【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置。
技术介绍
1、随着半导体器件的制程不断缩小，对于晶圆平坦度（flatness）的要求也越来越高。以光刻机为例，对于能够实现纳米级成像分辨率的光刻机来说，通常需要增加镜头中镜片的数值孔径（na，numerical aperture），那么就相应导致聚焦深度（焦深）下降。为了保证光刻图像清晰，晶圆表面的高低起伏必须处于焦深范围内，因此，如果晶圆表面不够平坦，厚度不均匀，那么就会导致在晶圆高低起伏处的光刻出现问题。因此，为了制造能够适用于更小芯片制程的高品质晶圆，必须严格监控晶圆的平坦度。
技术实现思路
1、本公开提供了一种外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置；通过改善外延晶圆边缘的纳米形貌的恶化情况，提高外延晶圆的平坦度。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种改善外延晶圆平坦度的方法，所述方法包括：
4、根据外延晶圆的外延层的边缘区域的纳米形貌值，...
【技术保护点】
1.一种改善外延晶圆平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所有候选外延沉积温度对应的外延晶圆，确定作为第一外延工艺参数的用于改善外延层的边缘区域的纳米形貌值的外延沉积温度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用于改善外延层的边缘区域的纳米形貌值的外延沉积温度大于或等于1114℃，并且小于或等于1138℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定的外延沉积温度范围为[1090℃，1150℃]，所述温度梯度为10℃；
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种改善外延晶圆平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所有候选外延沉积温度对应的外延晶圆，确定作为第一外延工艺参数的用于改善外延层的边缘区域的纳米形貌值的外延沉积温度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用于改善外延层的边缘区域的纳米形貌值的外延沉积温度大于或等于1114℃，并且小于或等于1138℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定的外延沉积温度范围为[1090℃，1150℃]，所述温度梯度为10℃；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二外延工艺参数中，所述刻蚀气体的流量大于或等于2000sccm并且小于或等于4000sccm；通入所述刻蚀气体的时长大于或等于20s且小于或等于40s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在气相沉积反应过程的表面刻蚀阶段，按照所述第二外延工艺参数通入刻蚀气体之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，在确定作为第一外延工艺参数的用于改善外延层的边缘区域的纳米形貌值的外延沉积温度之后，所述方法还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：方圭哲，俎世琦，张海博，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。