本公开提供了一种晶圆缺陷检测方法、装置及介质，所述晶圆缺陷检测方法，包括：获取晶圆的边缘图像；根据所述边缘图像的图像特征，确定存在缺陷的待识别区域；基于所述待识别区域中的图像特征，识别所述待识别区域中晶圆径向的两个实测边界；基于两个所述实测边界，确定所述待识别区域中晶圆径向的两个目标边界；基于两个所述目标边界以及所述待识别区域的图像特征，判定所述待识别区域内的缺陷信息。本公开实施例提供的晶圆缺陷检测方法、装置及介质，能够避免缺陷漏检问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、装置及介质。
技术介绍
1、在晶圆制造过程中，在每个工艺流程中都有可能在晶圆上形成缺陷。随着半导体工艺的发展，半导体器件越来越趋向于小型化，晶圆上的缺陷在半导体工艺中的影响越来越大，因此，在晶圆制造过程中，需要对晶圆进行缺陷检测，以检测结果为依据分析产生缺陷的原因，以对生产工艺或工艺设备进行调整，减小缺陷产生。
2、在半导体行业中，一种对晶圆边缘区域缺陷进行检测的方式是，获取晶圆边缘图像之后，截取包含缺陷在内的待识别区域，通过该待识别区域内的图像灰阶对比，来确定边缘缺陷的边界，并基于不同缺陷的特征参数，识别缺陷的类型及对缺陷进行判级。
3、然而，上述缺陷检测方式中存在以下问题：在缺陷判定过程中，识别图像中晶圆边缘的准确与否，会直接影响缺陷的判定，例如缺陷过大等情况会无法准确抓取硅片边缘，导致缺陷漏检的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶圆缺陷检测方法、装置及介质，能够避免缺陷漏检问题。
>2、本公开实施例所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述待识别区域中的图像特征，识别出所述待识别区域中晶圆径向的两个实测边界，具体包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于两个所述实测边界，确定出所述待识别区域中晶圆径向的两个目标边界，具体包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于两个所述实测边界，确定出所述待识别区域中晶圆径向的两个目标边界，具体包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，两个所述实测边界包括第...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述待识别区域中的图像特征，识别出所述待识别区域中晶圆径向的两个实测边界，具体包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于两个所述实测边界，确定出所述待识别区域中晶圆径向的两个目标边界，具体包括：
4.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述基于两个所述实测边界，确定出所述待识别区域中晶圆径向的两个目标边界，具体包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于，两个所述实测边界包括第一实测边界和第二实测边界；所述验证两个所述实测边界中是否有一者为一个所述目标边界，具...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭宏雁，付子成，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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