【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及检查装置及检查方法。
技术介绍
1、在半导体设备的制造工序中,使用曝光装置,将图案转印到形成于半导体基板(也称作“晶片”)的上方的感光材料层(抗蚀剂)上,经由蚀刻工序等形成绝缘体及导电体等的微细的图案。为了转印,使用掩模(mask)或标线片(reticle)。掩模具备被向绝缘体及导电体转印的图案的原画图案。为了在绝缘体及导电体上形成微细的图案,要求掩模的原画图案也是微细的。因此,对于掩模的缺陷检查装置要求具有能够检测微细的原画图案中的缺陷的较高的性能。随着图案的微细化,以往较多采用使用了duv(deep ultraviolet,深紫外)光等的光的检查装置,但今后使用euv(extreme ultraviolet,极紫外)光(光化检查,actinic inspection)或电子线的检查装置可能会成为主流。
2、缺陷的检查例如可以利用比较检查图像与参照图像进行,检查图像是基于对掩模进行摄影后的图像(摄影图像)而得到的,参照图像是基于对形成在掩模上的图案进行定义的设计数据而得到的。缺陷检查装置例如从摄影图
...【技术保护点】
1.一种检查装置,其中,
2.如权利要求1所述的检查装置,其中,
3.如权利要求1所述的检查装置,其中,
4.如权利要求3所述的检查装置,其中,
5.如权利要求3所述的检查装置,其中,
6.如权利要求5所述的检查装置,其中,
7.如权利要求5所述的检查装置,其中,
8.如权利要求7所述的检查装置,其中,
9.如权利要求7所述的检查装置,其中,
10.如权利要求9所述的检查装置,其中,
11.一种检查装置,其中,
12.如权利要求11所述的
...【技术特征摘要】
1.一种检查装置,其中,
2.如权利要求1所述的检查装置,其中,
3.如权利要求1所述的检查装置,其中,
4.如权利要求3所述的检查装置,其中,
5.如权利要求3所述的检查装置,其中,
6.如权利要求5所述的检查装置,其中,
7.如权利要求5所述的检查装置,其中,
8.如权利要求7所述的检查装置,其中,
9.如权利要求7所述的检查装置,其中,
10.如权利要求9所述的检查装...
【专利技术属性】
技术研发人员:白土昌孝,小川力,能弹长作,
申请(专利权)人:纽富来科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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