【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种多腔室碳化硅外延设备。
技术介绍
1、碳化硅外延设备是一种集真空、高温和控制等技术为一体的高科技装备，用于第三代半导体材料碳化硅的同质外延生长。碳化硅外延设备包括上料室、储料室、转运室、装载室和反应室，晶圆通过上料室进入储料室内，转运室内的机械手将储料室内的晶圆转运至装载室的托盘上，然后机械手将承载有晶圆的托盘转运至反应室内，使得晶圆在反应室内通过气相生长技术进行外延生长。相关技术中，在生产过程中晶圆在反应室内作用时间最长，而在反应过程中转运室、装载室有较多空闲，设备利用率较低，同时机器附属配套也比较复杂，比如真空系统、加热系统、特气分配系统、冷冻水循环系统等等，以上配套系统不能供给较多反应室使用，不能充分利用。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的实施例提出一种多腔室碳化硅外延设备，本申请的实施例提出一种多腔室碳化硅外延设备的使用方法。
2、本申请实施例的多腔室碳化硅外延设备包括上料室、...
【技术保护点】
1.一种多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，还包括旋转轴(13)和驱动件，所述旋转轴(13)沿竖直方向可转动地设在所述装载室(10)内，所述驱动件与所述旋转轴(13)的底端传动相连以驱动所述旋转轴(13)转动，所述旋转轴(13)的顶端与所述旋转台(12)相连。
3.根据权利要求2所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述旋转台(12)包括多个旋转臂(1202)，多个所述旋转臂(1202)沿所述旋转轴(13)的周向间隔设在所述旋转轴(13)上，且所述旋转臂(1202)水平设置，所述...
【技术特征摘要】
1.一种多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，还包括旋转轴(13)和驱动件，所述旋转轴(13)沿竖直方向可转动地设在所述装载室(10)内，所述驱动件与所述旋转轴(13)的底端传动相连以驱动所述旋转轴(13)转动，所述旋转轴(13)的顶端与所述旋转台(12)相连。
3.根据权利要求2所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述旋转台(12)包括多个旋转臂(1202)，多个所述旋转臂(1202)沿所述旋转轴(13)的周向间隔设在所述旋转轴(13)上，且所述旋转臂(1202)水平设置，所述旋转臂(1202)在其长度方向上远离所述旋转轴(13)的一端设有所述承载部(1201)。
4.根据权利要求3所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述承载部(1201)上设有定位装置(14)，所述定位装置(14)用于对所述晶圆托盘(6)进行定位。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述转运室(3)包括第一转运室(301)和第二转运室(302)，所述第一转运室(301)和所述第二转运室(302)上均设有多个所述反应室(8)。
6.根据权利要求5所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述储料室(2)包括第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，傅林坚，朱亮，张磊，刘毅，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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