【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造设备，具体涉及一种多腔室碳化硅外延设备。
技术介绍
1、碳化硅外延设备是一种集真空、高温和控制等技术为一体的高科技装备，用于第三代半导体材料碳化硅的同质外延生长。碳化硅外延设备包括上料室、储料室、转运室、装载室和反应室，晶圆通过上料室进入储料室内，转运室内的机械手将储料室内的晶圆转运至装载室的托盘上，然后机械手将承载有晶圆的托盘转运至反应室内，使得晶圆在反应室内通过气相生长技术进行外延生长。相关技术中，在生产过程中晶圆在反应室内作用时间最长，而在反应过程中转运室、装载室有较多空闲，设备利用率较低，同时机器附属配套也比较复杂，比如真空系统、加热系统、特气分配系统、冷冻水循环系统等等，以上配套系统不能供给较多反应室使用，不能充分利用。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的实施例提出一种多腔室碳化硅外延设备，本申请的实施例提出一种多腔室碳化硅外延设备的使用方法。
2、本申请实施例的多腔室碳化硅外延设备包括上料室、储料室、多个转运室、多个反应室和装载室，所述上料室和所述储料室之间设有第一阀门，所述储料室和所述转运室之间设有第二阀门，所述转运室内设有用于转运晶圆以及晶圆托盘的第一机械手，每个所述转运室上设有至少一个所述反应室，所述反应室与所述转运室之间设有第三阀门；
3、所述装载室与所述转运室之间设有第四阀门，所述装载室内设有旋转台，所述旋转台具有多个用于承载所述晶圆托盘的承载部，且所述承载部的数
4、在一些实施例中，本申请实施例的多腔室碳化硅外延设备还包括旋转轴和驱动件，所述旋转轴沿竖直方向可转动地设在所述装载室内，所述驱动件与所述旋转轴的底端传动相连以驱动所述旋转轴转动，所述旋转轴的顶端与所述旋转台相连。
5、在一些实施例中，所述旋转台包括多个旋转臂，多个所述旋转臂沿所述旋转轴的周向间隔设在所述旋转轴上，且所述旋转臂水平设置，所述旋转臂在其长度方向上远离所述旋转轴的一端设有所述承载部。
6、在一些实施例中，所述承载部上设有定位装置，所述定位装置用于对所述晶圆托盘进行定位。
7、在一些实施例中，所述转运室包括第一转运室和第二转运室，所述第一转运室和所述第二转运室上均设有多个所述反应室。
8、在一些实施例中，所述储料室包括第一储料室和第二储料室，所述第一储料室与所述第一转运室之间设有所述第二阀门，所述第二储料室与所述第二转运室之间设有所述第二阀门，所述第一储料室和所述第二储料室与所述上料室与之间均设有所述第一阀门。
9、在一些实施例中，所述上料室内具有用于放置晶圆盒的第一放置部和第二放置部，所述上料室内还设有第二机械手，所述第二机械手用于转运所述第一储料室内与所述第一放置部上的晶圆以及转运所述第二储料室内与所述第二放置部上的晶圆。
10、在一些实施例中，所述上料室内还设有晶圆校准器，所述晶圆校准器设于所述第一放置部和所述第二放置部之间，所述晶圆校准器用于对晶圆进行寻边和调心。
11、在一些实施例中，每个所述转运室内的所述第一机械手的数量为多个。
12、本申请的多腔室碳化硅外延设备的使用方法应用于上述任一实施例中所述的多腔室碳化硅外延设备，包括：
13、将所述转运室、所述反应室和所述装载室中的每一者减压至第一预设压力值；
14、将所述晶圆通过所述上料室上料至所述储料室内后，并将所述储料室减压至第一预设压力值；
15、控制每个所述转运室内的所述第一机械手将所述储料室内的所述晶圆转运至所述装载室内，并将所述晶圆装载至所述旋转台的至少一部分所述承载部放置的所述晶圆托盘上；
16、控制每个所述转运室内的所述第一机械手将所述旋转台上装载所述晶圆的所述晶圆托盘转运至与所述第一机械手对应的每个所述反应室内，以使所述晶圆在所述反应室内进行外延生长；
17、所述晶圆外延生长完成后，控制每个所述转运室内所述第一机械手将与所述第一机械手对应的每个所述反应室内装载所述晶圆的所述晶圆托盘转运至所述装载室内，并将装载所述晶圆的所述晶圆托盘放置在所述旋转台的至少一部分所述承载部上；
18、控制每个所述转运室内的所述第一机械手将所述装载室内所述旋转台上外延完成的所述晶圆转运至所述储料室内；
19、将所述储料室增压至第二预设压力值后，然后再将所述储料室内外延完成的所述晶圆输送所述上料室内并取出。
20、本申请实施例的多腔室碳化硅外延设备通过在一个装载室上设置多个转运室，并在每个转运室上设置至少一个反应室，与相关技术中一个装载室只配备一个转运室用于转运晶圆相比，使得一个装载室可以服务数量更多的反应室进行晶圆的转运工作，大大提高了装载室的利用率，进而提高了本申请实施例的碳化硅外延设备的设备利用率。
