【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法及晶圆制备方法。
技术介绍
1、在半导体刻蚀工艺中，半导体钝化层（passivation）在刻蚀过程中会产生电弧击穿(arcing)。电弧击穿会对产品产生致命的影响，一般产生电弧击穿产品需要直接报废，并且这种缺陷在发生的瞬间，会产生大量的颗粒，对刻蚀机台的腔体产生污染，会导致蚀刻速率产生变化，会使机台宕机，从而降低机台使用寿命。
2、现有的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法通常是通过顶层金属光刻工艺的调整，设法消除晶圆标识区域的大块铝结构，以降低电弧击穿的发生概率，但是对于厚度较大的钝化层膜层结构的产品，依然会产生电弧击穿，导致器件损坏。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法及晶圆制备方法，以解决现有的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法对于厚度较大的钝化层膜层结构的产品，依然会产生电弧击穿，导致器件损坏的技术问题。
2、本专利技术提供了一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法
【技术保护点】
1.一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，在所述对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理之后，还包括：
3.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的EBR参数和WEE参数，包括：
4.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的EBR参数和WEE参数，包括：
5.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金...
【技术特征摘要】
1.一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，在所述对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理之后，还包括：
3.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
4.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
5.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，张青，曾冠霖，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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