【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、用于制造半导体器件的晶圆的生产工序通常包括拉晶、切割、研磨、抛光以及清洗工序。在完成清洗工序之后，会对晶圆表面的缺陷进行检测，例如针孔（pinhole）缺陷、划痕缺陷、颗粒（particle）缺陷以及空洞缺陷等。
2、在目前常见的缺陷检测方案中，通常会采用透射式光学检测方式检测pinhole缺陷。在利用透射式光学检测方式进行检测的过程中，会对检测出的所有缺陷（defect）逐一进行复查（review）以从这些缺陷中确定是否存在的pinhole缺陷。
3、在上述检测过程中，由于针对所有缺陷的review需要花费较多的时间，因此，目前进行pinhole缺陷检测的过程产能较低。
技术实现思路
1、本公开提供了一种缺陷检测的方法、装置、设备及介质；在通过透射式光学检测方式检出缺陷后，按照缺陷信息设置掩膜，以使得不对掩膜所指示的缺陷进行复查，从而降低晶圆生产过程中进行pinhole缺陷检测所花...
【技术保护点】
1.一种缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的缺陷检测的方法，其特征在于，按照非针孔缺陷的缺陷特征，设定由缺陷的坐标及描述信息为评判依据的卡控策略，包括：
4.根据权利要求3所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述基于所述卡控策略，根据检出的所有缺陷的坐标以及描述信息获取非针孔缺陷对应的屏蔽掩膜，包括：
5.根据权利要求3所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述数量阈值为10，所述距离阈值为8.5μm，所述长宽比阈值为5。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的缺陷检测的方法，其特征在于，按照非针孔缺陷的缺陷特征，设定由缺陷的坐标及描述信息为评判依据的卡控策略，包括：
4.根据权利要求3所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述基于所述卡控策略，根据检出的所有缺陷的坐标以及描述信息获取非针孔缺陷对应的屏蔽掩膜，包括：
5.根据权利要求3所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述数量阈值为10，所述距离阈值为8.5μm，所述长宽比阈值为5。
6.根据权利要求1所述的缺陷检测的方法，其特征在于，所述将所述屏蔽掩膜覆盖的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，卢龙龙，杨震，王琳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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