【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种硅片加工方法及硅片。
技术介绍
1、通常，晶圆的加工生产是按照单晶硅锭(block)方式，即，一个单晶硅锭加工完成后，在进行下一个单晶硅锭的加工。在实际生产中，为了提升生产效率，会存在多个单晶硅锭在同一工序同时加工的情况，那就需要在加工完成后对不同单晶硅锭进行区分。
2、目前，对不同单晶硅锭进行区分所采用的方法是，在硅片的正面或者背面进行打标，该打印的标记采用特定的编码规则，目的是为了使硅片在生产过程中受控，便于后续制程追踪硅片的来源。
3、然而，目前硅片的打标工序位于倒角、研磨、刻蚀工序之后，主要原因在于，倒角、研磨、刻蚀工序中硅片去除量较大，若打标放在这些工序前面，标记会被去除掉。因此，从线切割工序完成，直到打标前的众多工序过程中，硅片上均无任何标记对单晶硅锭进行区分，若在这些工序中多个单晶硅锭同时加工，则会导致加工工序完成后难以区分不同单晶硅锭，无法准确针对不同单晶硅锭进行特定后续处理。
技术实现思路
1、本公开实施例提供...
【技术保护点】
1.一种硅片加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片加工方法，其特征在于，所述切割参数包括切割方向、切割深度中至少一种。
3.根据权利要求2所述的硅片加工方法，其特征在于，所述方法中，针对不同类型的单晶硅锭，按照预设的不同切割参数进行切割，并在切割得到的硅片的切割面上预留出切割痕迹，具体包括：
4.根据权利要求3所述的硅片加工方法，其特征在于，所述对不同单晶硅锭线切割，沿着切割线的切割方向在切割面上形成具有预定深度的切割痕迹，具体包括：
5.根据权利要求4所述的硅片加工方法，其特征在于，所述行进参数包括...
【技术特征摘要】
1.一种硅片加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片加工方法，其特征在于，所述切割参数包括切割方向、切割深度中至少一种。
3.根据权利要求2所述的硅片加工方法，其特征在于，所述方法中，针对不同类型的单晶硅锭，按照预设的不同切割参数进行切割，并在切割得到的硅片的切割面上预留出切割痕迹，具体包括：
4.根据权利要求3所述的硅片加工方法，其特征在于，所述对不同单晶硅锭线切割，沿着切割线的切割方向在切割面上形成具有预定深度的切割痕迹，具体包括：
5.根据权利要求4所述的硅片加工方法，其特征在于，所述行进参数包括：切割线的行进速度、行进方向中至少一种。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙介楠，郭宏雁，朴星昱，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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