【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子束描绘装置以及电子束描绘方法，例如涉及因多射束描绘而产生的位置偏移的校正方法。
技术介绍
1、担负半导体设备的微细化的进展的光刻技术是在半导体制造工序中唯一生成图案的极其重要的工艺。近年来，随着lsi的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。此处，电子线(电子束)描绘技术在本质上具有优异的析像度，使用电子线向晶片等进行描绘。
2、例如，有使用了多射束的描绘装置。与用一个电子束描绘的情况相比，通过使用多射束，能够一次照射较多的射束，因此能够大幅度提高处理量。在这种多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别进行消隐控制，未被遮挡的各射束由光学系统缩小，由偏转器偏转而向试样上的所希望的位置照射。
3、此处，在使用了电子束的描绘中，通过照射电子束，从试样发射反射电子、二次电子。如果这种二次电子等返回试样，则试样面带电，存在电子束的照射位置偏移这样的问题。为了使从这种试样面所发射的二次电子等不返回试样面，公开了如下方法：对由环状的3级电极构成的静电透...
【技术保护点】
1.一种电子束描绘装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电子束描绘装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，p>
10.根据...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子束描绘装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电子束描绘装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电子束描绘装置，其特征在于，
...【专利技术属性】
技术研发人员：野村春之，森田博文，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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