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本公开提供一种硅片加工方法及硅片,所述硅片加工方法包括:提供多种类型的单晶硅锭;针对不同类型的单晶硅锭,按照预设的不同切割参数进行切割,并在切割得到的硅片的切割面上预留出切割痕迹;对所述硅片进行目标工序的加工处理,所述目标工序包括倒角、研磨...该专利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安奕斯伟材料科技股份有限公司授权不得商用。
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