【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法及晶圆制备方法。
技术介绍
1、在半导体刻蚀工艺中，半导体钝化层（passivation）在刻蚀过程中会产生电弧击穿(arcing)。电弧击穿会对产品产生致命的影响，一般产生电弧击穿产品需要直接报废，并且这种缺陷在发生的瞬间，会产生大量的颗粒，对刻蚀机台的腔体产生污染，会导致蚀刻速率产生变化，会使机台宕机，从而降低机台使用寿命。
2、现有的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法通常是通过顶层金属光刻工艺的调整，设法消除晶圆标识区域的大块铝结构，以降低电弧击穿的发生概率，但是对于厚度较大的钝化层膜层结构的产品，依然会产生电弧击穿，导致器件损坏。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法及晶圆制备方法，以解决现有的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法对于厚度较大的钝化层膜层结构的产品，依然会产生电弧击穿，导致器件损坏的技术问题。
2、本专利技术提供了一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，包括：
3、提供一衬底，在所述衬底上方依次形成第一层金属层、顶层金属层、光阻层、钝化层膜层和等离子体；所述第一层金属层和所述顶层金属层之间通过连接孔连接；
4、对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理；
5、设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，将所述ebr参数和所述wee参数所设定距离的区域光刻胶去除，使得钝化层膜层完整包裹所述顶层金属层；所述顶层金属
6、刻蚀去除晶圆边缘未被光刻胶遮盖的金属。
7、进一步的，在所述对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理之后，还包括：
8、对处于所述晶圆标识区域的顶层金属层不进行曝光处理。
9、进一步的，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
10、基于光刻机中ebr参数和wee参数的偏移值，设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数。
11、进一步的，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
12、采用光刻工艺，将所述顶层金属层的ebr参数设定为x-0.4mm，将所述顶层金属层的wee参数设定为x-0.8 mm，其中x为钝化层膜层wee参数。
13、进一步的，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
14、利用光刻工艺设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数。
15、本专利技术还提供了一种晶圆制备方法，包括：
16、采用上述防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法进行钝化层刻蚀，得到晶圆结构。
17、本专利技术还提供了一种晶圆，所述晶圆由上述的晶圆制备方法制备得到，包括：
18、衬底，依次设置在所述衬底上方的第一层金属层、顶层金属层、光阻层、钝化层膜层和等离子体。
19、进一步的，晶圆还包括金属封装膜层，所述金属封装膜层设置于所述第一层金属层和所述顶层金属层之间。
20、进一步的，所述顶层金属层的wee参数小于所述第一层金属层的wee参数。
21、本专利技术实施例通过设定顶层金属层的ebr参数和wee参数，将ebr参数和wee参数所设定距离的区域光刻胶去除，使得钝化层膜层完整包裹顶层金属层，从而能够避免等离子体与金属直接接触，并保留一定的安全距离，进而能够有效避免电弧击穿现象的发生，且本专利技术实施例对于处于晶圆标识区域（wafer mark区域）中的连接孔不进行曝光处理，使得钝化层中的光刻胶能够被完整保留，通过保留完整的光刻胶，能够避免在打完markid（标识id）后，保留下来的图案干扰id的读取。
22、进一步的，本专利技术实施例将顶层金属层的wee参数设定为小于钝化层膜层的wee参数，能够使得钝化层膜层将顶层金属层完整包裹起来，不仅可以防止其与外界环境接触，减少金属层的氧化、腐蚀和其他可能的损伤，提高顶层金属层的可靠性和长期性能，而且钝化层膜层可以提供电气绝缘性能，能够阻止电荷在金属层之间或与周围环境之间的漏电，当顶层金属层完整地被钝化层膜层包裹时，可以有效地减少电荷漏电的风险，从而能够有效避免电弧击穿的现象发生。
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1.一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，在所述对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理之后，还包括：
3.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的EBR参数和WEE参数，包括：
4.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的EBR参数和WEE参数，包括：
5.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的EBR参数和WEE参数，包括：
6.一种晶圆制备方法，其特征在于，包括：
7.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆由权利要求6所述的晶圆制备方法制备得到，包括：
8.如权利要求7所述的晶圆，其特征在于，还包括金属封装膜层，所述金属封装膜层设置于所述第一层金属层和所述顶层金属层之间。
9.如权利要求7所述的晶圆，其特征在于，所述顶层金属层的WEE参数小于所述第一层金属层的
...【技术特征摘要】
1.一种防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，在所述对处于晶圆标识区域的连接孔不进行曝光处理之后，还包括：
3.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
4.如权利要求1所述的防止钝化层蚀刻产生电弧击穿的方法，其特征在于，所述设定所述顶层金属层的ebr参数和wee参数，包括：
5.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，张青，曾冠霖，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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