本发明专利技术涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅的长晶方法，包括：步骤S1、切割研磨以及抛光；步骤S2、检测模块将碳化硅晶体表面划分为若干区域，检测各区域的粗糙度，统计各区域发出的散射信号数；步骤S3、判定碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，或，二次判定；步骤S4、根据统计的各区域的散射信号数的方差判定碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因；步骤S5、调节对应参数；步骤S6、采用调节后的参数制备下一批次碳化硅晶体；本发明专利技术根据碳化硅的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，提高了分析碳化硅质量的准确率，提高了碳化硅晶体的质量，提高了生产效率。
1、碳化硅是一种重要的半导体材料,具有高温稳定性、高硬度、高导热性、高化学稳定性等优良性能,被广泛应用于电力电子、光电子、半导体照明等领域。碳化硅长晶设备是制备碳化硅单晶的关键设备之一,其长晶方法对于单晶质量和产量具有重要影响。现有技术通过使用以sic为主要成分的坩埚，si-c溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素m与碳c结合而形成的金属碳化物的产生，但是针对碳化硅晶体质量的控制精度低，导致针对碳化硅长晶过程对应参数的调节时间长，工作效率低。
2、中国专利申请号：cn201410741299.6公开了一种碳化硅的晶体生长方法，该专利技术的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为si-c溶液的收容部，使用以sic为主要成分的坩埚。通过加热该sic坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的sic的si和c从与si-c溶液接触的坩埚表面的高温区域向si-c溶液内溶出，抑制与si-c溶液接触的坩埚表面的sic多晶的析出。从坩埚的上部使sic籽晶与这种状态的si-c溶液接触，从而使sic单晶在该sic籽晶上生长。通过使用以sic为主要成分的坩埚，si-c溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素m与碳c结合而形成的金属碳化物的产生。由此可见，所述碳化硅的晶体生长方法存在以下问题：由于针对碳化硅晶体质量的控制精度低，导致针对碳化硅长晶过程对应参数的调节时间长，工作效率低。
r/>技术实现思路
1、为此，本专利技术提供一种碳化硅的长晶方法，用以克服现有技术中由于针对碳化硅晶体质量的控制精度低，导致针对碳化硅长晶过程对应参数的调节时间长，工作效率低的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种碳化硅的长晶方法，包括：
3、制备模块通过坩埚将碳化硅粉制成碳化硅晶体，加工模块对制得的碳化硅晶体依次进行切割处理、研磨处理以及抛光处理；
4、检测模块将抛光加工后的碳化硅晶体表面划分为若干区域，并采用激光检测的方式依次检测各区域以根据单个区域发出的散射信号确定该区域的粗糙度，统计模块统计检测模块在检测过程中各区域发出的散射信号数；
5、数据分析模块根据统计的散射信号数判定碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，并根据所述检测模块测得的对应参数对碳化硅的长晶过程以及碳化硅晶体外表面是否符合预设标准进行二次判定，参数包括总散射信号数以及碳化硅晶体的电阻率；
6、调节模块根据所述数据分析模块的分析结果将所述碳化硅制备过程中的对应参数调节至对应值；
7、所述制备模块采用所述调节模块调节后的参数制备下一批次碳化硅晶体。
8、进一步地，所述数据分析模块在所述统计模块统计统计各区域发出的散射信号数完成时根据统计模块统计的总散射信号数判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
9、数据分析模块在判定碳化硅晶体外表面不符合预设标准时发出不合格信号；
10、所述数据分析模块在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据所述总散射信号数针对所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准进行二次判定，或，根据所述检测模块测得的碳化硅晶体的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准。
11、进一步地，所述数据分析模块根据所述总散射信号数二次判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
12、在二次判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据所述统计模块统计的各区域的散射信号数判定碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因，或，在二次判定碳化硅晶体外表面不符合预设标准时判定其原因为碳化硅晶体的制备过程的环境温度不符合预设标准。
13、进一步地，所述数据分析模块根据各所述区域散射信号数的方差判定所述碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因为碳化硅晶体的加工过程不符合预设标准，或，碳化硅晶体的制备过程不符合预设标准。
14、进一步地，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的加工过程中抛光液浓度的调节方式，且各调节方式针对抛光液浓度的调节幅度均不相同。
15、进一步地，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中加压过程中压力的调节方式，且各调节方式针对加压过程的压力的调节幅度均不相同。
16、进一步地，所述数据分析模块在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据测得的该碳化硅晶体的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，以及，根据碳化硅的电阻率对碳化硅的长晶过程是否符合预设标准进行二次判定。
17、进一步地，所述调节模块根据所述碳化硅晶体的电阻率判定将所述碳化硅晶体的制备过程中的压力调节至对应值，或，将碳化硅晶体的制备过程中坩埚的转动频率调节至对应值。
18、进一步地，所述调节模块基于所述碳化硅晶体的电阻率设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中坩埚的转动频率的调节方式，且各调节方式针对转动频率的调节幅度均不相同。
19、进一步地，所述调节模块基于所述总散射信号数设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中环境温度的调节方式，且各调节方式针对环境温度的调节幅度均不相同。
