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本申请公开了一种晶体生长装置和晶体生长设备。该晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖、若干个籽晶板和若干个导流结构。坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔体。若干个籽晶板设置于坩埚盖朝向腔体的一侧上。若干个导流结构设置在腔体...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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