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本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚生长设备。坩埚生长设备包括坩埚装置，坩埚装置包括：坩埚体；坩埚盖，坩埚盖设于坩埚体的开口，且用于设置籽晶；加热装置，设置在坩埚装置的外侧，用于对坩埚装置加热；吊桶，吊桶口径大于坩埚装置的...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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