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本发明提供了一种硅片的厚度测量方法及装置，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：对硅片的材料属性进行分析，得到目标属性值，所述目标属性值用于指示所述硅片的成分信息；在所述目标属性值大于或等于预设阈值的情况下，通过电容测量器对所述硅片进行测量...
该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。

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