技术实现步骤摘要】
坩埚生长设备


[0001]本技术涉及晶体生长
，具体而言，涉及一种坩埚生长设备。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体的代表材料，碳化硅拥有诸多优异性能，例如大的禁带宽度，高漂移速率、热导率，大击穿场强等。碳化硅制造的耐高温、耐高压的功率器件已广泛应用于电子电力领域。也得益于近年来电动汽车技术的成熟，市场占有率的提高，碳化硅的市场需求增长迅速。
[0003]衬底占碳化硅器件成本的50％以上，因此，降低衬底成本是降低碳化硅器件成本的关键，基本的方法之一是增大衬底的可用面积。目前，众多碳化硅生产厂家都在积极进行8寸碳化硅长晶工艺的开发，并且有部分公司已发文宣布完成8寸晶体的扩径及晶体加工。制约8寸晶体长晶的主要技术问题为开裂。

技术实现思路

[0004]本技术的目的包括，例如，提供了一种坩埚生长设备，其能够使得晶片在冷却过程中坩埚内的温度均匀降低，从而改善了在降温过程中晶片因降温不均匀导致内应力产生开裂的现象。
[0005]本技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本技术提供一种坩埚生长设备，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚生长设备，其特征在于，包括：坩埚装置(100)，所述坩埚装置(100)包括：坩埚体(110)；坩埚盖(120)，所述坩埚盖(120)设于所述坩埚体(110)的开口，且用于设置籽晶(200)；加热装置(400)，设置在所述坩埚装置(100)的外侧，用于对所述坩埚装置(100)加热；吊桶(500)，所述吊桶(500)口径大于所述坩埚装置(100)的外径；所述吊桶(500)能够罩设于所述坩埚装置(100)，以用于在冷却过程中使坩埚装置(100)的上部均匀冷却；所述吊桶(500)包括桶体(510)和顶板(520)，所述顶板(520)设置在所述桶体(510)的顶部，且所述桶体(510)和所述顶板(520)围合形成顶部密闭底部敞开的容纳空间(501)；容纳空间(501)用于将坩埚装置(100)的至少上部罩设。2.根据权利要求1所述的坩埚生长设备，其特征在于：还包括保温结构(300)，所述保温结构(300)设置在所述坩埚装置(100)的外侧，用于包裹所述坩埚装置(100)；所述加热装置(400)设置在所述保温结构(300)的外侧，用于加热所述保温结构(300)，且用于对所述坩埚装置(100)加热；所述吊桶(500)的口径大于或等于所述坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：