【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种硅片的厚度测量方法及装置。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，通常需要在多个生产阶段对硅片进行厚度测量，从而保证后续正常的生产流程。相关技术中对硅片进行厚度测量时，通常使用单一的测量方式对硅片进行测量，并没有考虑到不同生产阶段的硅片存在的差异，从而导致出现了对硅片厚度的测量时准确性较差的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片的厚度测量方法及装置，能够有效提高对硅片进行厚度测量时的准确性。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
3、第一方面，本专利技术提供了一种硅片的厚度测量方法，所述方法包括：
4、对硅片的材料属性进行分析，得到目标属性值，所述目标属性值用于指示所述硅片中杂质的含量；
5、在所述目标属性值大于或等于预设阈值的情况下，通过电容测量器对所述硅片进行测量，得到所述硅片对应的第一厚度；
6、在所述目标属性值小于预设阈值的情况下，通过红...
【技术保护点】
1.一种硅片的厚度测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容测量器包括相对设置的第一探头和第二探头，所述在所述目标属性值大于或等于预设阈值的情况下，通过电容测量器对所述硅片进行测量，得到所述硅片对应的第一厚度，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一探头包括并联的第一电容传感器和第二电容传感器，所述第二探头包括并联的第三电容传感器和第四电容传感器；
4.根据权利要求2或3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一探头和所述第二探头的量程大于或等于100Ω·cm。
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