一种气相沉积装置制造方法及图纸

本申请公开一种气相沉积装置，包括：炉体，所述炉体内设置有容置腔；设置在所述容置腔内的支撑台，所述支撑台用于承载工件；向所述容置腔内输送沉积气的进气组件，所述进气组件设置有两组，且两组所述进气组件对称设置在所述容置腔的两侧；设置在所述炉体上，与所述容置腔连通的出气组件；驱动组件，所述驱动组件的输出端与所述支撑台相连，带动所述支撑台绕所述输出端的轴线方向转动的同时沿所述输出轴的轴线方向移动。本申请提供的化学气沉积装置，相较于现有技术而言，能够改善大尺寸或异形工件表面沉积厚度不均匀的问题，提高产品的性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积装置


[0001]本申请涉及化工设备
，更具体地说，尤其涉及一种气相沉积装置。

技术介绍

[0002]半导体材料是半导体产业链中的重要环节，也是集成电路行业发展的基础。随着我国集成电路行业的高速发展，半导体材料经历了多次变革。与第一代半导体(Si、Ge)相比，第三代半导体(SiC、GaN、ZnO等)电导率更高、禁带宽度更大、热导率更高，被广泛应用于微波射频器件的“核芯”、半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车等领域。尤其在半导体发光二极管(LED)行业，第三代半导体GaN材料因其具备高频率、低损耗、高效率的特性而备受专家学者的关注。目前，制备新一代半导体GaN单晶的方法众多，外延生长法是最常用的方法。SiC涂层石墨基座是该制备过程中的关键耗材，故其品质的优劣将严重影响到SiC涂层石墨基座在半导体照明行业的应用。
[0003]化学气相沉积技术是制备SiC涂层石墨基座的重要方法，目前往往采用将石墨基座放置在化学气相沉积设备内进行沉积，但是对于大型或者异形的石墨基座来讲，其表面沉积性能受沉积装置内部的温度场和气流场的影响较大，传统的气相沉积装置用于大尺寸或者异形石墨基座的气相沉积中时，石墨基座表面的沉积厚度的均匀性变差，严重影响了产品的使用性能。
[0004]因此，亟需一种气相沉积装置，用于大尺寸工件的气相沉积中，能够改善大尺寸或异形工件表面沉积厚度不均匀的问题，提高产品的性能。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本申请提供一种气相沉积装置，能够改善大尺寸或异形工件表面沉积厚度不均匀的问题，提高产品的性能。
[0006]本申请提供的技术方案如下：
[0007]一种气相沉积装置，包括：
[0008]炉体，所述炉体内设置有容置腔；
[0009]设置在所述容置腔内，用于承载工件的支撑台；
[0010]向所述容置腔内输送沉积气的进气组件，所述进气组件设置有两组，且两组所述进气组件对称设置在所述容置腔的两侧；
[0011]设置在所述炉体上，与所述容置腔连通的出气组件；
[0012]驱动组件，所述驱动组件的输出端与所述支撑台相连，带动所述支撑台绕所述输出端的轴线方向转动的同时沿所述输出轴的轴线方向移动。
[0013]优选地，所述驱动组件，包括：
[0014]与所述支撑台相连的第一连杆，所述第一连杆远离所述支撑台的一端与旋转驱动件相连，以使得所述支撑台绕所述第一连杆的轴线方向转动；
[0015]套设在所述第一连杆的外侧，与所述炉体活动连接的第二连杆，所述第二连杆与
移动驱动件相连，所述移动驱动件带动所述第二连杆沿其轴线方向移动。
[0016]优选地，所述进气组件，包括：
[0017]活动设置在所述炉体的侧壁的进气管，所述进气管至少设置有两组，且沿所述炉体的高度方向间隔设置；
[0018]设置在所述容置腔内，与所述进气管的出气端相连，用于向所述容置腔内均匀分布气流的分气件。
[0019]优选地，所述进气组件，还包括：
[0020]设置在所述炉体外，与所述进气管相连，用于调节所述进气管与所述侧壁之间的角度的进气调节机构。
[0021]优选地，所述分气件具体为：与所述进气管的出气端连通的球状空腔，所述球状空腔的外表面间隔设置有分气孔。
[0022]优选地，所述出气组件，包括：
[0023]与所述容置腔连通的出气管，所述出气管的出口处设置有用于打开关闭所述出气管的开关，所述出气管设置有两组，分别设置在所述炉体的顶部和底部。
[0024]优选地，所述出气组件，还包括：
[0025]真空抽气系统，所述真空抽气系统用以与所述出气管相连，用于抽取所述容置腔内的气体。
[0026]优选地，所述出气组件，还包括：
