【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种静电除尘装置和外延生长系统。
技术介绍
1、外延技术是制备半导体器件的重要工艺之一，一般是通过在基片上逐层沉积材料来形成薄膜结构。外延技术常用于生产光电子器件、功率器件等过程。在外延过程中，腔体内的颗粒掉落会在外延层表面形成诸多类型的缺陷，对后续成型的半导体器件的性能带来影响，进而降低器件的质量和可靠性。
2、为了减少掉落物，传统的技术主要是增大尾排负压抽力，或通过过滤器和/或吸附剂来实现。但是，过滤器仅可以捕获较大的颗粒，对微小颗粒的捕获效果较差，吸附剂虽然可以吸附大小颗粒，但是容易饱和，需要经常更换，成本较高。
3、因此，如何低成本且充分地捕获腔体内的颗粒，是外延技术中急需解决的问题之一。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种静电除尘装置和外延生长系统。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供一种静电除尘装置，包括套筒、放电体以及吸附体；所述放电体与所述吸附体同轴设置于所述套筒的内部，所述吸附体环绕设置于所述放电体的外围，所述放电体连接电流产生设备，所述吸附体能够吸附带电颗粒。
3、在其中一个实施例中，在所述套筒的轴线方向上，所述放电体的深度大于所述吸附体的深度。
4、在其中一个实施例中，所述放电体包括供电端和放电端，所述供电端连接所述电流产生设备，所述放电端沿轴线方向突出于所述吸附体。
5、在其中一个实施例中，所述套筒的深度与所述放电体的深度一致。
<...【技术保护点】
1.一种静电除尘装置，其特征在于，包括套筒、放电体以及吸附体；所述放电体与所述吸附体同轴设置于所述套筒的内部，所述吸附体环绕设置于所述放电体的外围，所述放电体连接电流产生设备，所述吸附体能够吸附带电颗粒。
2.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，在所述套筒的轴线方向上，所述放电体的深度大于所述吸附体的深度。
3.根据权利要求2所述的静电除尘装置，其特征在于，所述放电体包括供电端和放电端，所述供电端连接所述电流产生设备，所述放电端沿轴线方向突出于所述吸附体。
4.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述套筒的深度与所述放电体的深度一致。
5.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述放电体的材质包括导电石墨烯或纯石墨。
6.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述放电体和/或所述吸附体的形状为柱状或圆球状。
7.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述吸附体连接高压电源，所述高压电源提供的电压范围为10KV-20KV。
8.根据权利要求1所述的静电除尘
9.一种外延生长系统，包括外延生长腔体和如权利要求1-8任一项所述的静电除尘装置，所述外延生长腔体连接有尾气排放管路，所述静电除尘装置连接于所述外延生长腔体与所述尾气排放管路之间。
10.根据权利要求9所述的外延生长系统，其特征在于，所述放电体包括供电端和放电端，所述供电端连接所述电流产生设备，所述放电端突出于所述吸附体，所述放电端靠近所述外延生长腔体设置。
...【技术特征摘要】
1.一种静电除尘装置，其特征在于，包括套筒、放电体以及吸附体；所述放电体与所述吸附体同轴设置于所述套筒的内部，所述吸附体环绕设置于所述放电体的外围，所述放电体连接电流产生设备，所述吸附体能够吸附带电颗粒。
2.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，在所述套筒的轴线方向上，所述放电体的深度大于所述吸附体的深度。
3.根据权利要求2所述的静电除尘装置，其特征在于，所述放电体包括供电端和放电端，所述供电端连接所述电流产生设备，所述放电端沿轴线方向突出于所述吸附体。
4.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述套筒的深度与所述放电体的深度一致。
5.根据权利要求1所述的静电除尘装置，其特征在于，所述放电体的材质包括导电石墨烯或纯石墨。
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【专利技术属性】
技术研发人员：曹雅典，
申请(专利权)人：希科半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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