【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请是主张以2021年10月26日在日本提交的jp2021-174613(申请号)为基础申请的优先权的申请。jp2021-174613所记载的全部内容通过参照而被合并到本申请中。本专利技术涉及多电子束图像获取装置及多电子束图像获取方法，涉及一种向基板照射多个初级电子束并检测从基板释放的多个次级电子束而获得图像的方法。
技术介绍
1、近年来，伴随着大规模集成电路(lsi)的高度集成化及大容量化，半导体元件所要求的电路线宽愈发变窄。并且，对耗费大量制造成本的lsi的制造来说，成品率的提高是不可或缺的。但是，以1千兆比特级的dram(随机存取存储器)为代表，构成lsi的图案为亚微米至纳米的级别。近年来，伴随着形成在半导体晶圆上的lsi图案尺寸的微细化，必须作为图案缺陷检测出来的尺寸也变得极小。因此，需要对被转印到半导体晶圆上的超微细图案的缺陷进行检查的图案检查装置的高精度化。此外，作为使成品率降低的一个很大的原因，可列举在通过光刻技术向半导体晶圆上曝光、转印超微细图案时使用的掩模的图案缺陷。因此，需要对用于lsi制造的转印用掩模的缺陷进行检查的图案检查装置的高精度化。
2、在检查装置中，例如，将使用了电子束的多射束照射于检查对象基板，检测与从检查对象基板释放的各射束对应的次级电子，从而拍摄图案图像。并且，已知通过将拍摄到的测定图像与设计数据或者对基板上的相同图案进行拍摄而得的测定图像比较来进行检查的方法。例如，有如下检查：“die to die(裸片-裸片)检查”，将对相同基板上的不同部位的相同图案进行拍摄而得的测定图像
3、在使用多射束进行拍摄的情况下，利用多个初级电子束在规定的范围内扫描基板。因此，各次级电子束的释放位置时刻变化。为了使释放位置发生了变化的各次级电子束照射到多检测器的对应的检测区域内，为了将因释放位置的变化而引起的多个次级电子书的位置移动抵消，需要进行使多个次级电子束回返的偏转。
4、在此，在进行伴随着扫描的多个初级电子束的偏转的位置与进行多个次级电子束的回返偏转的位置之间，使用像散修正器等对多个次级电子束的射束阵列分布形状进行修正。然而，在一边用多个初级电子束进行扫描一边修正多个次级电子束的射束阵列分布形状的情况下，存在如下问题：即便使修正后的多个次级电子束进行回返偏转，回返后的位置也会产生误差。
5、在此，虽然不是多射束，但公开了一种通过将对像面弯曲像差进行修正的修正电压与对像散像差进行修正的修正电压相加并施加于偏转器的各电极来修正偏转像差的方案(例如，参照专利文献1)。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开2007-188950号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在本专利技术的实施方式中，提供一种能够在修正多个次级电子束的射束阵列分布形状的情况下使抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动的多个次级电子束的回返偏转后的误差降低的装置及方法。
3、用于解决课题的手段
4、本专利技术的一方式的多电子束图像获取装置的特征在于，具备：
5、工作台，载置试样；
6、释放源，释放多个初级电子束；
7、第一偏转器，通过多个初级电子束的偏转，利用多个初级电子束扫描试样；
8、修正器，对因向试样照射多个初级电子束而释放的多个次级电子束的射束阵列分布形状进行修正；
9、第二偏转器，使被修正了多个次级电子束的射束阵列分布形状的多个次级电子束偏转；
10、检测器，检测被偏转了的多个次级电子束；以及
11、偏转控制电路，以向第二偏转器施加将偏转电位与修正电位叠加而得的叠加电位的方式进行控制，所述偏转电位是用于抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动的电位，所述修正电位是对由于多个次级电子束的射束阵列分布形状的修正而产生的与用于扫描的偏转量对应的变形进行修正的电位。
12、本专利技术的另一方式的多电子束图像获取装置的特征在于，具备：
13、工作台，载置试样；
14、释放源，释放多个初级电子束；
15、第一偏转器，通过多个初级电子束的偏转，利用多个初级电子束扫描试样；
16、第二偏转器，通过因向试样照射多个初级电子束而释放的多个次级电子束的偏转，抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动；
17、修正器，对通过多个次级电子束的偏转而抵消了多个次级电子束的位置移动的多个次级电子束的射束阵列分布形状进行修正；以及
18、检测器，检测被修正了多个次级电子束的射束阵列分布形状的多个次级电子束。
19、本专利技术的一方式的多电子束图像获取方法的特征在于，
20、释放多个初级电子束，
21、使用第一偏转器，通过多个初级电子束的偏转，利用多个初级电子束对载置于工作台的试样进行扫描，
22、对因向试样照射多个初级电子束而释放的多个次级电子束的射束阵列分布形状进行修正，
23、使用被施加了将偏转电位与修正电位叠加而得的叠加电位的第二偏转器，使被修正了多个次级电子束的射束阵列分布形状的多个次级电子束偏转，所述偏转电位是用于抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动的电位，所述修正电位是对由于多个次级电子束的射束阵列分布形状的修正而产生的与用于扫描的偏转量对应的变形进行修正的电位，
24、检测被偏转了的多个次级电子束，输出检测图像数据。
25、本专利技术的另一方式的多电子束图像获取方法的特征在于，
26、释放多个初级电子束，
27、使用第一偏转器，通过多个初级电子束的偏转，利用多个初级电子束对载置于工作台的试样进行扫描，
28、使用第二偏转器，通过因向试样照射多个初级电子束而释放的多个次级电子束的偏转，抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动，
29、对通过多个次级电子束的偏转而抵消了多个次级电子束的位置移动的多个次级电子束的射束阵列分布形状进行修正，
30、检测被修正了多个次级电子束的射束阵列分布形状的多个次级电子束，输出检测图像数据。
31、专利技术效果
32、根据本专利技术的一方式，在修正多个次级电子束的射束阵列分布形状的情况下，能够使抵消与多个初级电子束的扫描相伴的多个次级电子束的位置移动的多个次级电子束的回返偏转后的误差降低。
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1.一种多电子束图像获取装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
6.一种多电子束图像获取装置，其特征在于，具备：
7.根据权利要求6所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，还具备：
9.一种多电子束图像获取方法，其特征在于，
10.一种多电子束图像获取方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多电子束图像获取装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的多电子束图像获取装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：石井浩一，安藤厚司，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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