【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，具体涉及布里奇曼法晶体生长的温度控制方法。
技术介绍
1、布里奇曼法也称之为定向结晶法，即在特定温度场的条件下，使化合物保持全熔状态，而后从熔体的一端到另一端缓慢结晶。此法主要用来生长单晶，亦可用来做一次分凝简单提纯。布里奇曼法单晶生长方式有：
2、1）盛晶体的容器体系不动，而整个加热炉体系缓慢移动，依靠结晶部位的温度梯度移动而生成单晶；
3、2）加热炉体系不动，盛晶体的容器体系缓慢移动，使熔体缓慢地经过炉子特定的温度梯度部位而生长成单晶；
4、3）加热炉体系与盛晶体容器体系均不移动，而采用降温的方法使温度场缓慢移动而生成单晶，此方法称为梯度凝固法。
5、水平布里奇曼法主要用来生长砷化镓单晶，也用来生长砷化铟、锑化铟或锑化镓单晶。生长砷化镓单晶的水平布氏炉分为：两温区炉（2t-hb）、三温区炉（3t-hb）和梯度凝固炉（gf）。
6、两温区炉是hb法生长砷化镓单晶的典型方法。2t-hb炉的结构及其温度分布见图1。镓和砷真空熔封在石英容器内。高温区保持在砷...
【技术保护点】
1.布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，包括高温炉、低温炉和加热模块，以及设置于高温炉和低温炉内侧的环形加热区，所述的环形加热区内设置有供石英舟通过的加热管，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，其特征在于，将所述的加热模块环形布设在所述的环形加热区中，并将处于同一环的加热模块设为同一区，并设置驱动模块控制该区加热模块沿着加热管的轴心转动。
3.根据权利要求1所述的布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，其特征在于，所述的初始化调试包括均一化测试和同步性测试，其中所述的均一化测试具体包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，包括高温炉、低温炉和加热模块，以及设置于高温炉和低温炉内侧的环形加热区，所述的环形加热区内设置有供石英舟通过的加热管，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，其特征在于，将所述的加热模块环形布设在所述的环形加热区中，并将处于同一环的加热模块设为同一区，并设置驱动模块控制该区加热模块沿着加热管的轴心转动。
3.根据权利要求1所述的布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，其特征在于，所述的初始化调试包括均一化测试和同步性测试，其中所述的均一化测试具体包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的布里奇曼法晶体生长的温度控制方法，其特征在于，在所述的均一化测试中，当所述的数据集的离散程度，不满足预设条件时，替换对应的加热模块，重新进行均一化测试。
5.根据权利要求3所述的布里...
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