【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法。
技术介绍
1、随着半导体制程工艺的不断发展，对半导体行业最重要的硅片提出了更高的要求。外延片的整个生产流程包括拉晶、成型、抛光、清洗、外延生长五大工艺，其中外延生长是外延硅片生产中重要的工艺之一。外延生长过程通常是在单晶基底上生长出一层与基底原子排列方式相同的单晶薄膜，该工艺可以改善抛光片的晶体性质、原生缺陷、电阻率以及平坦度等。
2、晶圆背面支撑杆印记是外延反应过程中的一种典型缺陷。在外延生长过程中，晶圆从机械手装载至外延生长装置中的基座上、以及将晶圆从基座卸载至机械手的过程中，支撑杆均会与晶圆发生接触，在高温反应条件下，晶圆背面由于支撑杆的接触，在接触部位会受热不均，从而在晶圆背面表面形成支撑杆印记(pin mark)，微观形态上表现为硅片背面高度在印记位置的不均匀。由于支撑杆与晶圆背面接触，还可能在硅片正面形成表面缺陷(pin nano)，同时也会使mclt上出现异常图案。此外，支撑杆与晶圆背面接触会产生颗粒，影响外延片的产品质量及良率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法，能够避免由于支撑杆与晶圆接触导致的外延片不良，能够提高产品良率。
2、本公开实施例所提供的技术方案如下：
3、根据本公开第一方面，提供了一种外延生长基座组件，所述外延生长基座组件包括：
4、基座，所述基座具有用于承载晶圆的承
5、基座支撑架，所述基座支撑架支撑于所述基座的下方，且所述基座支撑架被构造为能够使至少两个所述子基座模块沿竖向彼此独立地可升降。
6、示例性的，所述基座包括沿第一方向相对的第一侧和第二侧，所述第一方向为经过所述承载面的中心、且平行所述承载面的方向，所述至少两个子基座模块包括从所述第一侧至所述第二侧依次设置的第一子基座模块、第二子基座模块和第三子基座模块。
7、示例性的，所述第一子基座模块与所述第三子基座模块的子承载面面积小于所述第二子基座模块的子承载面面积。
8、示例性的，所述第一子基座模块与所述第二子基座模块关于经过所述承载面中心的第一轴线对称分布，所述第一轴线垂直于所述第一方向。
9、示例性的，所述基座支撑架包括：
10、支撑架主体；及
11、升降组件，所述升降组件设置于所述支撑架主体上，且所述升降组件包括至少两个升降单元，一个所述升降单元对应的支撑于一个所述子基座模块下方，每个所述升降单元被构造为可升降对应的所述子基座模块。
12、示例性的，所述支撑架主体包括：
13、支撑柱；及
14、从所述支撑柱的竖向轴线开始径向向外且沿轴向向上延伸的多根支撑臂，所述支撑臂包括在其轴向向上延伸方向上相对的第一端和第二端，所述第一端连接至所述支撑柱，所述升降单元设置于所述第二端，以支撑于对应的所述子基座模块下方。
15、示例性的，
16、所述基座支撑架包括：
17、第一支撑架，所述第一支撑架包括第一主支撑柱及连接至所述第一主支撑柱上的第一支撑臂，所述第一支撑臂支撑于所述第二子基座模块的下方；
18、第二支撑架，所述第二支撑架包括第二主支撑柱、第一子支撑臂和第二子支撑臂，所述第一子支撑臂与所述第二子支撑臂从所述第二主支撑柱的竖向轴线开始径向向外且沿轴向向上延伸，所述第一子支撑臂支撑于所述第一子基座模块的下方，所述第二子支撑臂支撑于所述第三子基座模块的下方；
19、升降组件，所述第一主支撑柱与所述第二主支撑柱中的一者同轴套设于另一者的外周侧，且所述升降组件被配置为能够驱动所述第一主支撑柱和所述第二主支撑柱彼此独立地升降。示例性的，每一所述子基座模块包括拼接侧，相邻两个所述子基座模块之间通过所述拼接侧相互配合进行拼接，其中所述拼接侧被构造为具有凹槽部和凸出部，且相互拼接的两个所述子基座模块中一者的所述拼接侧上的凸出部与另一者的所述拼接侧上的凹槽部相互嵌合，且相互嵌合的所述凸出部与所述凹槽部的上表面位于所述承载面所在的同一平面内。
20、根据本公开的第二方面，提供了一种外延生长装置，包括：
21、反应腔室；及
22、设于所述反应腔室内部的外延生长基座组件。
23、根据本公开第三方面，本公开实施例中提供了一种晶圆装卸方法，用于将晶圆在晶圆传送装置与如上所述的外延生长基座组件之间装卸晶圆；所述方法包括如下步骤：
24、在将晶圆装载至所述外延生长基座组件上时，
25、控制至少一个所述子基座模块相对至少一个所述子基座模块抬高，为所述晶圆传送装置预留装卸空间；
26、控制所述晶圆传送装置承载所述晶圆移入所述装卸空间，并将所述晶圆承载至已抬高的所述子基座模块的子承载面上；
27、控制所述晶圆传送装置移出所述装卸空间；
28、控制所述已抬高的所述子基座模块下降，以使所有所述子基座模块的子承载面处于同一平面上，以共同承载所述晶圆；
29、在将晶圆从所述外延生长基座组件上卸载时，
30、控制至少一个所述子基座模块相对至少一个所述子基座模块抬高，为所述晶圆传送装置预留装卸空间，并使所述晶圆随已抬高的所述子基座模块被抬高；
31、控制所述晶圆传送装置承载所述晶圆移入所述装卸空间，并使所述晶圆传送装置从已抬高的所述子基座模块的子承载面上取下；
32、控制所述晶圆传送装置移出所述装卸空间；
33、控制所述已抬高的所述子基座模块下降，以使所有所述子基座模块的子承载面处于同一平面上。
