提供能够抑制向成膜对象物的成膜速度的变动的整流板。根据实施方式，整流板具有低流路阻力区域和多个高流路阻力区域，所述整流板与喷射流体的多个喷嘴对置地设置，对流体进行整流，所述高流路阻力区域具有与多个喷嘴分别对置的喷嘴对置区域，所述低流路阻力区域，将多个高流路阻力区域分别包围，形成有多个第一贯通孔，且与高流路阻力区域相比流路阻力小。且与高流路阻力区域相比流路阻力小。且与高流路阻力区域相比流路阻力小。
【技术实现步骤摘要】
整流板、流体导入装置以及成膜装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及整流板、具有该整流板的流体导入装置以及具有该流体导入装置的成膜装置。
技术介绍
[0002]已知有从喷嘴喷射气体并通过具有贯通孔的整流板向腔室内导入气体的流体导入装置。另外，已知有使用这样的流体导入装置向腔室内导入气体并在晶片等基板上进行成膜的成膜装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012
‑
126968号公报
[0006]专利文献2：专利第4819411号公报
[0007]专利文献3：日本特开2013
‑
149513号公报
技术实现思路
[0008]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供能够抑制向成膜对象物的成膜速度的变动的整流板、流体导入装置以及成膜装置。
[0009]根据实施方式，整流板具有低流路阻力区域和多个高流路阻力区域，所述整流板与喷射流体的多个喷嘴对置地设置，对所述流体进行整流，所述高流路阻力区域具有与多个喷嘴分别对置的喷嘴对置区域，所述低流路阻力区域，将多个高流路阻力区域分别包围，形成有多个第一贯通孔，且与高流路阻力区域相比流路阻力小。
附图说明
[0010]图1是表示第一实施方式、比较例1、第二实施方式的成膜装置的概略立体图。
[0011]图2是从图1中的箭头II所示的方向观察第一实施方式及第二实施方式的成膜装置的俯视图。
[0012]图3是表示第一实施方式及第二实施方式的成膜装置的图2所示的流体导入装置的整流板与喷嘴的位置关系的概略图。
[0013]图4是图2及图3中的IV
‑
IV剖视图。
[0014]图5是表示第一实施方式的成膜装置的静止的基板上的成膜速度分布的概略立体图。
[0015]图6是表示将第一实施方式的流体导入装置的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移0.3mm而安装时的、整流板与喷嘴的位置关系的概略剖视图。
[0016]图7是表示第一实施方式的成膜装置的静止的基板上的成膜速度分布的概略立体图。
[0017]图8是表示第一实施方式的成膜装置的图5及图7所示的距基板的中心轴的距离与
成膜速度之间的关系的曲线图。
[0018]图9是表示比较例1的成膜装置的流体导入装置的整流板与喷嘴的位置关系的概略图。
[0019]图10是比较例1的图9中的X
‑
X剖视图。
[0020]图11是表示比较例1的成膜装置的静止的基板上的成膜速度分布的概略立体图。
[0021]图12是表示将比较例1的流体导入装置的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移0.3mm而安装时的、整流板与喷嘴的位置关系的概略剖视图。
[0022]图13是表示比较例1的成膜装置的静止的基板上的成膜速度分布的概略立体图。
[0023]图14是表示比较例1的成膜装置的图11及图13所示的距基板的中心轴的距离与成膜速度之间的关系的曲线图。
[0024]图15是表示第二实施方式的成膜装置的流体导入装置的整流板的概略俯视图。
[0025]图16是表示图15中的符号XVI所示的位置的图。
[0026]图17是图15中的XVII
‑
XVII剖视图。
[0027]图18是表示将第二实施方式的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移X+1.5mm而配置的成膜装置的旋转后的基板上的任意时刻的成膜速度分布的概略立体图。
[0028]图19是表示将第二实施方式的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移X
‑
1.5mm而配置的成膜装置的旋转后的基板上的任意时刻的成膜速度分布的概略立体图。
