【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆及其缺陷的检测方法。
技术介绍
1、半导体晶圆，特别适用于形成半导体器件的单晶硅晶圆，通常是由采用直拉法或者施加磁场的直拉法制造的单晶硅棒来制造。以直拉法所制造的单晶硅，通常含有因晶格点的硅（si）原子丢失所形成的八面体空隙缺陷，在一些情况下，可被称之为晶体原生颗粒（crystal originated particle，cop）缺陷。
2、当前相关方案通常采用粒子计数器（particle counter）对晶圆的cop缺陷进行检测。在该相关方案中，一方面，粒子计数器通常仅能够检测到晶圆表面以及距晶圆表面0.3微米深度内的cop缺陷，而cop缺陷为晶圆的体内缺陷，因此，粒子计数器无法准确地检测出晶圆内部所存在的全部cop缺陷。另一方面，粒子计数器在检测过程中需要对待测晶圆表面进行洁净处理，否则，会将晶圆表面附着的颗粒误判为cop缺陷。
3、因此，目前相关方案对于cop缺陷的检测精度较低，且方案无法准确地量化评估，并且需要额外的表面洁净工序，增加了检测成本。
【技术保护点】
1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述按照所述COP缺陷密度均值以及设定数目的所述标准差范围，确定所述密度阈值，包括：
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述密度阈值处于5×106至8×106个/cm3之间。
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在裂解面与裂解样品主表面的结合处，通过红外线激光散射层析方式按照设定的距离间隔测量每个检测区间的晶体原生颗粒COP缺陷
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述按照所述cop缺陷密度均值以及设定数目的所述标准差范围，确定所述密度阈值，包括：
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述密度阈值处于5×106至8×106个/cm3之间。
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述在裂解面与裂解样品主表面的结合处，通过红外线激光散射层析方式按照设定的距离间隔测量每个检测区间的晶体原生颗粒cop缺陷密度，包括：
6.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述在裂解面与裂解样品主表面的结合处，通...
【专利技术属性】
技术研发人员：郗茜，王刚，程远梅，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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