一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘、第一通气杆和第二通气杆；所述第一通气杆的一端用于连接反应腔室底部的进气孔，另一端连接于所述气盘的侧面，所述气盘的顶面与所述第二通气杆的底端连接，所述第二通气杆的顶端位于发热层的下部。本方案将气体出气孔引导至晶体生长反应腔下部，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。气体流入均匀性。气体流入均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置


[0001]本技术涉及半导体
，特别涉及一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置。

技术介绍

[0002]现有生长碳化硅晶体多为PVT法，使用惰性气体分子作为输运剂，通过控制多种因素，保证晶体以相对稳定速度进行生长。
[0003]碳化硅生长温度在2000℃左右，多采用中频感应线圈通入交流电流，在内部发热层发热层表面产生集肤效应，产生大量热能，保温层防止热量大量流失，热能通过热传导和热对流方式传到石墨反应腔内。
[0004]虽然发热层材料疏松多孔，但目前生长设备气体出气口均在发热层之外，气体分子无法与生长气相组分均匀接触。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提供了一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘、第一通气杆和第二通气杆；
[0008]所述第一通气杆的一端用于连接反应腔室底部的进气孔，另一端连接于所述气盘的侧面，所述气盘的顶面与所述第二通气杆的底端连接，所述第二通气杆的顶端位于发热层的下部。
[0009]优选的，所述气盘的侧面开设有螺纹孔，所述第一通气杆的端部连接于所述螺纹孔。
[0010]优选的，所述第一通气杆为金属通气杆，中部设有软管段。
[0011]优选的，所述第二通气杆为石墨通气杆。
[0012]优选的，所述第二通气杆穿过保温层与所述发热层的下部抵接，所述第二通气杆的上部侧壁开设有若干个通孔。
[0013]优选的，所述通孔的数量为多个，沿所述第二通气杆的轴向排布，且相邻两个所述通孔沿所述第二通气杆的周向错开。
[0014]优选的，相邻两个所述通孔沿所述第二通气杆的周向错开90
°
设置。
[0015]优选的，还包括：所述反应腔室；
[0016]所述进气孔偏离于所述反应腔室的中轴线。
[0017]优选的，所述第二通气杆与所述反应腔室同轴设置。
[0018]优选的，还包括：托盘和托盘支架；
[0019]所述托盘通过所述托盘支架安装于所述反应腔室的底部，所述气盘同轴安装于所
述托盘。
[0020]从上述的技术方案可以看出，本技术提供的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，气体由原本设备膛底，改变方向从内部流经金属通气杆，经气盘改向，从石墨通气杆内部到达生长发热层下部，石墨通气杆上侧分布小孔，使气体均匀进入保温层内部，生长过程更均匀与气相组分接触。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的第一通气杆的结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的气盘+第二通气杆的装配结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的第二通气杆的结构示意图；
[0025]图4为本技术实施例提供的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置的结构示意图。
[0026]其中，1为反应腔室，2为保温层，3为发热层；
[0027]4为第二通气杆，41为通孔；
[0028]5为气盘，51为螺纹孔；
[0029]6为托盘，7为托盘支架；
[0030]8为第一通气杆，81为软管段；
[0031]9为进气孔。
具体实施方式
[0032]首先对本方案涉及到的技术名词解释如下：
[0033]掺V：碳化硅掺杂粒子的一种，在碳化硅晶体中掺入钒，可在碳化硅晶体中形成自绝缘层。
[0034]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]本技术实施例提供的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘5、第一通气杆8和第二通气杆4，其结构可以参照图1
‑
图4所示；
[0036]其中，第一通气杆8的一端用于连接反应腔室1底部的进气孔9，另一端连接于气盘5的侧面，气盘5的顶面与第二通气杆4的底端连接，第二通气杆4的顶端位于发热层3的下部。
[0037]从上述的技术方案可以看出，本技术实施例提供的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，通过第一通气杆8、气盘5和第二通气杆4的配合，将气体出气孔引导至晶体生长反应腔下部，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。
[0038]进一步的，气盘5的侧面开设有螺纹孔51，第一通气杆8的端部连接于螺纹孔51，配合紧密，方便装卸，其结构可以参照图2和图4所示。气盘5优选为较矮的圆柱中孔结构，侧面与第一通气杆8连接，顶部的径面与第二通气杆4连接。
[0039]具体的，第一通气杆8为金属通气杆，结构牢固，性能稳定，具有通用性，便于生产，可采用如不锈钢等材质；中部设有软管段81，以便于实现气体流动方向的改变，其结构可以参照图1和图4所示，第一通气杆8通过软管段81可弯曲为L型。
[0040]作为优选，第二通气杆4为石墨通气杆，具有耐高温的优点，以方便同保温层2和发热层3配合，石墨材料疏松多孔利于气体分子与生长气相组分均匀接触。
[0041]在本实施例中，第二通气杆4穿过保温层2与发热层3的下部抵接，其结构可以参照图3和图4所示，第二通气杆4的上部侧壁开设有若干个通孔41，方便气体进入保温层2内部。
[0042]进一步的，通孔41的数量为多个，沿第二通气杆4的轴向排布，其结构可以参照图3所示，且相邻两个通孔41沿第二通气杆4的周向错开，使气体更均匀进入保温层2内部。
[0043]具体的，相邻两个通孔41沿第二通气杆4的周向错开90
°
设置，其结构可以参照图3所示，使气体均匀进入保温层2内部。
[0044]本技术实施例提供的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，还包括：反应腔室1，其结构可以参照图4所示；
[0045]前述的进气孔9偏离于反应腔室1的中轴线，即该进气孔9在反应腔室1底部的开设位置并非在中心，而是偏心设计，以避免影响其他需要在中轴处装配的结构，如托盘支架7。
[0046]作为优选，第二通气杆4与反应腔室1同轴设置，其结构可以参照图4所示，即第二通气杆4的装配方式与反应腔室1的轴对称结构相匹配，使生长过程更均匀与气相组分接触。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，其特征在于，包括：气盘(5)、第一通气杆(8)和第二通气杆(4)；所述第一通气杆(8)的一端用于连接反应腔室(1)底部的进气孔(9)，另一端连接于所述气盘(5)的侧面，所述气盘(5)的顶面与所述第二通气杆(4)的底端连接，所述第二通气杆(4)的顶端位于发热层(3)的下部。2.根据权利要求1所述的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，其特征在于，所述气盘(5)的侧面开设有螺纹孔(51)，所述第一通气杆(8)的端部连接于所述螺纹孔(51)。3.根据权利要求1所述的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，其特征在于，所述第一通气杆(8)为金属通气杆，中部设有软管段(81)。4.根据权利要求1所述的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，其特征在于，所述第二通气杆(4)为石墨通气杆。5.根据权利要求1所述的掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，其特征在于，所述第二通气杆(4)穿过保温层(2)与所述发热层(3)的下部抵接，所述第二通气杆(4)的上部侧壁开设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海威，魏莹，邹宇，张平，刘春俊，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：江苏天科合达半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：