34、示例性的，将晶圆装载至所述外延生长基座组件上时，以及在将晶圆从所述外延生长基座组件上卸载时，所述第一子基座模块与所述第三子基座模块同步升高，并作为所述已抬高的子基座模块。
35、本公开实施例所带来的有益效果如下：
36、本公开实施例所提供的外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法中，外延生长基座组件包括基座和基座支撑架，其中基座包括至少两个子基座模块，每个子基座模块具有子承载面，所有所述子基座模块的子承载面彼此拼接组装形成承载面，也就是说，所有子基座模块的子承载面共同配合承载晶圆；基座支撑架可支撑于基座下方，且可使得至少两个所述子基座模块可沿竖向彼此独立地升降。
37、这样，本公开实施例所提供的外延生长基座组件在装载晶圆时，可以先将至少一个子基座模块相对至少另一个子基座模块抬高，而为晶圆传送装置预留出装卸空间，可进入该装卸空间内，待晶圆传送装置将晶圆承载至已抬高的子基座模块的子承载面上之后，将晶圆传送装置从该装卸空间退出，再将已抬高的子基座模块下降至与其他子基座模块的子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种外延生长基座组件，其特征在于，所述外延生长基座组件包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述基座包括沿第一方向相对的第一侧和第二侧，所述第一方向为经过所述承载面的中心、且平行所述承载面的方向，所述至少两个子基座模块包括从所述第一侧至所述第二侧依次设置的第一子基座模块、第二子基座模块和第三子基座模块，其中所述第一子基座模块与所述第三子基座模块可同步升降。
3.根据权利要求2所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述第一子基座模块与所述第三子基座模块的子承载面面积小于所述第二子基座模块的子承载面面积。
4.根据权利要求2所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述第一子基座模块与所述第二子基座模块关于经过所述承载面中心的第一轴线对称分布，所述第一轴线垂直于所述第一方向。
5.根据权利要求1所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述基座支撑架包括：
6.根据权利要求5所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述支撑架主体包括：
7.根据权利要求2所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述基座支撑架
8.根据权利要求1所述的外延生长基座组件，其特征在于，每一所述子基座模块包括拼接侧，相邻两个所述子基座模块之间通过所述拼接侧相互配合进行拼接，其中所述拼接侧被构造为具有凹槽部和凸出部，且相互拼接的两个所述子基座模块中一者的所述拼接侧上的凸出部与另一者的所述拼接侧上的凹槽部相互嵌合，且相互嵌合的所述凸出部与所述凹槽部的上表面位于所述承载面所在的同一平面内。
9.一种外延生长装置，其特征在于，包括：
10.一种晶圆装卸方法，其特征在于，用于将晶圆在晶圆传送装置与如权利要求1至8任一项所述的外延生长基座组件之间装卸晶圆；所述方法包括如下步骤：
11.根据权利要求10所述的晶圆装卸方法，其特征在于，应用于如权利要求2所述的外延生长基座组件时，将晶圆装载至所述外延生长基座组件上时，以及在将晶圆从所述外延生长基座组件上卸载时，所述第一子基座模块与所述第三子基座模块同步升高，并作为所述已抬高的子基座模块。
...【技术特征摘要】
1.一种外延生长基座组件，其特征在于，所述外延生长基座组件包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述基座包括沿第一方向相对的第一侧和第二侧，所述第一方向为经过所述承载面的中心、且平行所述承载面的方向，所述至少两个子基座模块包括从所述第一侧至所述第二侧依次设置的第一子基座模块、第二子基座模块和第三子基座模块，其中所述第一子基座模块与所述第三子基座模块可同步升降。
3.根据权利要求2所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述第一子基座模块与所述第三子基座模块的子承载面面积小于所述第二子基座模块的子承载面面积。
4.根据权利要求2所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述第一子基座模块与所述第二子基座模块关于经过所述承载面中心的第一轴线对称分布，所述第一轴线垂直于所述第一方向。
5.根据权利要求1所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述基座支撑架包括：
6.根据权利要求5所述的外延生长基座组件，其特征在于，所述支撑架主体包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩喜盈，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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