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1.一种多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，还包括旋转轴(13)和驱动件，所述旋转轴(13)沿竖直方向可转动地设在所述装载室(10)内，所述驱动件与所述旋转轴(13)的底端传动相连以驱动所述旋转轴(13)转动，所述旋转轴(13)的顶端与所述旋转台(12)相连。
3.根据权利要求2所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述旋转台(12)包括多个旋转臂(1202)，多个所述旋转臂(1202)沿所述旋转轴(13)的周向间隔设在所述旋转轴(13)上，且所述旋转臂(1202)水平设置，所述旋转臂(1202)在其长度方向上远离所述旋转轴(13)的一端设有所述承载部(1201)。
4.根据权利要求3所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述承载部(1201)上设有定位装置(14)，所述定位装置(14)用于对所述晶圆托盘(6)进行定位。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述转运室(3)包括第一转运室(301)和第二转运室(302)，所述第一转运
6.根据权利要求5所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述储料室(2)包括第一储料室(201)和第二储料室(202)，所述第一储料室(201)与所述第一转运室(301)之间设有所述第二阀门(5)，所述第二储料室(202)与所述第二转运室(302)之间设有所述第二阀门(5)，所述第一储料室(201)和所述第二储料室(202)与所述上料室(1)与之间均设有所述第一阀门(4)。
7.根据权利要求6所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述上料室(1)内具有用于放置晶圆盒(15)的第一放置部(17)和第二放置部(18)，所述上料室(1)内还设有第二机械手(16)，所述第二机械手(16)用于转运所述第一储料室(201)内所述第一放置部(17)上的晶圆以及转运所述第二储料室(202)内所述第二放置部(18)上的晶圆。
8.根据权利要求7所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述上料室(1)内还设有晶圆校准器(19)，所述晶圆校准器(19)设于所述第一放置部(17)和所述第二放置部(18)之间，所述晶圆校准器(19)用于对晶圆进行寻边和调心。
9.根据权利要求1所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，每个所述转运室(3)内的所述第一机械手(7)的数量为多个。
10.一种多腔室碳化硅外延设备的使用方法，该方法应用于权利要求1-9中任一项所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，还包括旋转轴(13)和驱动件，所述旋转轴(13)沿竖直方向可转动地设在所述装载室(10)内，所述驱动件与所述旋转轴(13)的底端传动相连以驱动所述旋转轴(13)转动，所述旋转轴(13)的顶端与所述旋转台(12)相连。
3.根据权利要求2所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述旋转台(12)包括多个旋转臂(1202)，多个所述旋转臂(1202)沿所述旋转轴(13)的周向间隔设在所述旋转轴(13)上，且所述旋转臂(1202)水平设置，所述旋转臂(1202)在其长度方向上远离所述旋转轴(13)的一端设有所述承载部(1201)。
4.根据权利要求3所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述承载部(1201)上设有定位装置(14)，所述定位装置(14)用于对所述晶圆托盘(6)进行定位。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述转运室(3)包括第一转运室(301)和第二转运室(302)，所述第一转运室(301)和所述第二转运室(302)上均设有多个所述反应室(8)。
6.根据权利要求5所述的多腔室碳化硅外延设备，其特征在于，所述储料室(2)包括第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，傅林坚，朱亮，张磊，刘毅，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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