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一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体制造方法及图纸
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下载一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体的技术资料
文档序号:38348672
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本发明提供了一种碳化硅生长装置、生长方法和碳化硅晶体,涉及碳化硅晶体生长技术领域,该碳化硅生长装置包括生长坩埚、加热装置、籽晶定位盖、定位架、称重装置和承载连接件,将籽晶定位盖通过承载连接件与称重装置连接,并且籽晶定位盖与生长坩埚间隙配合,...
该专利属于通威微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过通威微电子有限公司授权不得商用。
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