The invention discloses a method for heating tungsten coated tablet and a preparation method of MOCVD device, the preparation method comprises the following steps: tungsten plate density not less than 99% theoretical density, the purity of more than 99.99% and the average grain size of less than or equal to 50 mu m by vacuum hot pressing sintering method; the tungsten plate is processed into heating substrate of polycyclic C the structure of re surrounded, with two pieces of heating substrate symmetrically arranged layout, with the method of spray tungsten pretreatment of substrate surface heating and pre activation treatment; 40 ~ 80 mesh spherical tungsten powder baking treatment by plasma spraying technology in heating substrate rough surface coated with a layer of thickness 10 m ~ 100 m, with strong and has high thermal emissivity of rough tungsten coating, so as to obtain a MOCVD for equipment, which has high transmitting rate, can improve the uniformity of temperature field of MOCVD equipment Tungsten coated heating sheet with long service life.
【技术实现步骤摘要】
一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片及其制备方法
本专利技术涉及用于生产半导体芯片的MOCVD设备领域,具体为一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片及其制备方法。
技术介绍
MOCVD(MetalorganicchemicalvaporDeposition)即金属有机物化学气相沉积,是一门生产制造化合物半导体器件的新型气相外延生长技术。该技术一般是以Ⅱ、Ⅲ族元素的有机化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物作为生长源材料,在具有一定温度的衬底上发生热分解反应进行气相外延生长Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单层。MOCVD设备中,加热片为其关键元件,为气相沉积提供所需要的温度。该设备的加热系统是以红外辐射加热为原理,给具有高电阻的加热片通以大电流,从而加热片产生较大的热量,温度可达到1400-2000℃,高温加热片作为发热体通过热辐射的方式给衬底提供温度,使得气相沉积反应得以进行。加热片一般是采用电阻大且热负荷比较高的钨或者铼加热片,考虑到铼的价格比较昂贵、成本高,因此目前大部分MOCVD设备使用的是钨材料加热片。随着MOCVD技术的发展,降低半导体器件的制造成本以及提高产品质量是目前亟待解决的问题,因此对MOCVD设备加热片的使用寿命、热发射率及其提供的温场的均匀性有了更高的要求。
技术实现思路
本专利技术旨在克服现有技术的不足,专利技术一种具有高热发射率、可提高MOCVD设备温场均匀性且使用寿命长的钨涂层加热片及其制备方法。本专利技术的制备方法包括以下步骤:a)以纯度≥99.99%且平均费氏粒度为1~10μm的高纯钨粉为原料,采用真空热压烧结法获得 ...
【技术保护点】
一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a)以纯度≥99.99%且平均费氏粒度为1~10μm的高纯钨粉为原料,采用真空热压烧结法获得密度≥99%理论密度、纯度≥99.99%且平均晶粒尺寸≤50μm的钨板;b)将所述钨板加工成重复环绕的多环C形结构的加热片基体,采用两片所述加热片基体对称安装布局;c)利用喷砂机将20~80目的钨砂打到所述加热片基体表面,再经过丙酮清洗获得洁净、粗糙的表面;d)对所述加热片基体进行预热处理以活化所述加热片基体表面;e)提供40~80目的球形钨粉,对所述球形钨粉进行烘烤处理;f)通过等离子喷涂技术,采用所述球形钨粉在所述加热片基体表面热喷涂形成厚度为10~100μm的粗糙钨涂层,从而获得所述钨涂层加热片。
【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a)以纯度≥99.99%且平均费氏粒度为1~10μm的高纯钨粉为原料,采用真空热压烧结法获得密度≥99%理论密度、纯度≥99.99%且平均晶粒尺寸≤50μm的钨板;b)将所述钨板加工成重复环绕的多环C形结构的加热片基体,采用两片所述加热片基体对称安装布局;c)利用喷砂机将20~80目的钨砂打到所述加热片基体表面,再经过丙酮清洗获得洁净、粗糙的表面;d)对所述加热片基体进行预热处理以活化所述加热片基体表面;e)提供40~80目的球形钨粉,对所述球形钨粉进行烘烤处理;f)通过等离子喷涂技术,采用所述球形钨粉在所述加热片基体表面热喷涂形成厚度为10~100μm的粗糙钨涂层,从而获得所述钨涂层加热片。2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法,其特征在于:步骤a)中,将所述原料装入热压烧结模具内,再将所述热压烧结模具置于真空热压烧结炉中,按5~10℃/min的升温速率升温至2000~2300℃,加压至35~50MPa,保温保压150~200min进行真空热压烧结。3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的钨涂层加热片的制备方法,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:白锋,詹标,黄志民,黄羽,
申请(专利权)人:厦门虹鹭钨钼工业有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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