本发明提供了一种抛光垫布设装置及布设方法，属于晶片抛光技术领域，解决了现有技术抛光垫与抛光盘之间的气泡不易处理的问题。本发明包括：抛光盘，抛光盘上设有布设区，所述布设区用于布设抛光垫，所述布设区包括：导热层，导热层与所述抛光盘相接，用于...

本技术公开了一种硅片清洗装置，包括输送架、吸附组件和清洗组件，所述输送架上设有具有吸附孔的输送带，所述吸附组件设在所述上层皮带部和下层皮带部之间，所述吸附组件包括顶板、分隔板和壳体，所述顶板与所述壳体之间限定出容纳腔，所述分隔板设在所述...

本技术公开了一种合道装置和应用该合道装置的硅片输送系统，所述合道装置包括多个上料输送带、转运组件、下料输送带、第一输送组件和第二输送组件，多个所述上料输送带平行间隔布置，以适于分别输送多个加工通道内的工件；所述转运组件的一端与所述下料输...

本申请涉及一种电镀钨丝金刚线及其制备方法。所述制备方法在预镀处理步骤之后，上砂步骤之前，进行热扩散处理，其中，预镀处理采用的电镀液中至少包括氢离子和镍离子，氢离子浓度为2mol/L‑3mol/L，镍离子浓度为0.4mol/L‑0.5mo...

本发明提供了一种断线防护装置及金刚线电镀设备，属于金刚线生产技术领域，解决了现有技术金刚线断线率较高的问题。本发明包括：断线器和储线组件，断线器具有断线端，断线器朝断线端方向延伸形成一断线区；储线组件包括：线轮、吸附组件以及第一驱动机构...

本申请提供一种抛光承载装置、最终抛设备及抛光方法，属于硅片抛光技术领域；包括：抛光层、连接层、支撑层以及压力检测组件，所述抛光层位于抛光承载装置顶部，抛光层包括一抛光面；连接层位于所述抛光承载装置底部，连接层为柔性层，可在外部压力作用下...

本申请提供一种抛光垫修整装置、最终抛设备及抛光垫修整方法，属于硅片抛光技术领域；包括：悬臂及承载机构，承载机构包括第一安装座及修整件，第一安装座具有至少一移动自由度，第一安装座具有多个；修整件对应安装于所述第一安装座，修整件具有一修整面...

本技术提供一种不良片剔除设备，所述不良片剔除设备包括承载输送装置、检测装置和吸附输送装置，承载输送装置包括沿其输送方向间隔排布的多个辊轴，辊轴可承载沿辊轴的轴向排布的至少两个硅片，检测装置的至少部分设在承载输送装置的上方，以检测沿辊轴的...

本发明提供一种驱动机构、晶片表面清理设备及抛光设备，驱动机构包括转料驱动件、输出轴、轮体支架和从动轮，输出轴连接于转料驱动件并能够转动，从动轮转动安装于轮体支架，输出轴及/或从动轮套设有可弹性形变的蓄水套，蓄水套在受压状态下释放液体。蓄...

本技术实施例提供一种硅片分选包装系统。所述硅片分选包装系统包括分选设备、包装设备和规整设备，分选设备包括分选装置和至少两个接料组件，分选装置用于将硅片分选至对应的接料组件内，包装设备用于包装叠加排布的多个硅片，规整设备设在分选设备和包装...

本技术实施例提供一种具有堵片剔除功能的晶圆上料装置，所述具有堵片剔除功能的晶圆上料装置包括升降架、输送机构和剔除件，升降架用于承载花篮，并可驱动花篮沿竖直方向移动，花篮用于放置沿竖直方向依次排布的多个晶圆，输送机构的至少一端相对于升降架...

本技术公开了一种供气系统和应用该供气系统的外延工艺设备，所述供气系统，包括进气管路、多个子管路、多个流量计和多个第一阀，多个所述子管路的一端均与所述进气管路相连，且多个所述子管路的另一端沿其中任意一者的径向并行排列，多个所述子管路适于将...

本技术实施例提供一种具有取料功能的分选设备，所述具有取料功能的分选设备包括机架、分选装置、接料组件和机械手，所述分选装置设在所述机架内，所述分选装置在分选方向的两侧分别设有对应的所述接料组件，所述机械手设在所述机架上，并相对于所述机架可...

本技术提供一种堆叠上料设备，所述堆叠上料设备包括吸附转运装置、料盒装置和上料装置，料盒装置同时位于吸附转运装置和上料装置的下方，以接收吸附转运装置提供的物料以及向上料装置供给物料，料盒装置相对于吸附转运装置和上料装置可运动，并具有至少两...

本技术实施例提供一种碳化硅外延设备。所述碳化硅外延设备包括装载腔、传送腔和反应组件，所述反应组件为至少两个，且所述装载腔和至少两个所述反应组件沿所述传送腔的周向间隔排布；每个所述反应组件均包括反应腔、电控柜和特气柜，所述装载腔和所有所述...

本发明提供了一种抛光垫表面处理装置及处理方法，属于晶片抛光技术领域，解决了现有技术抛光垫上的大颗粒难以处理的问题。本发明应用于抛光盘，所述抛光盘上设有抛光垫，所述抛光垫用于承载抛光液，所述处理装置包括图像获取组件、第一阻流组件、第二阻流...

本申请涉及半导体抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光设备及检测方法，包括：抛光盘，所述抛光盘具有工作面；抛光垫，所述抛光垫粘接设置于所述工作面上；以及检测组件，所述检测组件位于所述抛光盘和所述抛光垫之间，并连接于所述抛光盘或所述抛光垫上，所...

本申请涉及半导体抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光设备及检测方法，包括：抛光盘，所述抛光盘具有工作面；抛光垫，所述抛光垫粘接设置于所述工作面上；以及检测组件，所述检测组件位于所述抛光盘和所述抛光垫之间，并连接于所述抛光盘或所述抛光垫上，所...

本发明涉及一种P型SiC材料及其制备方法。该P型SiC材料的制备方法，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉反应腔室内；在SiC衬底表面形成缓冲层；向反应腔室交替通入第一混合气体以及第二混合气体，在缓冲层表面形成外延层，得到P型SiC材料...

本发明公开了一种反应腔及沉积设备，涉及沉积设备技术领域。该反应腔包括腔侧壁、连通腔、侧通法兰和冷却结构，腔侧壁的两端分别设有第一法兰和第二法兰，连通腔设于腔侧壁的一侧并与反应腔连通，侧通法兰设于连通腔远离腔侧壁的一端。冷却结构包括进液口...