【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种sic籽晶粘结加热固定装置。
技术介绍
1、采用气相沉积法生长碳化硅(sic)单晶时，需要将籽晶粘接在石墨纸上，粘接过程中，首先使用粘结胶将籽晶与石墨纸粘接，将粘接后的石墨纸和籽晶放置到加热炉中加热，高温使粘结胶固化凝固。
2、固化过程中，为了使石墨纸与籽晶粘结牢固，需要对其施加一定的压力。一般采用增加配重的方法，对其进行加压。但是，增加配重时，由于将粘接后的石墨纸和籽晶预先放置到加热炉底端，再将配重物压到其正上方，操作过程中，由于存在视野盲区，很难实现配重物的中心与石墨纸和籽晶的中心重合对齐，导致配重压力不均匀，固化时，压力不均匀会导致液态粘结胶产生流动，导致石墨纸与籽晶产生滑移，因此固化后，石墨纸与籽晶中心错位，形成粘结不良。同时，粘结胶在高温固化反应时会产生一定气体，如果气体不能及时排出，容易引入气孔，在籽晶和石墨纸之间形成孔洞，降低sic籽晶与石墨纸的附着力，造成籽晶脱落等问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种sic籽晶粘结加热固定装置，保证了对石墨纸和sic籽晶均匀加压，使得sic籽晶均匀受力，籽晶和石墨纸之间不会形成孔洞，提升了烧结后籽晶的合格率。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种sic籽晶粘结加热固定装置，包括：
4、石墨盘；
5、石墨底托，放置于所述石墨盘上，所述石墨底托远离所述石墨盘的面上设置有用于放置石墨纸的放置腔；
<...【技术保护点】
1.一种SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位结构包括配合设置的第一分限位结构和第二分限位结构，所述压块与所述压坨接触的面上设置有第一分限位结构，所述压坨与所述压块接触的面上设置有第二分限位结构。
3.根据权利要求2所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位结构包括配合设置的限位凸台和限位凹槽，所述限位凸台插接于限位凹槽内；
4.根据权利要求2所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述第一分限位结构包括若干个限位凸台，多个所述限位凸台绕所述压块的中心均布，所述第二分限位结构包括若干个限位凹槽，多个所述限位凹槽绕所述压坨的中心均布。
5.根据权利要求4所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位凹槽的深度为1-5mm，所述限位凹槽的直径为3-10cm，所述限位凹槽的槽侧壁为斜面结构，所述限位凹槽的槽侧壁与中心轴线的夹角为10-60°，所述限位凹槽的槽径由槽底端向槽开口端逐渐扩大。
6.根据权利要求1所述的SiC籽
7.根据权利要求6所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述排气孔设置有若干个，多个所述排气孔绕所述放置腔均布；
8.根据权利要求1所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述石墨盘用于放置所述石墨底托的面上设置有放置凹槽，所述石墨底托放置于所述放置凹槽内；
9.根据权利要求8所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述放置凹槽的槽侧壁为斜壁，所述放置凹槽的槽径由槽底端向槽开口端逐渐扩大。
10.根据权利要求1所述的SiC籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述压坨的侧面设置有定位凸块，所述石墨底托的侧壁设置有用于滑动连接所述定位凸块的定位凹槽；
...【技术特征摘要】
1.一种sic籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的sic籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位结构包括配合设置的第一分限位结构和第二分限位结构，所述压块与所述压坨接触的面上设置有第一分限位结构，所述压坨与所述压块接触的面上设置有第二分限位结构。
3.根据权利要求2所述的sic籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位结构包括配合设置的限位凸台和限位凹槽，所述限位凸台插接于限位凹槽内；
4.根据权利要求2所述的sic籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述第一分限位结构包括若干个限位凸台，多个所述限位凸台绕所述压块的中心均布，所述第二分限位结构包括若干个限位凹槽，多个所述限位凹槽绕所述压坨的中心均布。
5.根据权利要求4所述的sic籽晶粘结加热固定装置，其特征在于，所述限位凹槽的深度为1-5mm，所述限位凹槽的直径为3-10cm，所述限位凹槽的槽侧壁为斜面结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹一达，孙珮然，邹宇，张平，娄艳芳，王波，彭同华，杨建，
申请(专利权)人：江苏天科合达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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