【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射束检测器、多带电粒子束照射装置以及射束检测器的调整方法。
技术介绍
1、随着lsi的高集成化，半导体设备的电路线宽进一步微细化。作为形成用于向这些半导体设备形成电路图案的曝光用掩模(在步进器、扫描仪中使用的也称作中间掩模。)的方法，使用具有优异的析像度的电子束描绘技术。
2、作为电子束描绘装置，正在进行使用了多射束的描绘装置的开发。与用一个电子束描绘的情况相比，通过使用多射束，能够照射较多的射束，因此，能够大幅度提高处理量。在多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个孔的孔径部件而形成多射束，通过消隐孔径阵列进行各射束的消隐控制，未被遮挡的射束由光学系统缩小，向载置在可移动的工作台上的基板照射。
3、为了高精度地保持基板上的多射束的照射位置，重要的是高精度地掌握构成多射束的各射束在基板上的位置。射束根数较少，例如为几根左右，在射束间间距足够宽的构成中，在工作台上配置与各射束用的射束根数相同数量的标记，通过用各射束在对应的标记上扫描，能够测定各射束的位置(例如，参照日本特开2009-9882号公报)。
4、但是，随着电路图案的微细化，为了大幅度提高处理量，需要更多的射束根数的多射束。并且，随着射束根数的增加，射束直径变小，射束间间距变窄。这样，随着射束根数增加且射束间间距变窄，难以从所照射的多射束中使用单独地配置在工作台上的标记逐个地检测各射束。
5、提出了使用形成有一个比多射束的射束间间距小且比射束直径大的尺寸的通过孔的薄膜的孔径，利用光电二极
技术实现思路
1、本专利技术提供一种使两级孔径的孔高精度地对位的射束检测器、多带电粒子束照射装置以及射束检测器的调整方法。
2、本专利技术的一个方式的射束检测器具备：第1孔径基板，形成有比多带电粒子束的射束间间距小的第1通过孔；第2孔径基板，形成有通过上述第1通过孔后的1根检测对象射束能够通过的第2通过孔；以及传感器，检测通过上述第2通过孔后的上述检测对象射束的射束电流，上述第2孔径基板包含对光具有透射性的导电性的材料。
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1.一种射束检测器，具备：
2.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
3.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
4.根据权利要求3所述的射束检测器，其中，
5.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
6.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
7.一种多带电粒子束照射装置，具备：
8.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
9.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
10.根据权利要求9所述的多带电粒子束照射装置，其中，
11.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
12.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
13.一种射束检测器的调整方法，进行形成有比多带电粒子束的射束间间距小的第1通过孔的第1孔径基板的该第1通过孔与形成有该多射束的1根检测对象射束能够通过的第2通过孔的第2孔径基板的该第2通过孔的对位，该射束检测器的调整方法包括如下工序：
14.根据权利要求13所述的射束检测器
15.根据权利要求13所述的射束检测器的调整方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种射束检测器，具备：
2.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
3.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
4.根据权利要求3所述的射束检测器，其中，
5.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
6.根据权利要求1所述的射束检测器，其中，
7.一种多带电粒子束照射装置，具备：
8.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
9.根据权利要求7所述的多带电粒子束照射装置，其中，
10.根据权利要求9所述的多带电粒子束照...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤保尚，明野公信，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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