20、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于，本专利技术中所述数据分析模块根据统计的散射信号数判定碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，并在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据所述检测模块测得的该碳化硅的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，提高了分析碳化硅质量的准确率，并根据所述统计模块统计的总散射信号数针对所述碳化硅表面是否符合预设标准进行二次判定，调节模块根据数据分析模块的分析结果将碳化硅制备过程中的对应参数调节至对应值，提高了碳化硅晶体的质量，在保证碳化硅晶体的质量的同时，提高了生产效率。
21、进一步地，本专利技术中所述数据分析模块根据所述统计模块统计的总散射信号数确定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，并在判定所述碳化硅晶体外表面不符合预设标准时针对下一批次碳化硅晶体外表面是否符合预设标准进行判定，进一步提高了制备碳化硅的质量，数据分析模块在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据该碳化硅的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，进一步提高了分析碳化硅的质量的准确度。
22、进一步地，本专利技术中所述数据分析模块根据所述总散射信号数二次判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，进一步提高了分析碳化硅质量的准确度，并在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据所述统计模块统计的各区域的散射信号数判定碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因，进一步提高了分析碳化硅晶体的质量的准确度，在保证分析碳化硅的准确度的同时，提高了生产效率。
23、进一步地，本专利技术中所述数据分析模块根据各区域散射信号数的方差判定所述碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因为碳化硅的加工过程不符合预设标准，或，碳化硅的制备过本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种碳化硅的长晶方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块在所述统计模块统计统计各区域发出的散射信号数完成时根据统计模块统计的总散射信号数判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
3.根据权利要求2所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块根据所述总散射信号数二次判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
4.根据权利要求3所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块根据各所述区域散射信号数的方差判定所述碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因为碳化硅晶体的加工过程不符合预设标准，或，碳化硅晶体的制备过程不符合预设标准。
5.根据权利要求4所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的加工过程中抛光液浓度的调节方式，且各调节方式针对抛光液浓度的调节幅度均不相同。
6.根据权利要求4所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中加压过程中压力的调节方式，且各调节方式针对加压过程的压力的调节幅度均不相同。
7.根据权利要求6所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块在判定所述碳化硅晶体外表面符合预设标准时根据测得的该碳化硅晶体的电阻率判定碳化硅的长晶过程是否符合预设标准，以及，根据碳化硅的电阻率对碳化硅的长晶过程是否符合预设标准进行二次判定。
8.根据权利要求7所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块根据所述碳化硅晶体的电阻率判定将所述碳化硅晶体的制备过程中的压力调节至对应值，或，将碳化硅晶体的制备过程中坩埚的转动频率调节至对应值。
9.根据权利要求8所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述碳化硅晶体的电阻率设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中坩埚的转动频率的调节方式，且各调节方式针对转动频率的调节幅度均不相同。
10.根据权利要求9所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述总散射信号数设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程中环境温度的调节方式，且各调节方式针对环境温度的调节幅度均不相同。
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【技术特征摘要】
1.一种碳化硅的长晶方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块在所述统计模块统计统计各区域发出的散射信号数完成时根据统计模块统计的总散射信号数判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
3.根据权利要求2所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块根据所述总散射信号数二次判定所述碳化硅晶体外表面是否符合预设标准，以及，
4.根据权利要求3所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述数据分析模块根据各所述区域散射信号数的方差判定所述碳化硅的长晶过程不符合预设标准的原因为碳化硅晶体的加工过程不符合预设标准，或，碳化硅晶体的制备过程不符合预设标准。
5.根据权利要求4所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的加工过程中抛光液浓度的调节方式，且各调节方式针对抛光液浓度的调节幅度均不相同。
6.根据权利要求4所述的碳化硅的长晶方法，其特征在于，所述调节模块基于所述方差设有若干针对所述碳化硅晶体的制备过程...
【专利技术属性】
技术研发人员：董世昌，
申请(专利权)人：湖北微化装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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