【技术实现步骤摘要】
本技术属于稀有金属冶金,具体涉及高纯四氯化锗材料制备过程中砷的过氧化氢氧化去除使用装置。
技术介绍
1、四氯化锗在锗材料的终端消费结构中,应用于光纤领域的锗占比逐步上升,2019年达到了34%,位列第二,仅次于红外光学领域。随着中国的崛起及大国竞争、国家安全需要,用于军工、海缆等特殊领域的光纤有更高的质量要求。在光纤用高纯四氯化锗的生产过程中,砷是一个非常难于去除的有害杂质元素,其质量分数需要降低至1×10-5%以下。由于现制备gecl4与geo2的原材料大都为含砷较高的锗精矿(as含量在1%~5%),所以在制备时控制砷的含量对于最终产品的质量有着很大的影响。
2、申请号为“200910233353.5”名称为“蒸馏提锗生产过程中的除砷方法”公开了一种在蒸馏提锗生产过程中以0.5~50升的速率通入氯气、与砷元素重量比1:5~50的二氧化锰来除砷的方法。将含砷原料和一定比例的二氧化锰加入蒸馏釜,加入盐酸并通氯气15~30分钟,搅拌,通蒸汽加热,蒸馏出四氯化锗。
3、申请号为“201010553861.4”名称为“一
...【技术保护点】
1.用于过氧化氢氧化去除四氯化锗中砷的装置,其特征在于,所述装置包括GeCl4、H2O2和HCl储存容器,所述储存容器通过管道分别与第一反应器和第二反应器相连接,并于管道上设置有第四阀门、第五阀门、第六阀门、第七阀门和第八阀门,所述第一反应器下部设置有第一恒温加热器,顶部设置有第一机械搅拌器;底部通过管道连接有第一残液收集器,所述第一反应器与第一残液收集器之间设置有第九阀门和第十一阀门;
【技术特征摘要】
1.用于过氧化氢氧化去除四氯化锗中砷的装置,其特征在于,所述装置包括gecl4、h2o2和hcl储存容器,所述储存容器通过管道分别与第一反应器和第二反应器相连接,并于管道上设置有第四阀门、第五阀门...
【专利技术属性】
技术研发人员:普世坤,吴涛,蒯志奎,李正美,吴王昌,张朝阳,侯志毅,王仙琴,赵思琪,陈代凤,李长林,王美春,
申请(专利权)人:云南大学,
类型:新型
国别省市:
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