坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。增加生长晶锭的厚度。增加生长晶锭的厚度。

【技术实现步骤摘要】
坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法。

技术介绍

[0002]现有的石墨坩埚一般呈圆筒状，不能均匀的对原材料进行均匀加热，导致在实际的晶体生长中石墨坩埚中的生长原料由于温度场分布的原因在温度场中相对中间的部分温度最低，会在在晶体生长结束后往往会在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，这不仅大大的降低了生长原料的利用率，而且也不利于四周气相成分向籽晶的运输。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0005]第一方面，本专利技术提供一种坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体具有一顶部开口的腔室，所述腔室内设置有分隔部；
[0006]所述分隔部将所述腔室分隔为上腔室和下腔室；
[0007]所述上腔室用于容置碳化硅；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(110)，所述坩埚本体(110)具有一顶部开口的腔室(111)，所述腔室(111)内设置有分隔部(113)；所述分隔部(113)将所述腔室(111)分隔为上腔室(115)和下腔室(117)；所述上腔室(115)用于容置碳化硅；所述坩埚本体(110)的侧壁设置有多个与所述下腔室(117)连通的通孔(119)，以使所述下腔室(117)与外部连通。2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述分隔部(113)靠近所述上腔室(115)的一侧凹设有多个环形容置腔(121)，多个所述环形容置腔(121)间隔设置；所述分隔部(113)靠近所述下腔室(117)的一侧设置有凹设有多个环形加热腔(123)，多个所述环形加热腔(123)与多个所述环形容置腔(121)间隔设置。3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述环形加热腔(123)的深度是所述环形容置腔(121)深度的0.5倍
‑
1倍；和/或，所述下腔室(117)的底部呈开口状。4.一种组合坩埚，其特征在于，包括上坩埚件(310)和权利要求1
‑
3中任一项所述的坩埚；所述上坩埚件(310)设置于所述坩埚的顶部；所述上坩埚件(310)包括筒壁(315)和设置于所述筒壁(315)的L型环台(317)，所述L型环台(317)的水平段的端部与所述筒壁(315)连接，所述L型环台(317)的竖直段与筒壁(315)之间形成置料槽(311)，且所述L型环台(317)的竖直段围合形成有过流通道(313)，由所述上腔室(115)形成的工艺气体可经过流通道(313)向上流动。5.根据权利要求4所述的组合坩埚，其特征在于，所述组合坩埚还包括控制装置(350)，所述控制装置(350)设置于所述坩埚和上坩埚件(310)之间，所述控制装置(350)可控制所述上腔室(115)与所述上坩埚件(310)连通和阻断连通。6.根据权利要求5所述的组合坩埚，其特征在于，所述控制装置(350)包括第一转盘(351)、第二转盘(353)和驱动件(355)；所述第一转盘(351)和所述第二转盘(353)均对应设置有流道(352)；所述第一转盘(351)安装于所述上坩埚件(310)，所述第二转盘(353)可转动地安装于所述第一转盘(351)；所述驱动件(355)与所述第二转盘(353)传动连接；所述驱动件(355)可驱动所述第二转盘(353)相对于所述第一转盘(351)转动，以使所述第二转盘(353)上的流道(352)与所述第一转盘(351)上的流道(352)对应连通，或，使所述第二转盘(353)上的流道(352)与所述第一转盘(351)上的流道(352)错位阻断连通。7.根据权利要求6所述的组合坩埚，其特征在于，所述L型环台(317)由多孔石墨制成；所述第一转盘(351)与所述置料槽(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光宇，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：