[0027]尾气净化系统，所述尾气净化系统用以与所述出气管相连，用于净化排出的反应气体。
[0028]优选地，还包括：
[0029]设置在所述炉体上，用于加热所述容置腔内的反应气的加热装置；
[0030]用于检测所述容置腔内的温度的测温装置；
[0031]与所述测温装置相连的控制器，所述控制器与所述加热装置相连。
[0032]优选地，所述出气组件，还包括：
[0033]设置在所述容置腔内的压力传感器，所述压力传感器与所述控制器相连，所述控制器与所述出气管的开关相连。
[0034]本专利技术提供的气相沉积装置，主要用于大尺寸或异形工件中，首先由于设置有炉体、支撑台、进气组件以及出气组件，其中，炉体内设置有容置腔，容置腔为密闭的空腔，支撑台设置在容置腔内，支撑台用于承载工件，进气组件用于向容置腔内输送沉积气，进气组件设置有两组，且对称设置在炉体的两侧，减轻了工件各处受气流场的影响，且外部的沉积气进入到容置腔内能够快速均匀混合，防止出现容置腔各处的沉积气温度不均匀的问题，出气组件用于排出容置腔内的反应气体。
[0035]其次，为了进一步保证工件表面的沉积质量，还设置有驱动组件，驱动组件的输出端与支撑台相连，带动支撑台绕输出端的轴线方向转动的同时沿输出轴的轴线方向移动，在驱动组件的作用下，支撑台以及工件能够在容置腔内以第一速度转动的同时沿输出轴的轴线方向以第二速度移动，一方面，能够使工件的各个表面均能与沉积气均匀接触，另一方面，支撑台带动了容置腔内的沉积气的流动，外部的沉积气进入到容置腔内能够快速均匀混合，容置腔内各处的温度一致，进而保证工件表面的沉积质量。由此可见，与现有技术相
比，本专利技术实施例中的气相沉积装置，能够改善大尺寸或异形工件表面沉积厚度不均匀的问题，提高产品的性能。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为本专利技术实施例提供的气相沉积装置的一种结构示意图；
[0038]图2为本专利技术实施例提供的分气件的一种结构示意图；
[0039]图3为图2的侧视图；
[0040]图4为图2的俯视图。
[0041]附图标记：1、炉体；2、工件；3、支撑台；4、驱动组件；6、出气管；81、加热装置；82、隔热层；9、真空抽气系统；41、第一连杆；42、旋转驱动件；43、第二连杆；44、移动驱动件；51、进气管；52、分气件；53、分气孔；54、进气调节机构；71、红外测温机构；72、热电偶测温机构。
具体实施方式
[0042]为了使本领域的技术人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括：炉体(1)，所述炉体(1)内设置有容置腔；设置在所述容置腔，用于承载工件(2)的支撑台(3)；向所述容置腔内输送沉积气的进气组件，所述进气组件设置有两组，且两组所述进气组件对称设置在所述容置腔的两侧；设置在所述炉体(1)上，与所述容置腔连通的出气组件；驱动组件(4)，所述驱动组件(4)的输出端与所述支撑台(3)相连，带动所述支撑台(3)绕所述输出端的轴线方向转动的同时沿所述输出轴的轴线方向移动。2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述驱动组件(4)，包括：与所述支撑台(3)相连的第一连杆(41)，所述第一连杆(41)远离所述支撑台(3)的一端与旋转驱动件(42)相连，以使得所述支撑台(3)绕所述第一连杆(41)的轴线方向转动；套设在所述第一连杆(41)的外侧，与所述炉体(1)活动连接的第二连杆(43)，所述第二连杆(43)与移动驱动件(44)相连，所述移动驱动件(44)带动所述第二连杆(43)沿其轴线方向移动。3.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件，包括：活动设置在所述炉体(1)的侧壁的进气管(51)，所述进气管(51)至少设置有两组，且沿所述炉体(1)的高度方向间隔设置；设置在所述容置腔内，与所述进气管(51)的出气端相连，用于向所述容置腔内均匀分布气流的分气件(52)。4.根据权利要求3所述的气相沉积装置，其特征在于，所述进气组件，还包括：设置在所述炉体(1)外，与所述进气管(51)...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴煜，王林静，张池澜，段巨祥，王艳艳，肖乐，
申请(专利权)人：湖南顶立科技有限公司，
类型：发明
国别省市：