[0029]图20是表示将第二实施方式的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移配置的成膜装置中的距基板的中心轴的距离与时间平均后的成膜速度之间的关系的曲线图。
[0030]图21是表示第二实施方式的第一变形例的整流板的概略俯视图。
[0031]图22是表示将第二实施方式的第一变形例的整流板相对于腔室的基准位置而言偏移配置的成膜装置中的、距基板的中心轴的距离与成膜速度之间的关系的曲线图。
[0032]图23是求出从基板的中心到边缘为止的成膜速度的差分的数学式。
[0033]图24是表示第二实施方式的第二变形例的整流板的概略俯视图。
[0034]图25是表示在将图24所示的整流板安装于腔室的基准位置的状态下对基板进行成膜时，在整流板的正下方的腔室内未产生气体的上升气流这一情况的等高线图。
[0035]图26是表示在将第二实施方式的图15所示的整流板安装于腔室的基准位置的状态下对基板进行成膜时、整流板的正下方的腔室内的气体的上升气流的等高线图。
[0036]图27是表示比较例的整流板的概略俯视图。
[0037]图28是表示在将图27所示的整流板安装于腔室的基准位置的状态下对基板进行成膜时、整流板的正下方的腔室内的气体的上升气流的等高线图。
具体实施方式
[0038]以下，参照附图对第一实施方式以及第二实施方式进行说明。
[0039][第一实施方式][0040]图1中示出了使用例如CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法在晶片等基板8的表面使单晶膜外延生长的成膜装置10。该成膜装置10例如具有圆筒状的腔室12、可装卸地固定于腔室12的一端(上部)的流体导入装置(整流装置)14、设置于腔室12的另一端(下部)的排气部16、和设置于腔室12内的基板8的旋转台18。
[0041]腔室12的一端配置于腔室12的上端，腔室12的另一端配置于腔室12的下端。腔室12优选形成为相对于中心轴C旋转对称。在腔室12的一端固定有流体导入装置14。在腔室12的另一端设置有排气部16。腔室12内既可以是大气压，也可以通过例如与排气部16连接的未图示的吸引泵等而设为与大气压相比为低压。在此，对腔室12内设为与大气压相比为低压的情况进行说明。
[0042]旋转台18设置于腔室12的下方。旋转台18能够保持基板8。旋转台18能够在未图示的电动机等的作用下绕腔室12的中心轴C的轴而相对于腔室12旋转。旋转台18的旋转轴与腔室12的中心轴C优选一致。因此，成膜装置10能够通过在将基板8保持于旋转台18的状态下例如以1000rpm的转速使旋转台18以腔室12的中心轴C为中心而旋转，从而使基板8以1000rpm的转速旋转。
[0043]另外，在本实施方式中，作为一例，基板8是具有6英寸(约150mm)的直径的圆盘状。
[0044]流体导入装置14具有对流体进行整流的整流板22和将来自成膜装置10的外部的未图示的气体源的多种气体朝向整流板22喷射的多个喷嘴24。整流板22与喷射流体的喷嘴24对置。另外，作为一个例子，流体导入装置14成为如下构造：具有防止气体的泄漏的盖(封本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种整流板，与喷射流体的多个喷嘴对置地设置，对所述流体进行整流，其特征在于，具有：多个高流路阻力区域，具有与所述多个喷嘴分别对置的喷嘴对置区域；以及低流路阻力区域，将所述多个高流路阻力区域分别包围，形成多个第一贯通孔，且与所述高流路阻力区域相比所述低流路阻力区域的流路阻力小。2.根据权利要求1所述的整流板，其特征在于，所述高流路阻力区域封闭。3.根据权利要求1所述的整流板，其特征在于，在所述高流路阻力区域形成有与所述多个第一贯通孔相比开口面积小的1个或多个第二贯通孔。4.根据权利要求3所述的整流板，其特征在于，所述高流路阻力区域的开口面积密度，比所述低流路阻力区域的开口面积密度小。5.根据权利要求3所述的整流板，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：古谷优树，醍醐佳明，梅津拓人，春山俊，盐泽惠子，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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